杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的

本征半导体中的载流子都是由本征激发所产生的,一般数量不多（随温度而指数函数式增大）. 但是,掺入施主杂质或者受主杂质以后,则杂质可提供大量的电子或者空穴,这就是多数载流子；这时,还是存在少数载流子,那就是本征激发出来的一些载流子.

当温度升高或者会受光照时，由于半导体的共价键中的价电子并不像绝缘体那样束缚的很紧，所以，价电子从外界获得能量，少说价电子会挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在原来共价键相应的位子上多出了带正电的空穴。而上面我们提到的自由电子和空穴就是半导体的载流子。

半导体中的少数载流子是根据掺杂情况产生的，如掺的是电子，空穴就成了少数载流子。当环境温度升高时，物质分子运动加剧，共价键中电子能量也随之增大，不受约束的电子运动增多，导致PN结的反向电流会增大。

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