半导体器件的特征尺寸是指什么？

在集成电路领域，特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中，特征尺寸典型代表为“栅”的宽度，也即MOS器件的沟道长度。一般来说，特征尺寸越小，芯片的集成度越高，性能越好，功耗越低。

特征尺寸（沟道长度）的缩小虽然有明显的好处，但是也会带来一系列负面效应，统称为“短沟道效应”。例如，场效应管强调的是栅极电压的控制作用，但是在沟道短到一定程度时，源与漏之间会存在漏电流，即使撤掉了栅极电压，也可能关不断MOS管。

扩展资料

半导体器件（semiconductor device）通常利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。

三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种晶体管（又称晶体三极管）。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。

根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的 一般晶体管外。

还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。

此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。

随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战等系统中已得到广泛的应用。

参考资料来源：百度百科-特征尺寸

中企最高技术28纳米，而且还是中芯挖的台干带来的技术 芯片工艺最重要的机器是光刻机，目前被欧洲垄断。intel目前最先进的半导体是4纳米，最近在研发12纳米。

虽然说世界上已经有人在研发7纳米，但同样的14纳米的技术中，intel的技术是最高的。

欧洲有条约禁止向社会主义国家出口类似光刻机的高科技设备

2020年我国光刻机现在属于什么水平?详细数据，多少纳米？

极客谈科技

原创 · 02-29 21:28 · 科技领域创作者

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整体上来说，我国芯片产业与发达国家确实存在较大的差距，这点是客观存在的事实。因此，美国才会有底气通过芯片以及软件的方式来打压华为与中兴等优秀的科技公司。虽然，华为具备研发高端移动处理器的能力（紫光展锐也宣布了基于6nm EUV工艺的虎贲T7520芯片），但是，依然受制于芯片生产上的限制，真正的原因还在于我国光刻机水平较为落后。

国内能够研发光刻机的公司是上海微电子装备公司，当前该公司最先进的光刻机产品是600系列光刻机。SSX600系列光刻机最高能够实现90nm工艺制程，荷兰的ASML的高端光刻机已经能够实现5nm工艺制程，两者之间的差距相当巨大。

那么，短期内上海微电子装备公司是否能够迎头赶上呢？

答案是否定的，光刻机内部零部件工艺要求较高，短期内基本上无法实现赶超。例如光刻机较为重要的镜头，ASML公司是从德国的蔡司采购，基本上由蔡司祖传匠人独家打磨，极少能够到达这一标准；除此之外，光刻机对于光源要求同样较高，ASML公司光刻机的光源由美国CYMER公司独家提供，后来为了方便直接收购了这家公司。

除此之外，光刻机的工作台、侵液系统等难度同样较高，暂时国内工艺还达不到此标准。荷兰ASML公司的光刻机，可以看做是世界顶级零部件的集合体，缺一不可！

那么，是否意味着国内只能够生产90nm工艺制程的芯片呢？也非如此，这里就需要讲讲中芯国际这家公司。中芯国际与台积电类似，均属于芯片代工公司。当前中芯国际已经能够实现14nm工艺制程芯片的量产，12nm工艺制程芯片也进入到客户导入环节。中芯国际自研的N+1、N+2芯片已经具备7nm工艺制程的特点，即将在2021年实现量产。也就是说，国内当前最高能够生产性能趋近于7nm工艺制程的芯片。

前不久的最新消息，华为交付给中芯国际14nm工艺的首批订单已经开始交货。这无疑是一个好消息，华为过于依赖台积电代工芯片的问题将会有所改善。

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