先进封装强势崛起，影响IC产业格局

摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投入等多重压力，迫切需要别开蹊径延续工艺进步。而通过先进封装集成技术，可以更轻松地实现高密度集成、体积微型化和更低的成本。封装行业将在集成电路整体系统整合中扮演更重要的角色，也将对产业的格局形成更多影响。随着先进封装的推进，集成电路产业将展现出一些新的发展趋势，有先进封装的集成电路产业样貎将会有所不同。

先进封装增速远超传统封装

当前 社会 正处于新技术与新应用全面爆发的背景下，移动设备、大数据、人工智能、5G通信、高性能计算、物联网、智能 汽车 、智能工业等快速发展。这些技术与应用必将对底层芯片技术产生新的需求。据麦姆斯咨询的介绍，支持这些新兴大趋势的电子硬件需要高计算能力、高速度、更多带宽、低延迟、低功耗、更多功能、更多内存、系统级集成、更精密的传感器，以及最重要的低成本。这些新兴趋势将为各种封装平台创造商机，而先进封装技术是满足各种性能要求和复杂异构集成需求的理想选择。

系统级封装可以将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个模块中，从而实现具有完整功能的电路集成，它也可以降低成本，缩短上市时间，同时克服了SoC中诸如工艺兼容、信号混合、噪声干扰、电磁干扰等难题。

3D封装通过晶圆级互连技术实现芯片间的高密度封装，可以有效满足高功能芯片超轻、超薄、高性能、低功耗及低成本的需求，被大多半导体厂商认为是最具有潜力的封装方法。

总之，在市场需求的带动下，越来越多先进封装技术被开发出来，先进封装的市场占比将会进一步扩大。统计数据显示，从2017年到2023年，整个半导体封装市场的营收将以5.2%的年复合增长率增长，而先进封装市场将以7%的年复合增长率增长，市场规模到2023年将增长至390亿美元，传统封装市场的复合年增长率则低于3.3%。

展现三大发展趋势

随着先进封装技术的发展以及市场规模的扩大，其对于整个集成电路产业结构将产生越来越大的影响。首先是中段工艺的出现并逐渐形成规模。随着传统封装技术向先进封装过渡，有别于传统封装技术的凸块(Bumping)、再布线(RDL)、硅通孔(TSV)等中段工艺被开发出来，并且开始发挥重要作用。中芯长电半导体首席执行官崔东表示，仅靠缩小线宽的办法已经无法同时满足性能、功耗、面积，以及信号传输速度等多方面的要求，因此半导体企业开始把注意力放在系统集成层面来寻找解决方案，也就是通过先进的硅片级封装技术，把不同工艺技术代的裸芯封装在一个硅片级的系统里，兼顾性能、功耗和传输速度的要求。这就产生了在硅片级进行芯片之间互联的需要，进而产生了凸块、再布线、硅通孔等中段工艺。而中段硅片加工的出现，也打破了前后段芯片加工的传统分工方式。

其次，制造与封装将形成新的竞合关系。由于先进封装带来的中段工艺，封测业和晶圆制造业有了更紧密的联系，在带来发展机遇的同时，也面临着新的挑战。中段封装的崛起必然挤压晶圆制造或者封装测试业的份额。有迹象表明，部分晶圆厂已加大在中段封装工艺上的布局。晶圆厂有着技术和资本的领先优势，将对封测厂形成较大的竞争压力。传统封测厂较晶圆制造业相比属于轻资产，引入中段工艺后，设备资产比重较传统封装大大增加，封测业的先进技术研发和扩产将面临较大的资金压力。

最后，推动集成电路整体实力的提升。后摩尔时代的集成电路产业更强调产业链的紧密合作，强化产业链上下游之间的内在联系，要求各个环节不再是割裂地单独进行生产加工，而是要求从系统设计、产品设计、前段工艺技术和封测各个环节开展更加紧密的合作。企业对于先进封装业务的竞争，最终还需表现为产业链之间综合实力的竞争。

中国应加快虚拟IDM生态链建设

近几年中国集成电路封测产业实现了高速发展，有了长足的进步，然而国内集成电路封测产业链整体技术水平不高也是不争的事实。半导体专家莫大康认为，中国现在非常重视集成电路产业，推动先进封装业的发展就是非常必要的了。中国的封装测试是集成电路三业(设计、制造、封测)中起步最早的，与国际水平差距也比较小，因此完全有能力发展起来。

华进半导体总经理曹立强在近日的演讲中再次提出，推动国内“EDA软件—芯片设计—芯片制造—芯片封测—整机应用”集成电路产业链虚拟IDM生态链的建设，以市场需求牵引我国集成电路封测产业快速发展。集成电路的竞争最终会表现为产业链之间综合实力的竞争，先进封装的发展需要从工艺、设备和材料等方面的协同。

在新的技术趋势和竞争环境下，集成电路产业越来越表现为产业链整体实力的竞争。过去几年，国际半导体制造公司纷纷加大力度向先进工艺挺进，在持续大规模资本投入扩建产能的带动下，一些半导体制造大厂同样具备了完整的先进封装制造能力。

应对这样的产业形势，曹立强指出，重点在于突破一些关键性技术，如高密度封装关键工艺、三维封装关键技术、多功能芯片叠层集成关键技术、系统级封装关键技术等。建设立足应用、重在转化、多功能、高起点的虚拟IDM产业链，解决集成电路产业领域的关键技术，突破技术瓶颈。

华进半导体封装先导技术研发中心有限公司是2012-09-29在江苏省无锡市梁溪区注册成立的有限责任公司，注册地址位于无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋。

华进半导体封装先导技术研发中心有限公司的统一社会信用代码/注册号是913202130551581209，企业法人曹立强，目前企业处于开业状态。

华进半导体封装先导技术研发中心有限公司的经营范围是：集成电路封装与系统集成的技术研发；半导体集成电路和系统集成产品的技术转让、技术服务及产品销售；利用自有资产对外投资；培训服务（不含发证、不含国家统一认可的职业证书类培训）；自营各类商品和技术的进出口业务（但国家限定公司经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。在江苏省，相近经营范围的公司总注册资本为1800927万元，主要资本集中在1000-5000万和5000万以上规模的企业中，共700家。本省范围内，当前企业的注册资本属于一般。

华进半导体封装先导技术研发中心有限公司对外投资6家公司，具有1处分支机构。

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• 公司简介：

江苏长电科技股份有限公司成立于1998-11-06,注册资本160287.455500万人民币元,法定代表人是王新潮,公司地址是江阴市澄江镇长山路78号,统一社会信用代码与税号是91320200142248781B,行业是科学研究、技术服务和地质勘查业,登记机关是无锡市工商行政管理局,经营业务范围是研制、开发、生产、销售半导体、电子原件、专用电子电气装置，销售本企业自产机电产品及成套设备，自营和代理各类商品及技术的进出口业务，开展本企业进料加工和“三来一补”业务；道路普通货物运输。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）,江苏长电科技股份有限公司工商注册号是320000000048373

• 分支机构：

江苏长电科技股份有限公司东莞分公司,注册号是4419001510194,统一社会信用代码是91320200142248781B

江苏长电科技股份有限公司广州分公司,注册号是4401011203522,统一社会信用代码是91320200142248781B

江苏长电科技股份有限公司上海分公司,注册号是310141000175648,统一社会信用代码是91320200142248781B

江苏长电科技股份有限公司深圳分公司,注册号是440301104095629,统一社会信用代码是91320200142248781B

江苏长电科技股份有限公司霞客分公司,注册号是320281000027516,统一社会信用代码是91320200142248781B

江苏长电科技股份有限公司厦门分公司,注册号是350200180010281,统一社会信用代码是91320200142248781B

江苏长电科技股份有限公司职工技术协会,注册号是320281000021306,统一社会信用代码是91320200142248781B

江苏长电科技股份有限公司中山古镇分公司,注册号是4420001014695,统一社会信用代码是91320200142248781B

• 对外投资：

江阴达仕新能源科技有限公司,法定代表人是朱正义,出资日期是2014-11-19,企业状态是在营（开业）,注册资本是10000.000000,出资比例是100.00%

苏州长电新朋投资有限公司,法定代表人是王新潮,出资日期是2014-11-27,企业状态是在营（开业）,注册资本是976223.000000,出资比例是22.73%

长电科技(滁州)有限公司,法定代表人是吴靖宇,出资日期是2010-12-03,企业状态是在营（开业）,注册资本是30000.000000,出资比例是100.00%

江阴新基电子设备有限公司,法定代表人是王晓华,出资日期是2001-03-14,企业状态是在营（开业）,注册资本是2002.339680,出资比例是74.78%

江阴芯长电子材料有限公司,法定代表人是罗宏伟,出资日期是2009-06-18,企业状态是在营（开业）,注册资本是5000.000000,出资比例是100.00%

江阴新雅酒家,法定代表人是冯锡生,出资日期是1999-08-13,企业状态是吊销，未注销,注册资本是32.000000,出资比例是7.50%

苏州长电新科投资有限公司,法定代表人是王新潮,出资日期是2014-11-19,企业状态是在营（开业）,注册资本是754340.000000,出资比例是100.00%

长电科技(宿迁)有限公司,法定代表人是陆惠芬,出资日期是2010-11-26,企业状态是在营（开业）,注册资本是25000.000000,出资比例是100.00%

江阴长电先进封装有限公司,法定代表人是赖志明,出资日期是2003-10-30,企业状态是在营（开业）,注册资本是5100.000000,出资比例是96.49%

江阴新昌电子有限公司,法定代表人是王新潮,出资日期是1992-06-10,企业状态是注销,注册资本是235.000000,出资比例是75.00%

华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,法定代表人是曹立强,出资日期是2012-09-29,企业状态是在营（开业）,注册资本是23445.000000,出资比例是8.53%

江阴城东科林环境有限公司,法定代表人是许俊华,出资日期是2017-09-05,企业状态是在营（开业）,注册资本是300.000000,出资比例是100.00%

江阴新晟电子有限公司,法定代表人是王新潮,出资日期是2011-05-11,企业状态是注销,注册资本是4875.000000,出资比例是100.00%

江阴芯智联电子科技有限公司,法定代表人是陈灵芝,出资日期是2015-01-29,企业状态是在营（开业）,注册资本是18000.000000,出资比例是19.00%

无锡长旺电子有限公司,法定代表人是朱正义,出资日期是2000-10-26,企业状态是注销,注册资本是120.000000,出资比例是90.00%

• 股东：

非公开发行股,出资比例4.99%,认缴出资额是8000.000000

社会公众股,出资比例3.43%,认缴出资额是5500.000000

江苏新潮科技集团有限公司,出资比例2.73%,认缴出资额是4377.754600

上海华易投资有限公司,出资比例1.87%,认缴出资额是2997.727800

上海恒通资讯网络有限公司,出资比例1.36%,认缴出资额是2176.751200

厦门永红集团有限公司,出资比例1.25%,认缴出资额是2000.000000

江阴长江电子有限公司,出资比例0.61%,认缴出资额是974.563200

杭州士兰微电子股份有限公司,出资比例0.42%,认缴出资额是673.000000

宁波康强电子有限公司,出资比例0.29%,认缴出资额是468.946400

连云港华威电子集团有限公司,出资比例0.27%,认缴出资额是432.873600

• 高管人员：

PAN QING(潘青)在公司任职董事

张春生在公司任职董事

张文义在公司任职副董事长

蒋守雷在公司任职董事

林桂凤在公司任职其他人员

范晓宁在公司任职监事

沈阳在公司任职其他人员

王元甫在公司任职监事

刘铭在公司任职董事

马岳在公司任职其他人员

任凯在公司任职董事

高永岗在公司任职董事

LEE CHOON HEUNG在公司任职总经理

范永明在公司任职董事

王新潮在公司任职董事长

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