
广东中科半导体微纳制造技术研究院为中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与佛山市人民政府、佛山市南海区人民政府签署共建的广东省省属科研事业单位,一期投入运营资金12亿元。
今日科创板我们一起梳理一下富信 科技 ,公司是国内外少数全产业链半导体热电技术解决方案及应用产品提供商之一,主营业务为半导体热电器件及以其为核心的热电系统、热电整机应用产品的研发、设计、制造与销售业务。
半导体热电技术解决方案能够广泛应用于消费电子、通信、医疗实验、 汽车 、工业、航天国防、油气采矿等众多领域。 其中,公司在消费电子领域应用市场已经深耕十余年,依靠研发优势、技术优势和全产业链的业务布局。公司以热电整机应用为技术解决方案载体,成功将半导体热电制冷技术与啤酒机、恒温床垫、冻奶机、冰淇淋机等众多创新性使用场景相结合,实现了半导体热电技术在消费领域的大规模产业化应用,满足了人们改善生活品质的个性化需求和对美好生活的向往。此外,公司依托多年来积累的研发经验和技术沉淀,积极拓展了半导体热电技术在通信、 汽车 等领域的终端应用市场。
尤其是在通信领域,针对目前高性能微型热电器件市场整体上仍由国际厂商或其在国内设立的子公司所主导的现状,公司抓住 2019 年 5G 网络建设的兴起带来的高性能微型热电器件市场需求机遇,在半导体热电器件的热电性能、可靠性方面实现技术突破,成功研制了用于 5G 网络中光模块温控的高性能微型热电制冷器件,并已向客户小批量供货 。
半导体热电技术主要包括半导体热电制冷技术和温差发电技术两个应用方向,分别利用了半导体材料的佩尔捷效应(Peltier effect)和泽贝克效应(Seebeckeffect)实现了电能和热能之间的相互转换,是一种环保型制冷技术和绿色能源技术 。
根据 MarketsandMarkets 的报告数据,2017 年至 2019 年,半导体温差发电系统市场规模分别为 3.99 亿美元、4.26 亿美元、4.60 亿美元,预计 2025 年将达到 7.41 亿美元。
根据 MarketsandMarkets 的报告数据,2016 年至 2018 年,半导体热电器件在消费电子产品应用领域的对外销售市场规模分别为 1.05 亿美元、1.18 亿美元、1.31 亿美元,预计 2024 年将达到 2.31 亿美元。2017 至 2020 年 1-6 月,公司应用于消费电子领域的半导体热电器件产品销售收入分别为 4,981.23 万元、5,615.21 万元、5,560.24 万元,2,882.56 万元,仍存在较大的存量及增量市场空间。
根据 MarketsandMarkets 的报告数据,2016年至 2018 年,半导体热电器件在通信应用领域的对外销售市场规模分别为 1.02亿美元、1.11 亿美元、1.20 亿美元,预计 2024 年将达到 1.74 亿美元。
除了消费电子和通信领域,半导体热电制冷技术在其他领域也有着广泛应用。在医疗领域,主要用于冷敷设备、便携式胰岛素盒、移动药箱,以及 PCR 测试仪等实验室中各种仪器仪表、检测设备的温度控制;在 汽车 领域,主要用于车载冰箱、车载恒温杯架、 汽车 调温座椅,以及人机交互设备、动力电池、传感器等设备的热管理;在工业领域,可用于对冷源展示仪、烟气冷却、CCD 图像传感器、激光二极管、露点测定仪等产品的精准控温;在航天国防领域,可用于探测器和传感器的温度控制、激光系统冷却、飞行服温度调节、设备外壳冷却等。
按照细分应用领域不同,半导体热电器件及热电系统市场呈现出不同的竞争格局。根据 MarketsandMarkets 和 Transparency 的市场调研报告,以及行业内主要企业官方网站的相关业务介绍, 目前应用于通信、 汽车 、航空国防等领域的高性能半导体热电器件及热电系统市场,主要掌握在日本 Ferrotec、KELK Ltd.,俄罗斯 RMT,美国 Phononic、Gentherm 等外资企业或其在国内设立的子公司手中 ,这些企业技术实力雄厚,在相关领域具有先发优势和丰富的行业经验。而国内大部分企业由于起步较晚,还处于技术提升阶段,技术水平与国际先进水平相比尚有一定差距。
目前,热电整机应用产品市场主要参与者为我国内资企业及国外品牌厂商在国内设立的生产企业。其中,在外销市场,我国内资企业主要通过 ODM 模式为国外品牌厂商代工生产,而在内销市场则主要采用 ODM 和自主品牌经营相结合的模式。
由于热电整机应用市场发展时间较短,尚处于成长阶段,各类新型技术解决方案亦层出不穷,行业内尚未形成具有垄断效应或具有显著品牌优势的企业。 未来,随着热电整机应用产品功能需求的日渐提升,以及欧美发达国家对热电整机应用产品的能效、环保标准要求越来越高,具有较强研发能力的热电整机应用制造企业将在市场竞争中取得优势,市场集中度将逐渐提升。
从下游应用市场的认可度看,在消费电子领域,公司与国内外知名电器品牌SEB、伊莱克斯、美的,日本 时尚 家居品牌 Bruno、知名咖啡机品牌优瑞(Jura)建立了良好的合作关系;在通信领域,公司最新开发的高性能微型热电制冷器件产品已于 2020 年向客户小批量供货。
从市场占有率看,根据智研咨询的统计数据,2019 年中国出口的半导体制冷式家用型冷藏箱金额为 22,871.60 万美元,约合人民币 160,101.20 万元,2019年公司出口的热电整机应用产品中半导体制冷式家用型冷藏箱(包括啤酒机、恒温酒柜、电子冰箱、冻奶机)产品金额为 31,657.03 万元,约占当年该类产品中国出口总额的 19.77% 。
公司热电整机应用、热电系统业务在 A 股上市公司和新三板挂牌公司中无可比公司,热电器件业务与新三板挂牌公司富连京(872240.OC)具有一定的可比性。
一、国内知名的半导体热电器件生产企业
富信 科技 前身佛山市顺德区富信制冷设备有限公司成立于2003年,公司主营单级热电制冷器件、冰胆、酒柜冰箱系统、以及恒温酒柜、电子冰箱等产品;2006公司正式更名为广东富信电子 科技 有限公司;2009年公司微型热电器件、多级热电制冷器件问世;2011年公司成功研发温差发热器件、通讯基站电池柜系统;2013年公司完成股份制改造,正式更名为“广东富信 科技 股份有限公司”;2014年公司的啤酒机系统(2L)、床垫系统、恒温床垫、380L大容积酒柜、啤酒机(2L)上市;2015年冰淇淋机系统、冰淇淋机产品试产成功并量化生产;2016年高性能温差发电器件等新产品上市;2017年公司热电制冷技术研发成果显著,成功研制冷热循环器件、大功率热电制冷器件,同时、热管静音系统、烟气冷却系统问世,新型冻奶机及静音冰箱上市;2018年除湿机系统完成小批量试制;2019年高性能单极热电制冷器件、冷源展示仪系统、植物培养箱系统以及节能酒柜等产品量产;2020年公司生产的高端半导体热电制冷器件可靠性达到GR-468-CORE和 MIL-STD-883两项国际先进测试标准的要求,除湿机、节能冰箱的研制进一步丰富公司主营产品;2021年科创板上市。
二、业务分析
2017-2020年,营业收入由5.12亿元增长至6.24亿元,复合增长率6.82%,20年实现营收同比下降0.32%;归母净利润由0.30亿元增长至0.74亿元,复合增长率35.11%,20年实现归母净利润同比增长2.78%;扣非归母净利润由0.31亿元增长至0.67亿元,复合增长率29.29%,20年实现扣非归母净利润同比下降6.94%;经营活动现金流分别为0.43亿元、0.09亿元、1.30亿元、0.65亿元,20年实现经营活动现金流同比下降50.00%。
分产品来看,2020年半导体热电器件实现营收0.79亿元,占比12.62%;半导体热电系统实现营收1.44亿元,占比23.06%;覆铜板实现营收0.28亿元,占比4.42%;热电整机应用实现营收3.54亿元,占比56.79%;陶瓷基板实现营收0.00亿元,占比0.03%;整机散、配件实现营收0.19亿元,占比3.08%。
2019年公司前五大客户实现营收2.67亿元,占比42.59%,其中第一大客户实现营收1.45亿元,占比23.17%。
三、核心指标
2017-2020年,毛利率由23.11%提高至28.43%;期间费用率18年下降至8.70%,随后逐年上涨至10.15%,其中销售费用率由5.73%下降至4.22%,管理费用率由4.42%上涨至18年高点5.12%,20年下降至4.57%,财务费用率18年下降至低点-0.89%,随后逐年下降上涨至1.36%;利润率由5.88%提高至12.06%,加权ROE由15.39%提高至19年高点25.74%,20年下降至23.10%。
四、杜邦分析
净资产收益率=利润率*资产周转率*权益乘数
由图和数据可知,18年净资产收益率的提高是由于利润率和资产周转率的提高,19年净资产收益率的提高是由于利润率的提高,20年净资产收益率的下降是由于权益乘数和资产周转率的下降。
五、研发支出
2017-2020H1公司研发费用分别为 1,845.59 万元、2,281.50 万元、2,687.50 万元和 985.75 万元,占比分别为3.61%、3.79%、4.29%、3.96%。
看点:
半导体热电制冷技术凭借其不可替代的灵活性、多样性、可靠性等优势和特点,成为支撑诸多现代产业的关键技术,能够广泛应用于消费电子、通信、医疗实验、 汽车 、工业、航天国防、油气采矿等领域,随着热电技术的进步和推广,其下游应用不断成熟,新产品不断涌现,市场需求呈现出逐年增长的态势。消费电子领域是公司目前产品的主要实际应用方向,通信领域是公司未来的重点拓展方向。
日前,华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野,引起业界重点关注。
事实上,随着半导体技术不断进步,对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高,传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求,碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能,早已成为当前世界各国竞相布局的焦点,我国在加速发展集成电路产业的同时,把发展第三代半导体技术列入国家战略。
如今5G时代到来,将推动半导体材料实现革命性变化。其中,氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域,其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临,我国目前有哪些企业在布局?下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。
GaN衬底企业
东莞市中稼半导体 科技 有限公司
东莞市中镓半导体 科技 有限公司成立于2009年1月,总部设于广东东莞,总注册资本为1.3亿元人民币,总部设立厂房办公区等共17000多平方米,并在北京有大型研发中心,为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。
官网显示,中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线,制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底,并能够稳定生产。2018年2月,中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。
东莞市中晶半导体 科技 有限公司
东莞市中晶半导体 科技 有限公司成立于2010年,是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。
中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑,以GaN衬底为基础,重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术,并向新型显示模组方向延展;同时,中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础,孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术,并进行全球产业布局。
苏州纳维 科技 有限公司
苏州纳维 科技 有限公司成立于2007年,致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化,实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术,现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。
据官网介绍,目前纳维 科技 GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用,正在提升产能向企业应用市场发展,重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。
镓特半导体 科技 (上海)有限公司
镓特半导体 科技 (上海)有限公司成立于2015年4月,主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长,以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备,并用以生长高质量的氮化镓衬底。
官网显示,借助自主研发的HVPE设备,镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示,未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地,以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用,并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。
GaN外延片企业
苏州晶湛半导体有限公司
苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月,致力于氮化镓(GaN)外延材料的研发和产业化。2013年8月,晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线,可年产150mm氮化镓外延片2万片;2014年底,晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。
官网介绍称,截至目前,晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模,其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。
聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司
聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司成立于2018年6月,专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场,聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。
2018年12月,聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时,保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性,可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。
北京世纪金光半导体有限公司
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月,经过多年发展,世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。
在碳化硅领域,世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通,氮化镓方面,官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。
聚力成半导体(重庆)有限公司
聚力成半导体(重庆)有限公司成立于2018年9月,是重庆捷舜 科技 有限公司在大足区设立的公司。2018年9月,重庆大足区政府与重庆捷舜 科技 有限公司签约,拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。
2018年11月,聚力成半导体(重庆)有限公司举行奠基仪式,项目正式开工。该项目占地500亩,计划投资50亿元,将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日,该项目一期厂房正式启用,预计将于今年10月开始外延片的量产。
GaN制造企业
成都海威华芯 科技 有限公司
成都海威华芯 科技 有限公司成立于2010年,是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解,海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建,2015年1月,海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权,并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东,从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。
海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示,海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺,发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年,是LED芯片制造公司三安光电下属子公司,基于氮化镓和砷化镓技术经营业务,是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂,服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场,具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。
三安集成项目总规划用地281 亩,总投资额30亿元,规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示,三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线,在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
华润微电子有限公司
华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业,亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业,其聚焦于模拟与功率半导体等领域,业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件,目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家,为国内拥有完整半导体产业链的企业。
2017年12月,华润微电子完成对中航(重庆)微电子有限公司(后更名为“华润微电子(重庆)有限公司”)的收购,重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产,并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线,具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。
杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年,专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造,2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线,现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体(IDM)企业。
近年来,士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年,士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月,士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工,其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元,定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。
GaN IDM企业
苏州能讯高能半导体公司
苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年,致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化,为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动 汽车 等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。
能讯半导体采用整合设计与制造(IDM)的模式,自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术,目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓(GaN)电子器件工厂,厂区占地55亩,累计投资10亿元。
江苏能华微电子 科技 发展有限公司
江苏能华微电子 科技 发展有限公司成立于2010年6月,是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高 科技 公司。
能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年,能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。
英诺赛科(珠海) 科技 有限公司
英诺赛科(珠海) 科技 有限公司成立于2015年12月,该公司采用IDM 全产业链模式,致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月,英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产,成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线,主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。
2018年6月,总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工,今年8月30日项目主厂房封顶,预计12月底生产设备正式进厂,2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品,将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
大连芯冠 科技 有限公司
大连芯冠 科技 有限公司成立于2016年3月,该公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式,主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售,产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动 汽车 及工业马达驱动等领域。
官网介绍称,芯冠 科技 已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月,芯冠 科技 在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品(通过1000小时HTRB可靠性测试),并正式投放市场。
江苏华功半导体有限公司
江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月,注册资本为2亿元人民币,一期投入10亿元人民币。官网介绍称,目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。
根据官网显示,华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品,并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造,提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。
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