一道半导体物理题,n型GaAs半导体的恒定电场强度为E=12Vcm,其方向沿x的正方向,

一道半导体物理题,n型GaAs半导体的恒定电场强度为E=12Vcm,其方向沿x的正方向,,第1张

我就不带入数据了。

算出电阻率E/j

电导率=1/电阻率=nqμ

然后就可以求出电子浓度n

可是题目中说的是一块n型半导体,那么不管你如何加外电场,内部的载流子分布是恒定的,不会随着位置而变化,因为要符合连续性方程。只有掺杂才会引起浓度变化。所以2、3问的就有些奇怪了

首先分别求出导带底的能量和价带顶的能量,然后把它们相减,就得到禁带宽度。

至于导带底的能量和价带顶的能量,分别是导带极小值的能量和价带极大值的能量,因此可分别计算它们的微分,并令=0,即可得到。


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