
根据深圳可易亚半导体官网查询占空比是指在一个脉冲循环内,通电时间相对于总时间所占的比例。就是MOS管导通时间,与整个周期的比值,即D=Ton/T。
MOS管P管。通常S接电源。G控制信号,D接负载。当G等于S时。S和D不导通当G小于一定S,D和S导通。
MOSFET开关时间改变电压的原理其实就是PWM(脉冲宽度调节)控制,开关电源里面的MOSFET都是和电感或者电容这些储能元件配套使用的。一般情况下MOSFET开的时候会向电感、电容这些元件中储存能量。MOSFET关闭的时候这些储能元件要么和原来的输入叠加形成升压电路,要么独自输出形成降压电路。(这里只是举例,还有升降压电路不讨论了。) 你可以理解为,MOSFET打开的时间越长,电感和电容中储存的能量越高,可以形成的输出也就越高。MOSFET打开的时间越短,储能元件中能量约小,形成的输出也就越低。 这就是MOSFET改变电压的原理。具体还得找几个电路进行分析。如果BOOST、BUCK电路,都是最基本的。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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