在本征半导体中掺入"什么"价元素得N型半导体

在本征半导体中掺入"什么"价元素得N型半导体,第1张

p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度在离子晶体型氧化物半导体中,化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子,氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴,Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体,且当它们在氧压中加热后,空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷,均称受主。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。

硅是半导体。

在硅中,掺杂五价元素(比如磷),就成为了N型半导体。

在硅中,掺杂三价元素(比如硼),就成为了P型半导体。

虽然,P型半导体和N型半导体的导电能力,增强了很多,

但是,它们,都不带电荷。

即使是导体,铜、金银等,也都不带电荷。

只有绝缘体,才可能带有电荷。

你用塑料梳子梳头,就会感觉到带电的现象。

首先你要理解n型半导体是如何产生的,他是在硅中参杂少量的磷单质形成的为什么参杂磷单质会形成n型半导体呢,这是因为在单晶硅中硅原子与硅原子是很好的结合,每个硅原子(内部)周围都有8个电子,此时处于稳定状态,所以硅单质是几乎不导电的,但是你掺杂磷原子之后,磷原子会替代硅原子的位置,磷原子外围有五个电子,比硅多一个,所以当磷原子取代硅原子的位置的时候会多出一个电子,很多个磷原子取代就会产生很多电子,这样就形成了电子较多的n型半导体,而导电机制也是得益于这些多出的电子。


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