前韩国总统文在寅很早在 5 月 9 日大约 10 分钟的告别演说中就提到了贸易摩擦。
“我不会忘记整个国家如何团结起来克服日本不公平的出口管制带来的危机，”文在寅说。
这些变化意味着日本企业必须单独申请氟化氢、用于极紫外光刻的光刻胶和氟化聚酰亚胺的出口许可证。
METI 表示，它只是在实施通常需要的出口程序。但韩国政府强烈谴责这些措施。韩国将其解释为对 2018 年 10 月最高法院裁决下令现在的新日铁向前韩国战时劳工支付赔偿金的经济报复。
韩国人抵制日本产品以应对出口管制。据说东京和首尔之间的关系已跌至战后最低点。
文在寅访问了韩国芯片制造材料制造商，以争取对国家自给自足的支持。他的政府每年拨出约 2 万亿韩元（按当前汇率计算为 15.5 亿美元）来资助研发，以“化危机为机遇”。
但韩国国际贸易协会的数据与文在寅的言论相矛盾。
氟化氢方面，2019 年 6 月后，从日本进口的价值大幅下降。与 2018 年相比，2020 年下降 86%，2021 年同比反d 34%。2022 年 1 月至 4 月期间，进口量同比增长 30%。
光刻胶进口量在 2020 年实现了两位数的同比增长，而氟化聚酰亚胺的进口量仅略有下降。
“除了氟化氢之外，没有任何特殊影响，”一位日本材料制造商的消息人士说。
2021 年，韩国从日本进口的最大半导体制造设备进口额同比增长 44%，达到 63 亿美元。韩国与日本的贸易逆差全面扩大。
IBK Securities 专门研究材料行业的分析师 Lee Geon-jae 表示：“现有的半导体生产线需要停止以使用替代材料，因此芯片制造商不愿采用额外的本土产品。”
在实现自给自足方面缺乏进展反映在韩国股市。Soulbrain Holdings 建立了生产国产氟化氢的品牌，其股价从 2019 年 6 月开始飙升，一度触及 70000 韩元。最近它已经跌破 20000 韩元，创下六年来的最低点。
与此同时，日本当局的行为显然引起了韩国企业的不信任。
芯片制造巨头三星电子和 SK 海力士痛苦地意识到关闭工厂的风险。这导致向可以替代日本制造材料的供应商提供财政支持和技术转让。
三星从半导体和显示器中获得近 1000 亿美元的年收入——是日本最大的芯片制造商铠侠控股的八倍。三星是日本供应商的主要客户。韩国本土材料供应链将对日本工业造成打击。
现在的焦点转移到韩国新总统尹锡烈政府的下一步行动上。6 月 16 日发布的经济议程中没有提到日本自由供应链或本地化的字眼。
尹锡烈在试图解冻双边关系时可能希望避免激怒日本。但首尔没有理由停止尝试转向国内生产。
“从经济安全的角度来看，本土的材料供应是必要的，”尹锡烈政府内部人士表示。
为韩国打下半导体产业基础的"元老"、前三星电子半导体研究所所长Kim Kwang-gyo愁云满面。Kim Kwang-gyo在接受《韩国经济新闻》采访时表示:"现在是竞争国家如何投资、技术水平如何都一目了然的'开卷'竞争时代,韩国政府似乎把半导体产业看的太轻松了"。Kim Kwang-gyo认为韩国政府层面对半导体产业的投资和支援远远不足。
Kim Kwang-gyo于1979年在三星电子设立第一个半导体研究所,并担任了4年的第一任研究所所长。到2000年代初为止,Kim Kwang-gyo历任三星电子美国普林斯顿研究所所长、韩国半导体显示器技术学会首任会长等职务。
据韩国半导体显示器学会消息，美国政府宣布，从今年开始到2026年为止，将投入105亿美元，培养半导体人才。中国台湾地区制定了每年确保1万名新半导体人才的战略。
Kim Kwang-gyo斩钉截铁地说，“韩国政府首先应该改变对半导体产业的犹豫态度。如果不能解决人力不足或产业规制问题,韩国半导体产业可能会在几年内倒闭。政府和学界等应该积极支援并推动企业发展半导体产业。"
Kim Kwang-gyo还表示，失去半导体第一的位置就等于失去了所有未来增长动力。因为智能手机、 汽车 、机器人等领域的半导体产品数量正在持续增加。预计世界半导体销售额将从去年的702万亿韩元（1人民币约合193韩元）增长到2030年的1268万亿韩元。
三星电子1974年以50万美元收购了韩国半导体,开始了半导体事业。"三星在一开始并没有做好半导体业务。" Kim Kwang-gyo回忆说，在初期,三星电子还被评价为技术能力落后于美国和日本10年以上。"当时甚至有职员说如果被调到半导体,就会辞职,半导体业务的发展环境非常恶劣。"
Kim Kwang-gyo还表示，当时三星电子向日本提出技术合作或技术引进，日方称“你们还没有达到合作的水平”。“那种被蔑视的感受，记忆犹新。”Kim Kwang-gyo回忆称，“在这种情况下，已故三星电子前会长李秉喆表示，总有一天会有机会的， 一定要拿行业第一。从那时开始三星电子集中精力进行技术、人力投资。"
Kim Kwang-gyo表示,持续的投资造就了领先的三星电子， 其中也有运气的成分。20世纪80年代，随着低利率、低油价、低韩元价值等"三低利好"的到来，三星电子半导体的地位迅速上升。
"认真准备才能抓住机会,这一点无论是上世纪7、80年代，还是现在都一样"Kim Kwang-gyo表示，要展望10年后、20年后,从现在一步一步地做准备。
《金融时报》6月26日谈到了日本的半导体人才问题，东芝、索尼等日本最大的半导体制造商警告称，政府振兴国内芯片行业之举正受到工程师短缺的威胁。
在预计出现劳动力短缺之际，日本正努力增加半导体投资，以加强经济安全，应对新冠疫情下，供应链中断和芯片短缺的问题。
上个月，一家电子行业机构在向日本经济产业省发出的呼吁中表示，截至2030年的未来五年是日本半导体行业在多年失去全球市场份额后“重新站稳脚跟的最后也是最大机会”。
日本电子信息技术产业协会表示，该行业的成功取决于能否获得足够的人才来创新和运营其芯片工厂。据估计，在未来10年，8家大型生产商将需要招聘约3.5万名工程师，以跟上投资的步伐。
日本半导体产业协会半导体委员会政策提案工作组负责人、东京科学大学教授Hideki Wakabayashi表示：“人们经常说半导体缺乏，但工程师才是最缺的。”
20世纪80年代末，日本半导体公司大手笔扩大生产，超过了美国，占据全球市场份额的一半以上。但在与华盛顿发生激烈的贸易冲突后，日本将主导地位拱手让给了韩国和中国大陆的公司。
这导致了2008年全球金融危机后工程师的大规模裁员。Hideki Wakabayashi说，这就是今天没有足够资深经验工程师的原因。
闪存制造商铠侠（JEITA工作组的一部分）的经理Toyoki Mitsui表示，大学学习半导体的学生现在倾向于加入金融机构或 科技 公司，因为芯片行业早已失去吸引力。
为了刺激创新和培养未来的员工，东芝、索尼和其他公司正在与全国最好的理科大学合作，并为芯片研究和招聘投入更多资金。
上个月，美国总统乔·拜登和日本首相岸田文雄承诺加强半导体制造能力，并在开发先进芯片方面加强合作。
台积电正与索尼联手，在南部九州岛建设一家价值86亿美元的工厂，计划为该工厂招聘约1700名工人。政府表示，将提供高达4760亿元人民币（35亿美元）的补贴。
越来越多的工厂即将投产。铠侠与其合资伙伴西部数据正斥资近1万亿日元在日本中部建造一家工厂，该工厂将于今年秋季投产。此外，其还会再拨款1万亿日元，在日本北部建造一家定于明年完工的工厂。
瑞萨电子将投资900亿日元，重启2014年关闭的一家工厂，以扩大电动 汽车 用功率半导体的生产。Recruit的顾问Kazuma Inoue指出：“直到20世纪10年代中期，日本在投资和招聘方面一直与世界其他国家存在分歧，尽管全球芯片产业规模已经翻了一番。”
然而Kazuma Inoue表示，很难找到工人。根据日本统计局发布的数据，25岁至44岁的电子元件、设备和电路从业人员数量从2010年的38万人下降到2021的24万人。
东芝电子元件部门的某高管Takashi Miyamori表示：“大多数日本理科学生对IT更感兴趣，而不一定是半导体，全球各地都在争夺最优秀的工程师，我们需要找到提高竞争力的方法。”
Hynix 海力士晶片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代记忆体，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。
基本介绍公司名称 ：海力士 外文名称 ：Hynix 总部地点 ：韩国 经营范围 ：半导体 年营业额 ：266.37亿美元（2018年） 缩写 ：HY 世界500强 ：第442名 （2018年） 年利润 ：94.14亿美元（2018年） 历史沿革,市场概况,市场地位,市场前景,发展过程,企业事件, 历史沿革 海力士为原来的现代记忆体,2001年更名为海力士。 海力士 2012年更名SK hynix。 海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家记忆体大厂。 市场概况 市场地位 在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。 市场前景 海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。 发展过程 2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。 2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。 2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。 2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社 04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM 03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证 02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM 01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模组为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。 2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM 11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM 08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工 世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM 为引进崭新而创新性NAND快闪记忆体存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大 05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案 04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2 02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM 01月 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程式上进行合作的契约 2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证 2007年12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes) 11月WTO做出判决海力士进口晶片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协定，获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM 10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证契约与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的契约 09月以24层叠晶片(stacked chips)，世界最先开发NAND快闪记忆体MCP 08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM 07月发表企业中长期总体规划 05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证 04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率 03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应契约 与SanDisk就特许商户许可证契约达成协定及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)金钟甲就任新任 代表理事、社长 01月开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模组 2006年创下最高业绩及利润 2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模组，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM 10月创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网路 09月300mm研究生产线下线 03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证 01月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计画(快闪记忆体驱动器内置的新型DiskOnChip) 2005年12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM 11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM 07月 提前从企业重组完善协定中抽身而出 04月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼 03月 发布2004年财务报表，实现高销售利润 01月 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协定 2004年11月 与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协定 08月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协定 07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润 06月 签订非记忆体事业营业权转让协定 03月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证 02月 成功开发NAND快闪记忆体 2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU 08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。 07月 宣布在世界上首次发表DDR500 06月 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证 05月 采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产 04月 宣布与STMicroelectronics公司签定协定合作生产NAND快闪记忆体 03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM 2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门 10月 开发0.10微米、512MB DDR 08月 在世界上首次开发高密度大宽频256MB的DDR SDRAM 06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户 03月 开发1G DDR DRAM模组 2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM 08月 完成与现代集团的最终分离 07月 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’ 05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’ 剥离网路业务‘Hyundai Neorks’ 03月 公司更名为“Hynix半导体有限公司” 2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’ 04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Auto’ 1999年10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社 03月 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC） 1998年09月 开发64M的DDR SDRAM 1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM 1996年12月 公司股票上市 1989年11月 完成FAB III 09月 开发4M的DRAM 1988年11月 在欧洲当地设立公司（HEE） 01月 开发1M的DRAM 1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical” 04月 设立半导体研究院 1985年10月 开始批量生产256K的DRAM 1984年09月 完成FAB II-A 1983年02月创立现代电子株式会社，公司概要展望商业领域主要历程可持续经营，持续经营报告书伦理经营，伦理经营宣言伦 理纲领组织介绍实践体系产业保全方针线上举报公司标志 企业事件 2013年9月4日下午3点半左右，无锡新区海力士公司的生产车间发生气体泄漏，引发车间屋顶排气管洗涤塔管道的保护层着火。无锡消防200多名官兵赶至现场扑救，截至当日18点，明火已全部扑灭。从车间疏散出人员中，1人受轻微外伤，另有10余人去医院进行呼吸道检查，均无大碍。火灾发生后，无锡市委主要领导作出批示，市 *** 和无锡新区领导第一时间赶赴现场组织开展灭火救援，市环保部门迅速组织对企业周边环境、空气品质情况进行检测。火灾原因仍在调查中。 2013年9月初发生在无锡新区SK海力士的一场大火已经过去了几个月，这场大火尽管没有人员伤亡，但其影响却很大，比如在国内晶片市场和保险市场方面。 昨日（12月19日），有险企人士向《每日经济新闻(微博)》记者透露，SK海力士大火报损约10亿美元，保险业估损将达9亿美元，这将是国内最大的一笔保险赔案。 据《中国保险报》此前报导，SK海力士5家承保公司中各自的份额分别为：现代保险占比50%，人保财险占比35%，大地保险、太平洋产险、乐爱金财险各占5%。 上述险企人士进一步介绍称，该案件各家保险公司基本上都办理了再保险，主要涉及的再保险公司包括：韩国再保险、瑞士再保险、慕尼黑再保险等，而这个案例会影响到直保和再保险财险公司的承保利润，同时也将会导致半导体行业来年费率以及再保险费率的上涨。 SK海力士大火的首席承保人是韩国现代财险，国内的人保财险和太平洋产险等13家公司都险都参与其中。SK海力士火灾的最终赔付金额已确认在9亿美元，这是国内保险史上的最大一笔理赔案。江苏省保监局保险财产保险监管处处长王雷介绍，现在的进展情况是正在运行之中，已经预付了大约3亿美金。13家大型保险公司都在为这起火灾承担赔付，这也将推高今年企业财产险的相关保费。 2018年5月31日，中国反垄断机构对三星、海力士、美光位于北京、上海、深圳的办公室展开突然调查，三大巨头有碍公平竞争的行为以及部分企业的举报推动了中国反垄断机构发起此次调查。 根据美光、三星、海力士财报统计，2017财年，三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。
修改了2018年的个别用词，现在虽然国际环境大变，没太多时间修改，先这样了。。。
我是韩国半导体博士，回国985高校教师，个人认为，说半导体几年内干掉韩国纯粹是给自己人希望而已，当然也要看怎么说。下面我简单的分析几点，详细的内容只有上我的课才会说^_^：
半导体产业做的好，最重要的是防震的实验室、高端设备、人才。韩国历史上没有自然灾害，也没地震，自称“上帝是韩国的”，国内难以找到这种地方；就算找到了，高端设备国外对中国禁运，中国能自己研发的话，那国产发动机早比国外牛了；国外的半导体人才都是学生亲自上手做实验，国内因为设备少且质量差，学生还多，所以干脆都是聘的工程师，硕士博士生很难亲自动手，设计的芯片很多都是纸上谈兵，也就搞个理论，真用的话没法用。还有个问题，韩国各大半导体公司基本免费给高校的学生代工，政府按照代工量给他们降税，这样，学生们设计的很复杂的芯片，不想自己动手的（有时一个工序自己做要10个月，最后可能还发现设计失误了），可以拿到与设计高度吻合的便宜芯片（2013年，0.18um工艺，5000元人民币左右），当然，这个政府支持在日本、中国台湾、欧洲都有，但大陆没有。
半导体产业如果真要大力发展，国家要做好既费钱又没成效的阶段，有好的团队且运气好的话，这个阶段大概十年，也就是找到了国外做的并不很好而且自己还有很巧妙可用的idea才行，半导体行业，在产品领域，一种产品基本只有一个公司是挣钱的，剩下的是怀着希望投钱干，但是，十年的过程中，领导2个任期都过了，这个工作没给他产生任何政绩，领导会大力支持么？
个人认为有一个解释方法是可以说马上超过韩国的，那就是中国台湾。韩国半导体卧薪尝胆20多年，终于在2000年后干死了日本，原因是日本地震厉害，实验室的造价是韩国的四倍（韩国的实验室价钱基本与所有设备之和持平），所以日本芯片成本高，被韩国的价格战干死了，临死前，日本首席经济大臣跟韩国进行了谈判，希望保留不到10分之一的半导体芯片公司，让韩国给个生路，因为他们希望技术能够延续下去。韩国答应了，结果日本随手就卖给了台湾，让台湾去报仇，正好赶上在2012年12月，韩国半导体领域发生了一件事，在济州岛开了个半导体全国会议（我也去了，我其实每年都去），这次会议成了一个里程碑，因为这次会上半导体相关的公司、高校、研究所聚在一起讨论了一个问题“10nm以下半导体工艺还继续研究不？”，主要是因为这个尺度量子效应渐渐明显，经典物理基础上的仿真计算都不能保证芯片可靠性了，需要从头研发的内容太多，造价太高，讨论结果是不干了。结果2015年，台积电10nm芯片一出，打了韩国棒子一个响亮的耳光，弯道超车了。当然，这只是工艺部分，在拓扑结构，存储，IC等设计领域，棒子依旧坚挺。
总的来说，希望不能丢，差距还是客观对待。很多科研大佬肯定要这么说，不然国家对这个绝望了的话，怎么给科研经费?反过来讲，科研经费不足，就更不可能追上了，最后芯片成为棒子的暴利产品。所以这些大佬这么说，也是为了国家发展不得已，我们还是要理解、谅解、支持。
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