什么是半导体功率器件

电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。

功率半导体器件通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上。

功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备。

扩展资料

电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。

80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。

80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管，以及各种组合器件，综合了晶闸管、 MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点，在性能上又有新的发展。

参考资料来源：百度百科-电力电子器件

IGBT叫绝缘栅双极晶体管。

IGBT可以简单理解成一种高性能的开关管，在很多需要变流的场所使用，比如变频器，电源电路等，一般电机控制环境使用比较多，讲白了，就是一个可以快速开启和断开电压电流的电子开关。

电磁炉之所以使用它，是因为电磁炉需要把普通的50HZ交流电，变成20-40KHZ的高频交流电，先把50HZ的交流电，整流成直流稳压滤波，然后通过IGBT去通断电流，这样让线圈上产生了高频的电流，进而实现了加热需要。

如果普通的继电器能实现这么快的高频开关动作，继电器也能完成这个功能，但是因为没有这么快，所以需要用IGBT来实现了，请关注容济点火器，可以进一步理解成一种特殊的三极管，从外形来看，单管IGBT也和一般的大功率三极管是非常像的。

扩展资料：

从内部结构来看，它也是利用双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）来改进组成的新型管子，这样它就具备了GTR的低导通压降和MOS管的高输入阻抗的优点了。

因为MOS管是电压驱动，功耗低，频率快，但是导通的压降比较大，整体载流密度低，而且耐压不高。GTR管子是电流驱动，载流密度高，但是饱和压降比较低了，综合起来后，IGBT就在变流上有了两种管子的优点，在一些高频高压场合得到广泛应用。

所以IGBT只是一个电子开关，只有通断两种状态，没有放到的功能，它靠的是控制栅源极的电压，只要两者之间的电压大于6伏，一般是12-15伏，IGBT就会导通，两者之间没有电压（一般考虑干扰问题，需要加负压保护），IGBT就会关断。

参考资料来源：百度百科—IGBT

---