在掺杂的元素半导体Si、Ge中，一般情况下的主要散射机构是什么？

答：1) 对掺杂的Si、Ge，主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射；

2) 对III-V族化合物半导体，如GaAS，光学波散射也很重要，即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；

3) 电离杂质散射：τi∝Ni^(-1)T^(3/2),

声学波散射：τs∝T^(-3/2),

光学波散射：τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]

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你说的名词表示没听过，但是我的理解：根据电子波粒二象性，电子波长代表电子的能量，波长越短能量越大，而电势线的密度（势场线度？）表示了电场强度，电势线越密集的地方电场强度越大，电子被库伦散射的实质是电子的动能转化为了电势能，所以只有电势能和电子动能同量级时才会发生有效的散射。

在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关？迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关。迁移率=电荷量乘自由时间×有效质量。平均自由时间是指载流子受晶格两次散射中间的时间,即外电场下自由加速的时间。迁移率是单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。迁移率与载流子的有效质量和散射概率成反比。载流子的有效质量与材料有关，不同的半导体中电子有不同的有效质量。如硅中电子的有效质量为0.5m0（m0是自由电子质量），砷化镓中电子的有效质量为0.07m0。空穴分重空穴和轻空穴，它们具有与电子不同的有效质量。半导体中载流子在低温下主要受到缺陷和杂质的散射，高温下主要受到由原子晶格振动产生的声子的散射。散射越强，迁移率越低。

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