半导体是怎么可以 两种以上的材料合在一起 成为一个芯片？

首先纠正基本概念：“半导体绝对不是两种以上材料合在一起成为一个芯片”，正确是“半导体以极纯化的单晶硅为基材渗入少量纯化物质，再经过精准流程制造出晶圆，再由复杂工序制成芯片”。

务必接受这个概念才能进一步理解。

有源区和金属的连接工艺：现有半导体器件的结构一般包含半导体衬底、位于半导体衬底中的有源区、位于半导体衬底上方的金属层(金属布线层或引出电极)以及位于半导体衬底与金属层之间的绝缘介质层。绝缘介质层中还设有贯穿孔，贯穿孔内填充有钛、氮化钛、钨等导电材料，以实现有源区与金属层之间的电连接。在此种半导体结构中，半导体衬底与金属层之间往往会形成一个寄生的mos电容。寄生电容的大小由绝缘介质层的厚度、绝缘介质层的介电常数和金属层的面积决定。当寄生电容大到一定程度，会影响半导体器件的频率响应等参数，使产品性能下降。

这个课题太大!因为涉及半导体材料的泛范围太广了!简单地说:以半导体材料及衍生材料为主体的各种工艺研发和制造都称为半导体工艺!半导体:顾名思义!就是导电率介于导体和绝缘体之间的金属及非金属材料!常见的硅,锗,都属于此类!

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