英特尔cpu制作工艺都是22纳米吗？

  自从2007年提出Tick-Tock钟摆战略之后，Intel在过去的四代智能处理器上都重复着隔年升级工艺和架构的规律，直到2014年的14nm上Intel“爽约”了，Broadwell原本应该在去年Q2季度发布，不过14nm工艺实际上是今年才规模量产。14nm工艺之后将进入10nm节点，转变过程还会更慢，Intel预计会在2017年早些时候才能问世。

 半导体制程达到10nm之后已经快接近硅基半导体的物理极限了，制造难度越来越大，成本和风险都在提高。如果按照Intel前两年的估计，10nm工艺其实应该是2015年也就是今年开始试产了，但Intel在14nm工艺上已经栽过跟头——14nm 3D晶体管技术不成熟，良率不行，以致于不断延期。上个月的财报会议上，Intel CEO科赞奇对10nm工艺的表态也谨慎多了，并没有透露10nm工艺合适量产。

  Intel中东、北非地区的总经理Taha Khalifa日前在接受采访时谈到了这个问题，他表示“过去的40多年中Intel一直在追随摩尔定律，它也成为了Intel技术创新的核心。10nm工艺芯片预计在2017年早些时候问世。”

  2017年离现在还有2年多点时间，Intel首款10nm工艺的芯片代号Cannonlake，主要取代今年的Skylake处理器，搭配200系列芯片组，此前的预计是在2016年推出，现在看来不可能了。

  至于今年，Intel的主要精力还是解决14nm工艺处理器，由于Broadwell延期，2015年Intel会同时推出两代14nm工艺的处理器——Broadwell和Skylake，二者架构不同，接口不同，使用的芯片组和内存也不同，Intel可得好好处理下这二者的关系了，否则年中到年末的一段时间，玩家面对多种选择可要头疼了。

你所说的这些尺寸，是半导体工艺中的特征尺寸。在数字电路中，晶体管的栅极走线是最细的，所以用栅极线宽来衡量每一代的水平。理论山，每一代之间本着0.7的比例进行缩小。Intel一直是秉承0.7比例的厂家。而世界第一大Fab——台积电（TSMC）和Intel相比，自90nm之后，会有一个过渡代。特征尺寸并没有行业标准，大家都是在朝更小的方向去做。在数字逻辑电路中，1nm的性能提升很有限。所以，TSMC的28nm工艺和Intel的32nm工艺是在同一代的，尽管28nm看似小于32nm。

另外，在半导体存储器领域，也有特征尺寸，并不是按照0.7的比例缩小的。而且Flash中的晶体管是浮栅管。所以，NAND Flash芯片的制程工艺可比CPU混乱多了。因为我们更关注Flash芯片的单位面积成本，所以哪怕缩小1nm，也能带来成本的下降。你所看见的19nm应该就是英特尔镁光（IMFT）或者SAMSUNG用在Flash芯片上的。

现在关于硅基CMOS数字电路的制程极限，认为在5nm左右。事实上，早在1、2年前，CMOS逻辑的制程发展就已经变得很困难了。目前Intel的Roadmap上，还是能看见9nm产品的计划的。

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