
n-type和p-type半导体区别为:是多数载流子不同、导电效果不同、常温电导率不同。
一、是多数载流子不同
1、n-type半导体:n-type半导体的多数载流子是电子。
2、p-type半导体:p-type半导体的多数载流子是空穴。
二、高温导电效果不同
1、n-type半导体:在相同高温温度下,n-type半导体的电子更活跃,导电效果比p-type半导体的导电效果要好。
2、p-type半导体:在相同高温温度下,p-type半导体的电子更惰性,导电效果比n-type半导体的导电效果要差。
三、常温电导率不同
1、n-type半导体:在相同常温温度下,n-type半导体的电子更惰性,电导率比p-type半导体的电导率要差。
2、p-type半导体:在相同常温温度下,p-type半导体的电子更活跃,电导率比n-type半导体的电导率要好。
type: 类型normal zener voltage: 正常齐纳电压
zener test current: 齐纳测试电流
maximum zener impedance: 最大齐纳阻抗
typical temperature Coefficient: 典型温度系数
maximum reverse leakage current: 最大反向漏电流
maximum regulator current: 最大整流电流
下面的就是单位了, 分别是: volts, 伏特mA 毫安Ohms 欧姆%/C., 百分点/摄氏度μA 微安
一楼是对的,是Positive - Negative junction。 P-type semiconductor就是空穴型半导体(Positive-type semiconductor),N-type semiconductor就是电子型半导体(Negative-type semiconductor),两种半导体合起来就是一个最简单的PN结,又叫diode(二极管)。不叫“正性半导体和负性半导体”。二楼没有在教科书上面看到过,是因为这种理论已经是常识了,现在书上几乎都不写了,不过老的教科书上还有。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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