半导体器件课后作业的两道题，那位专家能解答一下~~貌似给出的选项是矛盾的。。。。

两题都是围绕 爱因斯坦方程 D/u = KT/q 展开的D 载流子（电子或空穴）扩散系数，u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数。常温下（20摄氏度293k） KT/q=0.026ev 这个要记住，常用第一题 0.026*1500=39，常温下为39400k下用比例计算最方便，应为扩散系数与温度正比，X/39=400/293，X=53这个53是精确值，题目的52是常温按照300k来计算的，你可以自己试试看哦第二题一个道理，先计算常温时的迁移率，39/X=0.026（又用到了，只要记住，非常方便），X=1500这回迁移率和温度反比，我们用300k来计算，1500/Y=400/300 ，Y=1125通过这两个题我想你一定就掌握爱因斯坦方程的运用了吧~~

这个可以用作图法

用这个公式

在excel里做个图

with respect to the valence band energy level的意思是，根据价带和导带的能级写出费米能级

因为你计算得到的都是费米能级和导带或者禁带的差值，必须用实际的导带或者禁带的值减去或者加上这个差值才是实际的值

很不错。海思半导体背靠着华为这个大树就已经决定了它比一般的半导体企业过的舒服，背靠大树给了它可以犯错（企业不犯错是不可能的事儿）的资本。

而且海思半导体的人也很争气，比如安防领域海思半导体就对外销售芯片而且市场还不错。

要是能更近一步，离开ARM独立从根发展一套，对中国将是很大的一件功劳！

---