
非晶形半导体, 无定形半导体
binary semiconductor
二元(化合物)半导体
compensated semiconductor
补偿半导体
complementary symmetry metal oxide semiconductor
互补对称金属氧化物半导体
compound semiconductor
化合物半导体
covalent semiconductor
共价半导体
defective semiconductor
不良半导体, 有缺陷半导体
degeneracy semiconductor
简并半导体
degenerate semiconductor
简并半导体
deplete semiconductor
耗尽型半导体, 贫乏型 半导体
depleting-layer semiconductor
耗尽层半导体
direct band-gap semiconductor
直接跃迁半导体
direct-gap semiconductor
直接带隙半导体
element semiconductor
单质半导体, 元素半导体
excess semiconductor
过剩半导体
fused semiconductor
熔凝半导体
gallium arsenide semiconductor
呻化镓半导体
gas sensory semiconductor
气敏半导体
indirect gap semiconductor
间接能隙半导体
inhomoge-neoussemiconductor
不均匀半导体
integratedsemiconductor
集成半导体
intermetallic semiconductor
金属间半导体
intrinsic semiconductor
本征半导体, 纯半导体, 无杂质半导体
liquid semiconductor
易变半导体
magnetic semiconductor
磁性半导体
many-valley semiconductor
(有多谷形能带的)多谷型半导体
metal-oxide semiconductor
金属氧化物半导体
mixed semiconductor
混合半导体
monoatomic semiconductor
单质半导体
non-polar semiconductor
非极性半导体
oxidation type semiconductor
氧化型半导体
oxide semiconductor
氧化物半导体
photosensitive semiconductor
光敏半导体
piezoelectric semiconductor
压电半导体
plastic semiconductor
半导体塑料
polar semiconductor
极性半导体
polymer semiconductor
聚合半导体
power semiconductor
功率半导体器件
proper semiconductor
固有半导体, 本征半导体
pure semiconductor
纯半导体, 本征半导体
reduction type semiconductor
还原型半导体
ternary semiconductor
三元化合物半导体
半导体的材料:常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化镓、磷化镓等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
半导体的作用:
(1)集成电路 它是半导体技术发展中最活跃的一个领域,已发展到大规模集成的阶段。在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管,可在一片硅片上制成一台微信息处理器,或完成其它较复杂的电路功能。集成电路的发展方向是实现更高的集成度和微功耗,并使信息处理速度达到微微秒级。
(2)微波器件 半导体微波器件包括接收、控制和发射器件等。毫米波段以下的接收器件已广泛使用。在厘米波段,发射器件的功率已达到数瓦,人们正在通过研制新器件、发展新技术来获得更大的输出功率。
(3)光电子器件 半导体发光、摄象器件和激光器件的发展使光电子器件成为一个重要的领域。它们的应用范围主要是:光通信、数码显示、图象接收、光集成等。
半导体的特点:
(1)电阻率的变化受杂质含量的影响极大。例如,硅中只含有亿分之一的硼,电阻率就会下降到原来的千分之一。如果所含杂质的类型不同,导电类型也不同。由此可见,半导体的导电性与所含的微量杂质有着非常密切的关系。
(2)电阻率受外界条件(如热、光等)的影响很大。温度升高或受光照射时均可使电阻率迅速下降。一些特殊的半导体在电场或磁场的作用下,电阻率也会发生改变。
拓展:半导体的未来发展
以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,其研究开发呈现出日新月异的发展势态。GaN基光电器件中,蓝色发光二极管LED率先实现商品化生产 成功开发蓝光LED和LD之后,科研方向转移到GaN紫外光探测器上 GaN材料在微波功率方面也有相当大的应用市场。氮化镓半导体开关被誉为半导体芯片设计上一个新的里程碑。美国佛罗里达大学的科学家已经开发出一种可用于制造新型电子开关的重要器件,这种电子开关可以提供平稳、无间断电源。
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