綦江区桥河有哪些电子厂

贝特瑞克（重庆）半导体有限公司、重庆中微半导体科技有限公司、重庆泓睿芯科技股份有限公司等。

1、贝特瑞克（重庆）半导体有限公司：成立于2005年，是一家专注于LED芯片、晶元及其封装产品技术开发与生产的半导体企业。

2、重庆中微半导体科技有限公司：成立于2011年，是一家集芯片设计、制造和封装测试为一体的半导体企业，主要产品是嵌入式非易失性存储器。

3、重庆泓睿芯科技股份有限公司：成立于2006年，是一家集集成电路设计、制造及销售为一体的高科技企业，主营产品包括模拟集成电路、数字集成电路、以及智能传感器等。

中国氮化镓生产十大企业如下：

1、中国苏州能讯

2007年成立，能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。

产品：氮化镓射频功率晶体管、无线通信氮化镓射频功放管、氮化镓HEMT管。

芯技术和应用：能讯氮化镓功放管产品在宽带信号下输出高效率和高增益，应用简单，适合LTE、4G、5G等移动通信的超宽带功放应用。

氮化镓HEMT管芯可支持客户DC-6GHz以内的超宽带应用，功率密度、效率及可靠性业内领先，适合应用于紧凑型射频放大模块、通用或个人通讯子系统。

2、苏州晶湛

2012年成立，位于苏州纳米城，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。 截至目前，晶湛半导体已完成A+轮融资，用于扩大生产规模。

产品：GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-Sapphire。

技术及应用：硅基、蓝宝石基和碳化硅基氮化镓外延片产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。应用于微波射频和电力电子领域；目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。

3、珠海英诺赛科

成立于2015年12月，引进美国英诺赛科公司SGOS技术。

产品：单管GaN FET，半桥GaN FET、GaN IC。

技术及应用：8英寸硅基氮化镓产业化平台，具有完善的氮化镓外延生长、无金硅CMOS兼容工艺制造、自有可靠性测试与失效分析能力。应用于激光雷达、无线充电和快充、数据中心、5G通信、人工智能、新能源汽车。

4、重庆华润微

2000年成立，以销售额计，公司是2018年前十大中国半导体企业中唯一一家以IDM模式为主运营的半导体企业。

产品：8英寸硅基氮化镓生产线，国内首个8英寸600V/10A GaN功率器件产品技术及应用：聚焦于功率半导体、智能传感器领域，为客户提供系列化的半导体产品与服务。

5、杭州士兰微

成立于1997年9月，总部在中国杭州。

2003年上市产品：国内知名IDM企业，建设6英寸硅基氮化镓功率器件中试线。

6、重庆聚力成

2018年9月成立，于重庆市大足区建设硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片基地。

产品：GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延晶圆材料、GaN功率器件。

技术及应用：目前，GLC於重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段，整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线。

7、台湾积体电路制造

成立于1987年，2019年，台积公司及其子公司所拥有及管理的年产能超过一千二百万片十二吋晶圆约当量。

产品技术：6英寸的GaN-on- Si。

8、三安集团

于2000年11月成立，坐落于厦门。

产品：650V 0.5um GaN/Si，200V/100V0.5um GaN/Si。

技术及应用：三安集成的氮化镓（GaN）E-HEMT技术服务于消费者和工业应用，如适配器／充电器，电信／服务器smp，无线电源，车载充电器（OBC)和成本有效的解决方案。

9、苏州捷芯威

成立于2013年，海外归国人员创办于苏州工业园区，捷芯威子公司在氮化镓电力电子技术领域，拥有百余项国内外发明专利。专利布局包括材料、器件、工艺和应用；区域覆盖中国、美国、欧洲、日本等。

产品：硅基氮化镓电力电子器件、蓝宝石基氮化镓电力电子器件技术及应用：650V GaN FET，其BVds≥650V，Ids＞10A，导通电阻Ron＜0.15Ω。可以应用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、无线电能传输、电源适配器、无线电源和快充领域。

单管耐压超过2000V的蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件，单管耐压2000V，开态时导通电阻低于1Ω，且关态时漏电低于1uA/mm。

10、大连芯冠

2016年3月17日成立于大连高新区，公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式。

产品：硅基氮化镓外延片、硅基氮化镓电力电子器件。

技术及应用：已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。

第1名：歌尔声学

歌尔声学股份有限公司成立于2001年6月，2008年5月在深圳证券交易所成功上市。主营业务为电声器件、电子配件和LED封装及相关产品的研发、生产和销售，主要为全球顶级厂商提供产品与服务，客户涵盖三星、LG、松下、索尼、谷歌、微软、缤特力、思科等。

第2名：大华股份

浙江大华技术股份有限公司是领先的监控产品供应商和解决方案服务商，2008年5月成功在A股上市。

第3名：航天电子

航天时代电子技术股份有限公司(简称航天电子)是中国航天科技集团公司旗下从事航天电子测控、航天电子对抗、航天制导、航天电子元器件专业的高科技上市公司。其子公司长征火箭技术股份有限公司生产磁致伸缩位移传感器。

第4名：华天科技

天水华天科技股份有限公司成立于2003年12月，2007年11月公司股票在深圳证券交易所成功发行上市。华天科技主要从事半导体集成电路、MEMS传感器、半导体元器件的封装测试业务。

第5名：东风科技

东风电子科技股份有限公司，是以汽车零部件研发、制造、销售为主业的上市公司。控股股东为东风汽车有限公司，占公司总股本的75%。公司创立于1997年6月，由原东风汽车公司仪表公司改制组建东风汽车电子仪表股份有限公司，同年7月3日在上海证券交易所挂牌上市。

第6名：航天机电

上海航天汽车机电股份有限公司(简称“航天机电”)成立于1998年5月28日，是上海航天工业总公司、上海舒乐电器总厂(现更名为上海航天有线电厂)、上海新光电讯厂和上海仪表厂(现更名为上海仪表厂有限责任公司)等四家企业依托航天高科技优势共同发起，以募集设立方式设立的股份(上市)有限公司。

第7名：通鼎互联

通鼎集团有限公司创建于1999年，占地2100多亩，总资产118亿元，是专业从事通信用光纤光缆、通信电缆、铁路信号电缆、城市轨道交通电缆、RF电缆、特种光电缆、光器件和机电通信设备等产品的研发、生产、销售和工程服务，并涉足房地产、金融等多元领域的国家级优秀民营企业集团。

第8名：华工科技

华工科技成立于1999年7月28日，2000年在深圳证券交易所上市，是华中地区第一家由高校产业重组上市的高科技公司，其下属有华工激光、华工正源、华工高理、华工图像、海恒化诚等企业。

第9名：科陆电子

深圳市科陆电子科技股份有限公司成立于1996年，于2007年3月在深交所挂牌上市。科陆电子主营电工仪器仪表与电力自动化，生产温度传感器压力传感器、液位传感器、位移传感器、流量开关传感器、速度传感器、称重传感器等。

第10名：士兰微

杭州士兰微电子股份有限公司(以下简称士兰微)1997年成立，是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，公司现在的主要产品是集成电路和半导体产品。

扩展资料：

传感器相关的现行国家标准

GB/T 14479-1993 传感器图用图形符号

GB/T 15478-1995 压力传感器性能试验方法

GB/T 15768-1995 电容式湿敏元件与湿度传感器总规范

GB/T 15865-1995 摄像机(PAL/SECAM/NTSC)测量方法第1部分:非广播单传感器摄像机

GB/T 13823.17-1996 振动与冲击传感器的校准方法声灵敏度测试

GB/T 18459-2001 传感器主要静态性能指标计算方法

GB/T 18806-2002 电阻应变式压力传感器总规范

GB/T 18858.2-2002 低压开关设备和控制设备控制器-设备接口(CDI) 第2部分:执行器传感器接口(AS-i)

GB/T 18901.1-2002 光纤传感器第1部分:总规范

GB/T 19801-2005 无损检测声发射检测声发射传感器的二级校准

GB/T 7665-2005 传感器通用术语

GB/T 7666-2005 传感器命名法及代号

GB/T 11349.1-2006 振动与冲击机械导纳的试验确定第1部分：基本定义与传感器

GB/T 20521-2006 半导体器件第14-1部分: 半导体传感器-总则和分类

GB/T 14048.15-2006 低压开关设备和控制设备第5-6部分：控制电路电器和开关元件-接近传感器和开关放大器的DC接口（NAMUR）

GB/T 20522-2006 半导体器件第14-3部分: 半导体传感器-压力传感器

GB/T 20485.11-2006 振动与冲击传感器校准方法第11部分：激光干涉法振动绝对校准

GB/T 20339-2006 农业拖拉机和机械固定在拖拉机上的传感器联接装置技术规范

GB/T 20485.21-2007 振动与冲击传感器校准方法第21部分：振动比较法校准

GB/T 20485.13-2007 振动与冲击传感器校准方法第13部分: 激光干涉法冲击绝对校准

GB/T 13606-2007 土工试验仪器岩土工程仪器振弦式传感器通用技术条件

GB/T 21529-2008 塑料薄膜和薄片水蒸气透过率的测定电解传感器法

GB/T 20485.1-2008 振动与冲击传感器校准方法第1部分: 基本概念

GB/T 20485.12-2008 振动与冲击传感器校准方法第12部分：互易法振动绝对校准

GB/T 20485.22-2008 振动与冲击传感器校准方法第22部分：冲击比较法校准

GB/T 7551-2008 称重传感器

GB 4793.2-2008 测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第2部分：电工测量和试验用手持和手 *** 电流传感器的特殊要求

GB/T 13823.20-2008 振动与冲击传感器校准方法加速度计谐振测试通用方法

GB/T 13823.19-2008 振动与冲击传感器的校准方法地球重力法校准

GB/T 25110.1-2010 工业自动化系统与集成工业应用中的分布式安装第1部分：传感器和执行器

GB/T 20485.15-2010 振动与冲击传感器校准方法第15部分：激光干涉法角振动绝对校准

GB/T 26807-2011 硅压阻式动态压力传感器

GB/T 20485.31-2011 振动与冲击传感器的校准方法第31部分：横向振动灵敏度测试

GB/T 13823.4-1992 振动与冲击传感器的校准方法磁灵敏度测试

GB/T 13823.5-1992 振动与冲击传感器的校准方法安装力矩灵敏度测试

GB/T 13823.6-1992 振动与冲击传感器的校准方法基座应变灵敏度测试

GB/T 13823.8-1994 振动与冲击传感器的校准方法横向振动灵敏度测试

GB/T 13823.9-1994 振动与冲击传感器的校准方法横向冲击灵敏度测试

GB/T 13823.12-1995 振动与冲击传感器的校准方法安装在钢块上的无阻尼加速度计共振频率测试

GB/T 13823.14-1995 振动与冲击传感器的校准方法离心机法一次校准

GB/T 13823.15-1995 振动与冲击传感器的校准方法瞬变温度灵敏度测试法

GB/T 13823.16-1995 振动与冲击传感器的校准方法温度响应比较测试法

GB/T 13866-1992 振动与冲击测量描述惯性式传感器特性的规定

参考资料来源：百度百科-传感器 （检测装置）

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