半导体的带隙越大越好还是越小越好

越大越好。宽带隙半导体，是指室温下带隙大于2.0电子伏特的半导体材料。从物理学上带隙越宽，其物理化学性质就越稳定，抗辐射性能越好，寿命越长，与此相对应，带隙宽的一个缺点是这种材料对太阳光的吸收较少，光电转换效率低。

一般来说宽度的大小能够决定本征载流子的浓度，从而决定了电阻率，也就是导电能力强弱wuxm0618(站内联系TA)只能说明本征材料的导电能力很弱，在有杂质或者缺陷的情况下可能还是有好的导电性能。混沌学徒(站内联系TA)带隙越窄越接近金属吧，越宽就越接近绝缘体回归2011(站内联系TA)紫外漫反射边通过F(R)hv2对hv作图，通过紫外可以测试半导体的带隙，这种称之为光学带隙，一般论文里都是这样做的。而氧化铜确实是一种半导体薄膜。氧化亚铜也是。均可以作为薄膜太阳能电池材料，尽管效率比较低。

这个不是一定的，半导体的电阻除了要看材料本身还有外界环境的影响。有的在半导体中掺入杂质就可以增加或减小其电阻，还有的在低温时电阻很小，温度越高电阻越大，达到一定温度时电阻几乎无限大了。

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