0.1nm！央视宣布好消息：EUV光刻机最后的一片拼图

EUV光刻机号可以说是人类工业史上的皇冠，其内部的零部件就达到了10万颗，背后还有5000多家供应商，所以说，单凭一个国家的 科技 水准，是很难制造出完整EUV光刻机的。

谈到光刻机就肯定避免不了芯片，当下芯片领域的发展一直是全球关注的重点，光刻机作为芯片制造的基础，一直是我国难以跨越的鸿沟，尤其是在高端光刻机方面，但是好在是EUV光刻机虽然难度大，哪怕是ASML公司也是集合各家所厂研发而成，这样一来，在一定程度上完成逐一突破便也有了可能。

说到这，就必须要提到EUV光刻机的三大核心组件：双工件台系统、EUV光源系统、EUV光学镜头

不过功夫不负有心人，我国在光刻机领域终有所进展

此前，关于双工作台组件，清华大学与北京华卓精科合作，已经实现了65nm工艺光刻机需求的双工件台样机。这一突破也表示，我们成功打破了ASML公司在双工件台上的技术垄断，实现了自主研发生产。

另外一个用于EUV光刻机设备的EUV光源，同样也是清华大学率先破局！

据“央视新闻联播”报道，由国家发改委立项支持、中科院高能物理研究院承建，国内首台高能同步辐射光源科研设备于2021年6月28日上午安装。与此同时，负责为这台光源设备提供技术研发与测试支撑能力的先进光源技术研发与测试平台启动试运行

此外，中科科仪旗下的中科科美也传来佳讯，其研制的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置于2021年6月28日正式投入使用。央视新闻联播对此也做出报道。

正所谓好事成双，关于这两项重大突破，可能不少人还是一头雾水。笔者尽量简洁明了地概述一下。

其一，中科院的高能光源设备是全球最亮的光源之一，在实现设备安装之后，也让中国在光源技术上有了深厚的积累。对国产光刻机的意义也是十分重大的，如果用在高端光刻机上，解决光源问题，避免国外依赖，那么在国内自主光刻机产业中将取得更大的话语权。并且在此项设备建好并安装完成之后，将成为国内首台高能量辐射光源、全球亮度最高的第四代光源之一，为很多重要的科研领域提供了最基本的技术支撑。

这是中国首次研制出高能量同步辐射光源，也是全球亮度最高的第四代同步辐射光源之一。

而且为了提高光源的精度和质量，中科院还专门配套研究了一个真空镀膜设备，可以将光学镀膜的厚度降低到0.1nm以内，能达到什么程度呢？实现0.1nm（100皮米）以内的真空纳米镀膜，要知道ASML的EUV光刻机都是德国0.蔡司提供的光刻机镜头，而蔡司公司也只有20多个工程师达到该水准。

也就是说，中科院的光学镀膜水平已经达到了世界前列，再加上第四代辐射光源的支持，国内要不了多久就能全面攻克EUV光刻机。

写在最后

伴随国家对半导体行业的重视，国产厂商在半导体领域中实现了许多从无到有的突破。照此趋势下去，相信我们距离实现先进制程芯片自主化生产的目标已经不远了。祝愿国产半导体厂商能够愈发强大，早日解决半导体核心技术卡脖子的问题，在半导体领域中所向披靡。

有志者，事竟成，相信随着中国科学家，科研人员的不断研究，还会取得更多项技术的攻克。

光刻机只是生产芯片的一部分设备，虽然实现了这部分某些技术领域的突破，但要想打通全产业链的自给自足，仍需要努力前行。美国的光源技术，德国的光学系统都处于世界顶尖水准。

但不管有多大的困难，中国都不会放弃自研，国产光刻机一定能迎来最终的崛起。

值得去。

1、厦门云天半导体科技有限公司成立于2018年07月03日，经营范围包括其他未列明科技推广和应用服务业；半导体分立器件制造；集成电路制造等，根据该公司招聘信息可知，公司员工月薪为1万元左右，工资待遇非常的高。

2、该公司不会强制员工加班，员工的自由程度非常的高，工作也不会太过劳累，所以非常值得去。

国务院发布的《“十三五”国家科技创新规划》中，第三代半导体被列为国家面向2030年重大项目之一。厦门市也把第三代半导体产业列入着力培育的具有发展潜力的十大未来产业。近年来在中央和各地政府出台政策的大力支持下，以及伴随新能源、智能制造、人工智能、5G通信等现代产业兴起所带来的庞大市场需求的推动下，一大批行业龙头企业近年来纷纷展开大规模投资，以期赢得发展先机。目前国内厂商在第三代半导体有全产业链的布局，产业已呈现快速发展势头。

夯实第三代半导体产业基础

虽然第三代半导体有着诸多优异的性能，但它也不是“万用神丹”。例如，智能手机中的处理器、电脑中的CPU等，从目前看不太有可能换为第三代半导体材料，至少在相当长的时间里第三代半导体还不可能完全取代前两代。

第三代半导体是以宽禁带为标志，决定了它的制造难度不可能比前两代低，暂且不说它能否制成各种功能的替代芯片，就是生产同样功能的器件，第三代半导体对制造工艺和设备的要求也不可能更低，成本也难以更低。

第三代半导体无论是单晶生长、外延层生长还是器件制造，目前处于领先地位仍是美国、欧洲、日本。况且许多基础的半导体工艺技术是相通的，无论哪一代半导体都需要，而在这些基础方面人家比我们强，想跳过或绕过这些薄弱点弯道超车或换道超车，是不太现实且有风险的。

产业的发展有其自然规律，我们可以通过政策、资金等推动加快发展，而不应是光想着跳过、绕过或其他取巧的方式。要改变我们在半导体芯片方面的被动局面，光靠第三代半导体是不够的，更不是一朝一夕就能实现的，需要上游的材料和设备，中游的芯片设计、制造和封测，下游的应用等全产业链较长时期的共同努力，补上我们在半导体基础技术、工艺、设备等方面的短板，夯实基础，才有可能实现在第三代半导体突破性发展。

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