半导体和电阻的区别

1、半导体通常是指导电率介于导体与绝缘体之间的材料。

电导率的范围是：10^(-8)→10³ （西门子/厘米）

也就是应用了它们的半导电性。

2、半导体是现代电子仪器的最基本的材料，这些仪器包括：无线电、电脑、电话等等。

3、半导体器件包括各种二极管、三极管、太阳能电池、硅控放大器、数字电路、集成电路等等。

4、电导率低于10^(-8)西门子/厘米）的材料称为绝缘体。

电导率高于10³(西门子/厘米）的材料成为导体。

所有的导体都有大量的自由电子。

5、电阻是指导体内阻碍电流流动的能力，电阻率越大，阻碍电流的能力就越强。电导率的倒数就是电阻率。

6、任何导体、半导体、绝缘体，都有或多或少的阻碍电流的能力，电阻率不可能为零，在超低温下，电阻率趋向于0.

7、任何消耗电能的器件，包括导线都有电阻。

8、汉语中的电阻概念比较笼统，英语中有明确区分：Resistor = 电阻器；Resistance = 电阻值；Resistivity = 电阻率。通常我们将电阻器与电阻值混为一谈，都称为电阻。任何用电器都是电阻器，任何导线本身也是电阻器。导线消耗电能，降低电压，所以，我们需要变压器升高电压，保持正常的工作电压。但是经过变压器之后，电流强度就下降了。导线自然是导体，功能是导电，是尽可能的减低传输过程中的能量损失。用电器是将电能转换成其他能量的转换器，要的就是消耗电能，转化成其他能量。

9、实验室的电阻器完全是消耗电能的元件，并非将电能转换成其他能量。它的功用只是用于控制实验时的电流强度、分出去的电压(可变电阻可做分压器)符合实验的要求，以便实验顺利进行。

电导率，物理学概念，指在介质中该量与电场强度之积等于传导电流密度，也可以称为导电率。对于各向同性介质，电导率是标量；对于各向异性介质，电导率是张量。电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种物质所制成的原件（常温下20°C）的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质的电阻率。电阻率与导体的长度、横截面积等因素无关，是导体材料本身的电学性质，由导体的材料决定，且与温度有关。电阻的英文名称为resistance，通常缩写为R，它是导体的一种基本性质，与导体的尺寸、材料、温度有关。欧姆定律指出电压、电流和电阻三者之间的关系为I=U/R，亦即R=U/I。电阻的基本单位是欧姆，用希腊字母“Ω”来表示。通常“电阻”有两重含义，一种是物理学上的“电阻”这个物理量，另一个指的是电阻这种电子元件。电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻的主要物理特征是变电能为热能，也可说它是一个耗能元件，电流经过它就产生内能。电阻在电路中通常起分压、分流的作用。对信号来说，交流与直流信号都可以通过电阻1、半导体通常是指导电率介于导体与绝缘体之间的材料.电导率的范围是：10^(-8)→10³ （西门子/厘米）也就是应用了它们的半导电性.2、半导体是现代电子仪器的最基本的材料,这些仪器包括：无线电、电脑、电话等等.3、半导体器件包括各种二极管、三极管、太阳能电池、硅控放大器、数字电路、集成电路等等.4、电导率低于10^(-8)西门子/厘米）的材料称为绝缘体.电导率高于10³(西门子/厘米）的材料成为导体.所有的导体都有大量的自由电子.5、电阻是指导体内阻碍电流流动的能力,电阻率越大,阻碍电流的能力就越强.电导率的倒数就是电阻率.6、任何导体、半导体、绝缘体,都有或多或少的阻碍电流的能力,电阻率不可能为零,在超低温下,电阻率趋向于0.7、任何消耗电能的器件,包括导线都有电阻.8、汉语中的电阻概念比较笼统,英语中有明确区分：Resistor = 电阻器；Resistance = 电阻值；Resistivity = 电阻率.通常我们将电阻器与电阻值混为一谈,都称为电阻.任何用电器都是电阻器,任何导线本身也是电阻器.导线消耗电能,降低电压,所以,我们需要变压器升高电压,保持正常的工作电压.但是经过变压器之后,电流强度就下降了.导线自然是导体,功能是导电,是尽可能的减低传输过程中的能量损失.用电器是将电能转换成其他能量的转换器,要的就是消耗电能,转化成其他能量.9、实验室的电阻器完全是消耗电能的元件,并非将电能转换成其他能量.它的功用只是用于控制实验时的电流强度、分出去的电压(可变电阻可做分压器)符合实验的要求,以便实验顺利进行./半导体的电导率，电阻率和电阻有什么区别和联系

一、半导体基本概念

1、半导体及其导电性能

根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。

半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。

半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性，这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能

本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时，本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象

当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。

游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理

自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。

5、杂质半导体

掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是半导体器件的基本材料。在本征半导体中掺入五价元素（如磷），就形成N型（电子型）半导体；掺入三价元素（如硼、镓、铟等）就形成P型（空穴型）半导体。杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和温度有关，掺杂浓度越大、温度越高，其导电能力越强。

在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

多子（自由电子）的数量＝正离子数＋少子（空穴）的

数量

在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

多子（空穴）的数量＝负离子数＋少子（自由电子）的

数量

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