什么是半导体的状态密度？

状态密度g（E）就是在能量为E的能带附近单位能量间隔内的量子态数。通俗的讲就是能容纳电子或空穴的个数。量子态密度乘以费米分布函数（量子态被电荷占据的概率）再从导带底到无穷大积分便可求的导带电子浓度。

态密度只是一个相对大的概念，态密度包括能态密度和电子态密度。态密度就是能量E-E+△E间隔内的态，简单地说就是E附近单位能量间隔内的态数目N（E），知道E带入N(E)函数就求出E附近的态数目。相应的能态密度就是用能级E（k）来求，相信你也会求。一个能态就是一个能级，每个能级包含两个量子态，每个量子态容纳一个电子，所以一个能态有两个电子态，能态密度的2倍是电子态密度。 我是从《半导体物理》理解的，以上只是个人见解。

态密度表示单位能量范围内(E~E+ΔE)的电子数目,从态密度(DOS)图中可以得到很多信息,例如成键信息、价带宽度、导带宽度、每个轨道对于总的态密度的贡献等。态密度可以说是在第一性原理计算当中最为重要的概念之一,不论是对于光电催化材料、半导体材料、凝聚态物理,所有的分析都离不开 DOS。

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