急求解一道半导体物理方面的题~谢谢了！望半导体物理方面牛人解答！

1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3)

2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV

3.为了得到肖特基结，要求P型半导体满足Wm<Ws,所以应选择Al，作为金属构成肖特基结。

4.金属一侧的势垒高度q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV

5.半导体一侧的势垒高度qVD=|Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV

我就不带入数据了。

算出电阻率E/j

电导率=1/电阻率=nqμ

然后就可以求出电子浓度n

可是题目中说的是一块n型半导体，那么不管你如何加外电场，内部的载流子分布是恒定的，不会随着位置而变化，因为要符合连续性方程。只有掺杂才会引起浓度变化。所以2、3问的就有些奇怪了

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