请体会是什么导致晶体中准连续的能级最后演化成一系列能带

答：

固体能带形基本原理相同

每原都特定电轨道（能级）由内外依1s2s,2p3s,3p,3d4s等原相互离电能限定些轨道；原相互靠近些轨道部发交叠电表现些原间共化运交叠程度越轨道电共化运越显著能级-原间距关系图知道间距变单原能级裂许能级些能级彼相互靠近形能带认些能级准连续

每能级能够容纳电数目限填满填满能级形能带叫满带满带间电几乎能移没填充电能带叫空带部填充叫部填充带两者能导电能带称允带允带间空隙叫禁带

于半导体其原间电占据系列低能级裂形满带没电填充高能级裂形空带半导体非满带才能导电称导带满带称价带导带低能级价带高能级两者差叫带隙半导体要导电则电要跨越带隙价带跃迁导带导带能提供电移空能级即能导电电跃迁则价带留带电孔洞形非满带价带导电些孔洞移称空穴本征半导体跃迁导带电数留空穴数基本相等两种都称载流

掺杂原价电数比半导体本身原价电数少能导带价带间引入杂质能级般比较靠近价带电容易价带跃迁至该能级价带形能移空穴参与导电掺杂原价电数比半导体本身原价电数则引入杂质能级般靠近导带能级电容易跃迁导带参与导电掺杂些杂质原原半导体本身电价带跃迁至导带外额外引起杂质能级与能带间电跃迁形两种额外机制前种掺杂形p型半导体种形n型半导体掺杂程度高（轻掺杂）条件载流浓度满足np=ni^2np表示掺杂热平衡载流电空穴浓度ni表示掺杂单载流浓度

于重掺杂情况发些变化杂质能充电离且形杂质能带于n型导带底附近基本填满；于p型价带顶附近基本空穴填满导电已经依靠电导带价带间跃迁直接依靠部填充导带价带

半导体parts异常下机原因分析如下：

1、封装失效，当管壳出现裂纹时就会发生封装失效。机械应力、热应力或封装材料与金属之间的热膨胀系数失配可使裂纹形成。当湿度较高或器件接触到焊剂、清洁剂等物质时，这些裂纹就成为潮气入侵管壳的通路。化学反应可使器件劣化，从而导致器件失效。

2、线键合失效，因大电流通过造成的热过应力、因键合不当造成的键合引线上的机械应力、键合引线与芯片之间的界面上的裂纹、硅的电迁移以及过大的键合压力都会造成引线键合失效。

3、芯片粘结失效，芯片与衬底之间接触不当可降低它们之间的导热性。因此，芯片会出现过热，从而导致应力加大和开裂，最终使器件失效。

4、体硅缺陷，有时候，晶体缺陷引起的故障或硅体材料中的杂质和玷污物的存在也会使器件失效。器件生产期间由扩散问题引起的工艺缺陷也会使器件失效。

5、氧化层缺陷静电放电和通过引线扩展的高压瞬变可使薄氧化层即绝缘体击穿，并导致器件失灵。氧化层的裂纹和或划痕以及氧化物中杂质的存在也能使器件失效。

6、铝的金属缺陷。

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