半导体布线的名称

半导体布线形成方法及装置、器件制造方法及装置和晶片的制作方法

技术领域：

本发明涉及半导体布线形成方法及装置、半导体器件制造方法及装置以及晶片，尤其涉及以在晶片上形成的沟内埋入的方式形成布线。

背景技术：

在VLSI领域中，实现了称为波纹装饰工艺的布线形成方法。通过该波纹装饰工艺在层间绝缘膜中形成接触孔、通孔(连接孔)等之后，通过在这些孔中填充铜，实现埋入层间绝缘膜中的布线系统。由此，得到布线无台阶、表面平坦化的IC，同时，以低电阻实现高可靠性的金属布线系统。

因此，在波纹装饰工艺中，通常，采用仅在层间绝缘膜中的布线沟等中填充铜的湿式镀。通过湿式镀，具有能在高长宽比的布线沟中填充铜的优点。

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

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