磁敏电阻，光敏电阻，热敏电阻的阻值如何变化

磁敏电阻:

沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体长度方向上就会发生电阻率增大的现象。一般来说磁敏电阻阻值随附加磁场大小增加而变大。

光敏电阻：

光敏电阻的制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。所以光敏电阻的阻值随光强增大而减小。

热敏电阻：

热敏电阻分为正温度系数热敏电阻器和负温度系数热敏电阻器。热敏电阻器的典型特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻器在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻器在温度越高时电阻值越低。

一般来说第二种热敏电阻比较常见既电阻在温度越高时电阻值越低。因为热敏电阻为半导体，所以表现的性能与金属导体很大差异，根据常识金属导体的电阻随温度变高而增大，而一般热敏电阻和金属导体相反。

因为在一定温度下，半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

半导体的五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

扩展资料

掺杂对半导体结构的影响：

1、掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶，而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。

2、掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主与受主。施主原子带来的价电子大多会与被掺杂的材料原子产生共价键，进而被束缚。

3、掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。

参考资料来源：百度百科-半导体

                      百度百科-半导体电阻率

---