P型.N型半导体各有什么特点？15

空穴型半导体又称P型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量的铟或铝，由于铟或铝原子最外层有3个电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高。对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主。Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。某些氧化物半导体，如氧化锌、五氧化二钽等，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度，这表现为更强的电子导电性。

P型，掺杂铝、硼、嫁等三价元素，成为空穴型半导体，性质为最外层有三个电子，与硅形成共价键，易得到一个电子。

N型，掺杂磷、锑、砷等五价元素，成为电子型半导体，性质为最外层有五个电子，与硅形成共价键，易失去一个电子。

当P-N结同时存在时，而N型的电子浓度大，向P型一侧移动，造成电子在P型材料富集，表现负电荷；同样，P型的空穴浓度大，向N型一侧移动，造成空穴在N型材料富集，表现正电荷；这样内建电场就形成。

在P-N结的内建电场作用下，N区在太阳能电池受光面时，P区的电子向N区运动，即受光面积累大量电子；P区在电池背光面，N区的空穴向P区运动，积累大量空穴。在电池受光、背光两面引出金属电极，并用互连带连接负载，用电表就能检测到有电流在负载上通过。

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