一直没弄明白佳能镜头分类efm,efs，都是用在哪些型号上的？

镜头的分别：

EF镜头，对应佳能单反，全幅残幅都可装。

EF-S镜头，只对应残幅单反，全幅不能用。

EF-M，对应EOSM无反（残幅）。

RF，对应EOSR无反（暂时只有全幅）。

佳能（Canon），是日本的一家全球领先的生产影像与信息产品的综合集团，从1937年成立以来，经过多年不懈的努力，佳能已将自己的业务全球化并扩展到各个领域。

佳能的产品系列共分布于三大领域：个人产品、办公设备和工业设备，主要产品包括照相机及镜头、数码相机、打印机、复印机、传真机、扫描仪、广播设备、医疗器材及半导体生产设备等。

佳能总部位于日本东京，并在美洲、欧洲、亚洲及日本设有4大区域性销售总部，在世界各地拥有子公司200家，雇员超过10万人。

发展历史：

2016年3月9日，日本东芝公司于召开董事会并最终决定将旗下东芝医疗系统公司出售给佳能公司，佳能公司提出的收购报价为7000亿日元(约合人民币405亿元)。

2018年9月5日，佳能正式发布EOS R系统、EOS R全画幅专微和RF镜头。

首先,电子在半导体中的能级是准连续的,可以近似认为是一簇一簇距离非常近的能级构成--这每一簇能级就是能带,能带和能带之间是有相对较大的能量差的,之间这段距离称为能隙（禁带）.而电子在金属中的能带结构简单,可以认为是一个能级（但和真空中电子能级有差距,后面会讲）如果你问金属中的电子能否与半导体中的空穴复合,这就涉及到MS接触,就是金属和半岛体接触；（PN结原理不知你知不知道,那是半导体与半导体之间的接触,这里是金属和半导体接触）. 简单来讲,金属内的电子所含有的能量（所处能级记为Ef--就是费米能级,即大多数电子所处的能级）小于金属表面（近似于真空的电子能级E0）,我们称电子从金属内部逸出到表面所需要的能量为功函数Wm=E0-Efm（m代表金属）半导体的能带结构,如果你有所了解的话,会知道在电子（空穴）所处能级是费米能级Ef,导带底能级为Ec,价带顶为Ev；这个不明白也没关系,你就想像费米能级夹在他们两个能级之间,这是大多数电子所处的能级.记半导体电子逸出到表面所需的能量Ws=E0-Efs（s代表半导体）当接触时（忽略M,S间的间隙）,{注意：不同类型的半导体能带结构不同,所以引起的效果也不同},以n型半导体和金属接触为例（假设Wm>Ws）,接触后电子系统统一,即两部分费米能级持平；（不清楚可以自己画画关系,要不就接本半导体物理看看）又由于Wm>Ws,所以Efs>Efm,即电子易从半导体流向金属,使半导体表面带正电（因为原来是中性的,现在带负电的电子走了一部分）,金属表面带负电. 如果像你所说到的问题中,带有空穴的半导体（空穴为多子）--P型半导体,和金属接触时（先假设WmWs的话,情形相反,半导体价带顶和导带底在接触处向上弯曲,形成反阻挡层,即电子易从金属进入半导体,而空穴不容易从半导体进入金属,这样电子和空穴会在半导体表面进行复合. 至于Wm和Ws的关系如何,这和不同金属元素和半导体掺杂有关. 但应注意的是,如果半岛体表面态密度很大,它可以屏蔽金属接触的影响,即半导体和金属接触时的势垒高度和金属功函数Wm几乎无关,而仅由半导体的表面性质所决定.这个你要想深入了解就自己看书吧. 至于补充问题,当电子在不同能带上迁移时,必须有足够的能量让他跨越禁带的势垒.即使在不同能级间跃迁时也要提供或释放能量. 在半导体器件实现上,一般这些能量都是由外电压提供.

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AFM探针基本都是由MEMS技术加工Si 或者Si3N4来制备。探针针尖半径一般为10到几十nm。微悬臂通常由一个一般100~500μm长和大约500nm~5μm厚的硅片或氮化硅片制成。典型的硅微悬臂大约100μm长、10μm宽、数微米厚。利用探针与样品之间各种不同的相互作用的力而开发了各种不同应用领域的显微镜，如AFM（范德法力），静电力显微镜EFM（静电力）磁力显微镜MFM（静磁力）侧向力显微镜LFM（探针侧向偏转力）等，因此有对应不同种类显微镜的相应探针。

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