电动汽车高压充电必须使用sic或mosfet半导体吗?

不一定

随着电动汽车市场的加速发展，汽车制造商需要更高电压（例如 800V）的驱动系统，以减少充电时间和电动汽车整体重量，这反过来意味着更长的行驶里程。 ST 第三代 STPOWER SiC MOSFET 专为满足高端汽车应用的要求而设计，包括 EV 牵引逆变器、车载充电器和 DC/DC 转换器充电（应用）要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能，开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有 IGBT、超结 MOSFET 和碳化硅（SiC）。安森美半导体为电动汽车 OBC 和直流充电桩提供完整的系统方案，包括通过 AEC 车规认证的超级结 MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅（SiC）器件、电压检测、控制产品乃至电源模块等，支持设计人员优化性能，加快开发周期。

安森美半导体作为50多年来领先的电源半导体供应商，开发了广泛的汽车元件。安森美半导体的电动汽车IGBT在高压接口、智能电源管理、车载网络、系统级集成和传感器等中应用都十分广泛，质量好可靠性强。之前还为丹佛斯硅动力(Danfoss Silicon Power)供应大功率IGBT和二极管，应用于快速增长的电动汽车市场的逆变器牵引模块。

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