怎样用MS算光学带隙

对于半导体材料，其光学带隙和吸收系数之间的关系式为

αhν=B(hν-Eg)m 

其中 α 为摩尔吸收系数,h 为普朗克常数， ν 为入射光子频率， B 为比例常数， Eg为半导体材料的光学带隙， m 的值与半导体材料以及跃迁类型相关：

（ 1） 当 m=1/2 时，对应直接带隙半导体允许的偶极跃迁；

（ 2） 当 m=3/2 时，对应直接带隙半导体禁戒的偶极跃迁；

（ 3） 当 m=2 时，对应间接带隙半导体允许的跃迁；

（ 4） 当 m=3 时，对应间接带隙半导体禁戒的跃迁。

计算失败后，给出的错误信息是2014/09/03@15:07:31 - GaP CASTEP GeomOpt ERROR CASTEP terminated with unknown error status.

2014/09/03@15:07:33 - GaP CASTEP GeomOpt ERROR Error on Job Complete. Failed to import document from C:\Users\pc\Documents\Materials Studio Projects\2014090301 Files\Documents\GaP CASTEP GeomOpt\GaP.xsd. - binary file with castep results not present.

2014/09/03@15:07:33 - GaP CASTEP GeomOpt ERROR Files not removed from server due to previous errors.

2014/09/03@15:07:33 - GaP CASTEP GeomOpt WARN As instructed, files have been left on remote server, these may need to be manually archived.

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