什么是超宽带技术

UWB系统的关键技术 UWB的名称来源于可在非常宽的带宽，即超宽带的带宽上传输信号。所谓超宽带的带宽，按美国联邦通信委员会(FCC)的定义，即是：比中心频率高25%或者是大于1.5 GHz的带宽。举个例子来说，对于一个中心频率在4 GHz的信号将跨越从3.5 GHz(或更低)至4.5GHz(或更高)的范围才能称得上是一个UWB信号。UWB无线系统的关键技术主要包括：产生脉冲信号串(发送源)的方法，脉冲串的调制方法，适用于UWB有效的天线设计方法及接收机的设计方法等。 1 UWB脉冲信号的产生 从本质上讲，产生极短脉冲宽度(ns级)的信号源是研究UWB技术基本的前提条件，例如单个无载波窄脉冲信号，有两个突出的特点：一是激励信号的波形为具有陡峭前沿的单个短脉冲二是激励信号包括很宽的频谱，从直流(DC)到微波波段。目前产生脉冲源的方法有两类： (1)光电方法，基本原理是利用光导开关导通瞬间的陡峭上升沿获得脉冲信号。由于作为激发源的激光脉冲信号可以有很陡的前沿，所以得到的脉冲宽度可达到ps(10-12)量级。另外，由于光导开关是采用集成方法制成的，可以获得很好的一致性，因此是最有发展前景的一种方法。 (2)电子方法，基本原理是对半导体PN结反向加电，使其达到雪崩状态，并在导通的瞬间，取陡峭的上升沿作为脉冲信号。这种方案目前应用得最广泛，缺点是：由于采用电脉冲信号作为触发，其前沿较宽，触发精度受到限制，特别是在要求精确控制脉冲发生时间的场合，达不到控制的精度。另外，由于受晶体管耐压特性的限制，这种方法一般只能产生几十伏到上百伏的脉冲，当然，脉冲宽度还可以达1 ns以下。典型的UWB脉冲信号时域波形和频域波形。 冲激脉冲通常采用高斯单周期脉冲，宽度在ns级，具有很宽的频谱。实际通信中使用的是一长串的脉冲，由于时域中的信号有重复周期性，将会造成频谱离散化，对传统无线电设备和信号产生干扰，需要通过适当的信号调整来降低这种干扰的影响。

驰半导体在超宽带芯片设计领域有着深厚的技术积累。首款超宽带芯片产品CX300已完成流芯片的量产，是国内第一家完成超宽带芯片商业量产的公司。得到了市场顶级客户的认可和支持。驰信半导体获得了知名投资机构和产业资本的认可和支持，更有利于公司进一步加强汽车级芯片的研发，持续引进专业人才，加快产品迭代演进和产品销售。

驰半导体将继续聚焦汽车电子、消费电子、物联网等超宽带应用领域，加快布局，为行业提供更多可靠、高效的超宽带产品，为超宽带整个生态的发展做出重要贡献。该公司设计的首款超宽带芯片CX300已完成流芯片的量产。该芯片符合IEEE802.15.4a/z标准，FIRA/CCC标准技术，可与Apple U1等现有UWB芯片实现互联。该芯片可广泛应用于汽车、手机、物联网、工业等场景。

驰芯半导体完成近亿元PreA+轮融资，由华英资本领投，硅港资本和海南亿和跟投。新派资本作为本次融资的独家财务顾问，融资资金将主要用于芯片研发和3D传感模块产品的量产。CSC融合的VDPU智能处理SoC芯片已经迭代到第二代，采用40nm工艺生产，上一代只支持自己的成像算法，目前具有向下兼容能力。未来还可以支持其他类型的3D成像算法，覆盖更多的应用场景。注册资本从200亿元增加到300亿元，骏达股份的高效太阳能电池项目签约成功。该项目总投资约130亿元，计划年产能26GW。                               

第四代半导体材料：以氧化镓(Ga2O3)为代表

作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。

氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。

第四代半导体的发展背景

随着量子信息、人工智能等高新技术的发展，半导体新体系及其微电子等多功能器件技术也在更新迭代。虽然前三代半导体技术持续发展，但也已经逐渐呈现出无法满足新需求的问题，特别是难以同时满足高性能、低成本的要求。

此背景下，人们将目光开始转向拥有小体积、低功耗等优势的第四代半导体。第四代半导体具有优异的物理化学特性、良好的导电性以及发光性能，在功率半导体器件、紫外探测器、气体传感器以及光电子器件领域具有广阔的应用前景。

目前具有发展潜力成为第四代半导体技术的主要材料体系主要包括：窄带隙的锑化镓、铟化砷化合物半导体；超宽带隙的氧化物材料；其他各类低维材料如碳基纳米材料、二维原子晶体材料等。

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