半导体行业人才特质是什么

半导体行业有一个独特的特点：人才的培养周期长，就是通常所说的“板凳要坐十年冷”，大多数顶尖人才都必须要读到博士。这跟互联网行业截然相反，几个年轻人聚在一起捣腾一个网站或者App就能融资的现象，在芯片行业几乎不存在，而行业赚快钱的机会则更是寥寥无几。

因此，改革开放后培养的理工科人才，首先在计算机、通信和互联网行业建功立业，促进了腾讯和华为等公司的诞生，但要轮到芯片行业，则还需要等待更多的时间。80-90年代那些毕业的大学生，还不能承担半导体研发的重担，他们还需要更多的学习和锻炼，尤其需要去全球集成电路技术集聚区-美国的硅谷

今天整个华人半导体圈子，清华子弟占半壁江山，不过考虑到规模达几千亿的国家产业基金是由75级化工系的一位校友批准推动的，所以剩下那半壁江山也得仰仗清华

张汝京深谙半导体建厂经验，按照他的理论，“不景气时盖厂最好”。曾经有台湾的朋友来大陆拜访张汝京，回去跟台湾媒体评价道：“Richard（张汝京英文名）连西装都没有穿，就是一件工作衫，披上件发旧的灰色毛衣，像个传教士，办公桌是三夹板拼凑起来的便宜货。张说他有一个中国半导体的宏伟梦想，他为这个梦想要彻底献身，好像甚至牺牲性命都可以，这个人不是为了赚钱才做这件事，这才是最可怕的。”

在中芯第一次认输赔款的2006年，大陆芯片界又爆发了臭名昭著的汉芯事件，而国家组织的三大国产CPU“方舟、众志、龙芯”又基本上都以失败告终，整个舆论对半导体行业开展了无差别的口诛笔伐，负面评价铺天盖地，中国芯片再一次走进了至暗时刻。

更为致命的问题摆在面前：中国哪个行业是制造业的命根子，哪个行业更容易被别人卡脖子？是风电？是太阳能？还是芯片？

中国芯片行业已经拥有了走向成功的众多因素：无数从海外回流的顶级人才（如梁孟松），不断壮大的国产工程师队伍，卓越民企等树立的标杆机制，国家充沛且持续的资金支持。

1991年12月，首钢喊出了“首钢未来不姓钢”的口号，跨界芯片。这是大型企业受地方政府“鼓励”跨界做芯片的第一个案例，未来还会不断重演。据说首钢当年规划的转型方向只有地产做的还不错，这种强烈对比蕴含的道理，足够很长时间来玩味和琢磨。

这些项目未能取得预想中的成功，深层次的原因有两个：一是芯片行业更新速度太快，制程升级一日千里，国内八九十年代这种没有连贯性的“挤牙膏”式投入，必然会陷入“引进-建厂-投产-落后-再引进”的恶性循环，效果很差；二是半导体相关人才实在是太弱，根本无法吃透引进来的技术，遑论自主研发。

另外，西方国家先后用“巴统”和“瓦森纳协议”来限制向中国出口最先进的高科技设备，同意批准出口的技术通常比最先进的晚两代，加上中间拖延和落地消化，基本上中国拿到手的技术就差不多落后三代左右。

您好，您在问题中自己说的较清楚，半导体，是介绝缘体和导体之间的那一部分元素。经工艺后具有明显的光电效应，而金属是导体，它们单一体不具备那明显的光电特性，(有待于深究)所以被认为不可以。

扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。1 扩散机构2 替位式扩散机构这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。 3． 填隙式扩散机构这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式在当今的亚微米工艺中，由于浅结、短沟的限制，硅片工艺后段的热过程越来越被谨慎地使用，但是退火仍然以不同的形式出现在工艺的流程中。退火可以激活杂质，减少缺陷，并获得一定的结深。它的工艺时间和温度关系到结深和杂质浓度。4磷掺杂由于磷掺杂的控制精度较底，它已经渐渐地退出了工艺制作的舞台。但是在一些要求不高的工艺步骤仍然在使用。5多晶掺杂向多晶中掺入大量的杂质，使多晶具有金属导电特质，以形成MOS之“M”或作为电容器的一个极板或形成多晶电阻，之所以不用离子注入主要是出于经济的原因

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