台积电衰退警告竟砸出半导体“黄金坑”，台积电给出的利空究竟成色几何？

TSMC的第三季度报告是光明的，但预计市场明年将遭遇逆风。TSMC公布三季报并表示，公司多项财务指标创历史新高，其中利润达新台币2809亿元，同比增长近80%，毛利率达到前所未有的60.4%。市场巨大震荡的源头是随后的法国会议，今年的资本支出将从最初估计的400-440亿美元削减至360亿美元，明年的资本支出计划将“更加谨慎”。

新冠肺炎疫情在全球部分地区引发了半导体供应链断裂的危机。基于此，美国川普政府担心美国过度依赖亚洲半导体供应链，因此最近开始与TSMC和英特尔等半导体制造商谈判，希望在美国建厂，实现芯片自给自足。也许是美国向TSMC提供了优惠条件，TSMC最终敲定了在美国建厂的计划。

生产率的下降不是结构性需求的变化。预计明年下半年对7 nm支持的需求会再次上升。同时，行业衰退的预期不会影响TSMC的持续增长。与整个行业相比，TSMC的业绩波动将更加稳定和灵活。最后，关于美国的出口限制措施，TSMC也确认获得了为期一年的许可，整体影响有限可控，因此南靖工厂的出货不会受到影响。

要知道的是世界上最大最好的芯片制造商是TSMC。TSMC现在已经实现了5 nm工艺标准的量产，而最好的芯片制造公司SMIC刚刚完成了14 nm的量产。用于制造最先进工艺芯片的光刻机必须从荷兰ASML公司进口，但是我现在买不到，由于某种原因导致的，所以是需要在最好的光刻机生产商是上海微电子，现在生产90纳米光刻机。

坑试验怎么做？附详解！在半导体封装工艺中，d坑试验是用来评估键合参数以及键合可靠性的。键合工艺使用的材料一般是金线，铜线或铝线，其中铝线一般是在大功率的产品中使用，铜线在解决了可靠性的问题之后应用也越来越多。d坑试验数据能够指导工艺工程等部门进行工艺设计改进，优化。FA 在进行这种分析时，针对不同的产品类型，一般采用什么样的方法呢？本文介绍几种常见的方法。

1. 铝 （Al bond pad）+ 金线键合（Au wire bond） 目的：分离金球（bond ball）与bond pad，用于检查分析 IMC 和bond pad 试剂：10% NaOH溶液 温度：室温 腐蚀时间：约5分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是利用铝的两性，通过碱性溶剂把金球和bond pad之间的铝层溶掉，最终把bond pad和金线分离出来，用于检查分析。在腐蚀铝层时，金线不会被腐蚀掉。溶液浓度可根据产品特点进行调整，也有用氢氧化钾的，但不宜用高浓度的碱进行腐蚀，需要控制好时间，否则会对芯片造成损伤。

2. 铝 （Al bond pad）+ 金线键合（Au wire bond） 目的：检查bond pad，不关注bond ball 试剂：碘化钾，单质碘，纯水， KI : I2 : DI =115g : 65g : 100g 温度：室温 腐蚀时间：10分钟~15分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是直接把金溶掉，最终把bond pad暴露出来进行检查分析，在腐蚀金的同时，bond pad上面的铝层也会被腐蚀掉。 特点是对金的腐蚀速率较快，缺点是腐蚀不掉的残留物有时较难去除干净。当然去除金的方法还有多种，比如王水，汞等，但王水的氧化性太强，对很多材料都有腐蚀性或者负面影响，汞属于毒性很强的物质一般也不常用，在冶金上面会用于提取金。

3. 铝 （Al bond pad）+ 铜线键合（Cu wire bond） 目的：分离铜球（bond ball）与bond pad，用于检查分析 IMC 和bond pad 试剂：10% NaOH 温度：室温 腐蚀时间：约5分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是用氢氧化钠溶解铝层，但氢氧化钠不会腐蚀铜线，最终可以把bond pad和铜线分离出来，可以检查bond pad和IMC，与金线IMC检查的方法一样。

4. 铝 （Al bond pad）+ 铜线键合（Cu wire bond） 目的：溶解铜线，用于检查分析 bond pad，不需要保证铜线的完整性 试剂：发烟硝酸 温度：室温 腐蚀时间：30秒~ 1分钟 （取决于样品） 这时可以进行bond pad的检查，此时铝层还在pad上，如果需要进一步把铝层去除，可以接着做下面一步： 试剂：HCL （37% ） 温度：50 °C 腐蚀时间：1分钟~ 3分钟 （取决于样品） 方法说明：该方法是用发烟硝酸直接溶解铜线，但由于铝具有钝化作用而得以保留，该方法分两步分别把铜线和铝层溶解掉，可以检查bond pad的铝层形貌以及去掉铝层后的芯片pad。

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