如何用万用表电阻挡来判断半导体二极管的好坏

万用表分数字表和指针表，测试方法都不一样。

数字万用表的黑色表笔为负极，红色表笔接正极，提供正向的高电位；数字万用表有专门的二极管档/电阻档，用于测量二极管的正向导通压降，而且简单直观读数精确。

指针式万用表则相反，指针式万用表分X1 X10 X100 X1K X10K档位，通常X1~X1K提供1.5V的正向电压，X10K提供9V或15V。通常不同档位测量出来的指针摆动幅度都不同，所以一般仅粗略测量二极管有没有击穿短路，通常不采用指针表精确测量半导体二极管。

半导体二极管，从特性分类有硅管和锗管；从用途又分普通低频整流二极管、稳压二极管、双向触发二极管、发光二极管、高频使用的开关二极管、快速恢复二极管、低压高速大电流整流用的肖特基二极管、高压整流用的硅整流子、高频振荡中使用的变容二极管.........

在此我们用数字万用表测量，一般测量它们的正反向导通电压来大致判断是否损坏：正向导通电压VF和正向导通电压VR约等于0,则表明该管击穿短路；无穷大则表明管子开路了（高压硅整流子除外，其正向导通电压较高，例如20KV高压硅整流子达到7~10V，高压包内的可达20~30V)；两种情况都表明管子坏了。

有部分半导体二极管表现出来的不是短路或者开路，而是变值、漏电、频率特性变坏、耐压下降、温度特性变坏、等等......... 我们通常不会使用普通万用表来鉴定他们的好坏。

我们应该掌握各种半导体产品的正常导通电压值，就基本能通过观察他们的正向压降来判断好坏。

比如用数字万用表的二极管档测量：

最常见的IN4001整流二极管，它的正向压降是0.6~0.8V左右，反向压降是无穷大

肖特基二极管的IN5817的正向压降是0.4~0.75V，反向压降是无穷大

稳压二极管：IN4728的正向压降0.7V，反向压降是3.1~3.7V（稳压值）

发光二极管：红色发光二极管正向压降是1.12V，反向压降是无穷大。导通时会发亮。

半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质.它的重要特性表现在以下几个方面：

（1）热敏性

半导体材料的电阻率与温度有密切的关系.温度升高,半导体的电阻率会明显变小.例如纯锗（Ge）,温度每升高10度,其电阻率就会减少到原来的一半.

（2）光电特性

很多半导体材料对光十分敏感,无光照时,不易导电；受到光照时,就变的容易导电了.例如,常用的硫化镉半导体光敏电阻,在无光照时电阻高达几十兆欧,受到光照时电阻会减小到几十千欧.半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”.利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等.

近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管,它通过电流时能够发光,把电能直接转成光能.目前已制作出发黄,绿,红,蓝几色的发光二极管,以及发出不可见光红外线的发光二极管.

另一种常见的光电转换器件是硅光电池,它可以把光能直接转换成电能,是一种方便的而清洁的能源.

（3）搀杂特性

纯净的半导体材料电阻率很高,但掺入极微量的“杂质”元素后,其导电能力会发生极为显著的变化.例如,纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米,若掺入百万分之一的硼元素,电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米.因此,人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素,精确控制它的导电能力,用以制作各种各样的半导体器件.

将万用表置10k 档，表笔接于电阻两端，万用表上应显示出压敏电阻上标示的阻值，如果超出这个数值很大，则说明压敏电阻已经损坏。

电路保护器件

随着加在压敏电阻上面的电压不断增大，它的电阻值可以从MΩ（兆欧）级变到mΩ（毫欧）级。当电压较低时，压敏电阻工作于漏电流区，呈现很大的电阻，漏电流很小；当电压升高进入非线性区后，电流在相当大的范围内变化时，电压变化不大，呈现较好的限压特性；电压再升高，压敏电阻进入饱和区，呈现一个很小的线性电阻，由于电流很大，时间一长就会使压敏电阻过热烧毁甚至炸裂。

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