关于微电子工艺技术铜互连！

随着科学技术的突飞猛进,半导体制造技术面临日新月异的变化，其中12英寸、90纳米技术和铜工艺">铜工艺被称为引导半导体发展趋势的三大浪潮。传统的半导体工艺是主要采用铝作为金属互联材料(Interconnect)，在信号延时(signal delay)上已经受到限制。人们寻找到了新的材料来满足对电阻的要求，这种材料就是铜。简单地说，铜工艺就是指以铜作为金属互联材料的一系列半导体制造工艺。将铜工艺融入集成电路制造工艺可以提高芯片的集成度，提高器件密度，提高时钟频率以及降低消耗的能量。

要达到这样的要求就需要对工艺上做出相应的调整。在新的工艺水平，尤其是在90纳米或以下的技术节点上，主要的信号延时来自互联电路的部分。这一部分可以用以下公式来描述：

τ = RC = (ρL/Wtmetal) *(Kε0LW/tILD)

其中τ是指 total signal delay, R是指金属层的电阻, C是指介电层的电容，ρ是互联金属的电阻率，L是指长度，W是指长度，t 是指厚度， K是介电常数。由公式可见，选用

电阻率比较小的金属材料作为互联材料，和选用介电常数比较小的介电材料作为介电材料是降低信号延时、提高时钟频率的两个主要方向。铜的电阻率为1.7μΩ.cm，铝的电阻率为2.8μΩ.cm，所以铜更为优越。同时由于采用铜线可以降低互联层的厚度，所以同时也降低了上面公式中的电容C。为了进一步降低τ,产业界也在选择比SiO2的K值更加低的材料（即所谓的low k材料）。现有的铝材料（通常选用掺入少量Cu的AlCu合金材料）在器件密度进一步提高的情况下还会出现由电子迁移引发的可靠性问题，而铜在这方面比铝也有很强的优越性。当IC的电流密度超过106A/cm2时，高熔点的材料比低熔点的材料更易于发生电子迁移，原因在于前者具有更高的晶界扩散激活能。铜的熔点为1083℃，铝的熔点为660℃，所以铜更不容易发生电子迁移。和铝相比，铜的电子迁移失效时间要大一到两个数量级，所以它可以在更小的互联层厚度上通过更高的电流密度，从而降低能量消耗。推动铜工艺走向产业化的另一个重要原因就是和传统的铝工艺相比，铜工艺采用了Damascene工艺，减少了金属互联的层数，从而降低了成本。之所以采用Damascene工艺，主要原因在于铜本身不能够和象铝一样，与其它刻蚀气体产生气态的副产品，所以只能采用这种先刻蚀再充填金属互联材料的模式。

自从IBM公司在1985年引入铜，许多关于铜工艺的研发工作都取得了实效。主要包括制造Damascene结构的Damascene工艺、Cu CMP (Chemical Mechanical Polishing) 工艺和ECP (Electroplating) 工艺等（见图1）。

图1. 铜工艺的Dual Damascene 结构流程示

由于铜的扩散会引起器件的所谓“中毒效应”，所以在和source/drain和gate区域的接触金属仍然选用重金属钨。其余的互联金属都可以采用铜，其中的via可以采用single damascene，也可以采用dual damascene结构。在damascene结构经过CVD, Etch 等工艺后，就形成了via的结构。为了防止铜在Si 和SiO2中的扩散，所以必须在via上沉积一层阻挡层，然后再沉积一层很薄的铜作为ECP的导电介质，也作为电镀铜的金属晶体生长的晶核层。由ECP产生电镀铜层。接着的工艺是CMP，主要是磨掉多余的铜，同时将硅片表面磨平。其中的机制主要包括用微小颗粒对表面的机械摩擦和对摩擦材料的化学清洗，摩擦和化学清洗的载体，即所谓的浆料(slurry)，是整个铜工艺制造成本比较高的部分。

经过近几年的发展，铜工艺已经日臻成熟，进入量产阶段，现在的铜工艺主要应用于电脑的中央处理器、服务器、通讯及消费应用产品各领域对整体产品表现、高密度及低耗电有极高要求的产品。与此同时，降低RC的另一条有效途径，是选用低介电常数的low k的材料作为介电材料。单纯采用铜来代替铝作为互联材料可以降低RC 大约40%，而low k能够降低成本RC的程度则决定于选择材料的k值大小。Low k 技术还初于初期的研发阶段和试产阶段，目前还面临着一些集成(Intergration)问题，将是未来发展，特别是在90纳米技术及以下的结点上，一个重要的趋势。

VIA威盛电子股份有限公司(VIA Technologies,Inc.，简称VIA)，成立于公元1992年9月，目前资本额达127.04亿新台币，为全球IC设计与个人电脑平台解决方案领导厂商，以自有品牌进军国际市场。在整个半导体产业链中，威盛也因其无晶圆厂的经营模式、加上重视人才招揽与技术开发，成为知识经济时代的企业典范，现阶段全球员工人数超过2000人。 个人计算机中所使用的系统芯片组，为威盛电子的主力产品线。

由于1999年大力推动PC-133系统规格，并领先业界导入DDR的内存技术，使得公司近年来屡获客户与消费者支持，市场占有率不断提升，2001年达到四成左右的水准，同时也针对各主流平台的特殊设计，提供了完整的对应解决方案，包括支援Pentium 4平台的Apollo PT、PM系列晶片组，以及支持AMD Athlon、K8处理器的Apollo KT/K8T系列等等。其中，威盛电子在AMD处理器平台方面，出货量更居于主导地位，单一平台的占有率达八成以上。 此外，经过1998年来包括Cyrix、IDT Centaur、S3、IC Ensemble等数项重大的购与合资案，威盛电子也已由过去单纯的系统芯片组厂商，升级成全方位的网际网络系统整合组件供货商。产品线内容除了跨平台的系统芯片组以外，还包括VIA-C3系列处理器，IEEE1394、USB2.0、以太网络通讯芯片，光储存、音效视讯多媒体控制芯片及Windows CE相关的嵌入式系统产品等等；同时藉由与S3的策略合作，威盛亦已掌握先进的绘图芯片技术，并且在取得LSI logic的无线通讯设计团队后，大步跨入新世代的无线通讯领域，未来将可望拥有建构个人计算机、网际网络装置及信息家电所需的完整实力。 2001年底正式成军的平台方案产品事业部，便是威盛积极发展系统等级开发能力的重要里程碑，而2002年展开的迦南计画，目前亦已开花结果，成立了威腾与威瀚等多家产品子公司。2003年10月，威盛电子进一步统整平台事业部、中央处理器部门及嵌入式研发部门等事业单位，成立嵌入式平台事业部（VEPD），更在「全方位联结」的理念下、展现了杰出的营运绩效，正全力进军IA及嵌入式应用市场。 威盛电子的客户群涵盖全球各大OEM厂商、主机板制造业者及系统整合业者，总部则位于台湾台北县新店市，并于美国、欧洲及中国大陆等地拥有分支据点，分别就业务拓展、人才招募、区域型软硬件整合产品开发等工作进行强化。威盛为高知识集中的IC设计厂商、以研发为IC设计公司的核心竞争力，而建构跨国、跨区域性的品开发据点，目的在于扩大技术能力的广度，以及加强对不同市场的了解深度，这同时也是威盛迈向下一阶段的高速成长、所必须进行的策略布局。公司未来仍将以大中华区为营运中心，但势必会逐渐展现全球化的研发与经营格局，长期来看，欧美、日本等地都将是威盛跨国经营架构的重要环节。

半导体工艺技术有很多，每种工艺都有其特定的优势和劣势，没有一种工艺能够满足所有的应用需求，因此，选择哪种工艺是根据应用的具体要求而定的。

常见的半导体工艺有：晶圆切割、晶圆研磨、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等。

其中，晶圆切割、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等是半导体八大工艺，这八种工艺是半导体制造过程中最重要的工艺，也是最常用的工艺。

每种工艺都有其优势和劣势，没有一种工艺能够满足所有的应用需求，因此，选择哪种工艺是根据应用的具体要求而定的，没有哪一种工艺是最好的。

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