国产破冰芯制程！专家：2022年底实现14nm自主化，麒麟芯片有救了

据了解，14纳米及14纳米以上制程的半导体芯片可满足70%的市场需求。我国在2021年实现并初步完成了28纳米芯片的自主化生产。没过多久，业界便传来14纳米芯片将在2022年年底实现量产的消息。

我是柏柏说 科技 ，资深半导体 科技 爱好者。本期为大家带来的是：国产半导体将在2022年年底实现14纳米芯片的自主化量产。

老规矩，开门见山。2021年6月23日，环球网消息。中国电子信息产业发展研究院，电子信息研究所所长 温晓君 在接受采访时表示：“ 我国将在2022年底完成14纳米制程的攻坚，完成14纳米制程芯片的量产 ”。

在这里穿插一点：或许是意识到自己无法阻拦我国芯片制程的发展，ASML近期提高了自家中端光刻机的售价。讽刺的是，ASML刚对自家的中低端光刻机降价，紧接着又对自家的中端光刻机提价，其意图不言而喻。

值得一提的是：结合我国近些年来对半导体行业的大力扶持，国产半导体厂商在芯片代工、集成电路领域中的突破。早先业界人士预测， 28纳米将是国产芯片代工行业的制程新起点，28纳米与14纳米制程预计在2021年、2022年实现。

事实上，我国的确在2021年实现了28纳米制程的突破，如今业界有关于14纳米制程的预测，也得到了温晓君的确定。种种迹象表明，国产14纳米芯片真的要来了。我国破冰14纳米制程，将给国产半导体行业带来哪些改观呢？

首先我们要弄明白目前半导体市场的趋势。虽说比起7纳米、5纳米制程，14纳米制程比较落后。但在硅基半导体市场中， 14纳米、28纳米制程依旧是主流。 目前 14纳米及14纳米以上制程的半导体芯片，占据整个半导体市场的70%。 毕竟智能 汽车 、智能家居等中低端半导体制程芯片占据了大部分的芯片市场。

即便不谈14纳米制程的半导体芯片，单是我国在今年掌握的28纳米制程芯片便占据了近半的芯片市场，28纳米制程也被业界称为“黄金线”制程。

据了解，目前大多数的中低端5G芯片，其采用的工艺大多都是14纳米、12纳米。补充一点，12纳米与14纳米之间的差距并不大，类似于台积电的5纳米与4纳米之间的区别，只是在工艺上，晶体管排序上做出了优化。即12纳米是14纳米制程的改进版，其设备并未做出太大改变。

也就是说，华为的5G麒麟中低端处理器芯片，有望在明年实现量产。尽管不能解决华为在高端制程领域中的“芯”疾，至少可以在一定程度上缓解华为在中低端消费者领域中的压力。不只是华为代表的智能手机领域，在PC端市场中，以龙芯、飞腾为代表的PC端市场，也会因此受益。

例如龙芯采用自研指令集架构“loong Arch”制成的龙芯3A5000处理器芯片，14纳米制程足够满足国内大多数PC端厂商的需求。而且不同于手机处理器这种高精密芯片，PC端芯片对于制程的要求要缓和一些。也就是说,，由14纳米、12纳米代工制成的PC端芯片，可以满足大多数的日常工作需要。

温晓君介绍，目前我们在14纳米制程上已经攻克了大多数的难题，刻蚀机、薄膜沉积等关键技术设备都实现了从无到有的突破，并已投入供应链使用。此外，有关封装集成技术方面的突破，我国实现了全面量产。光刻胶、抛光剂等上百种材料也进入了批量销售。以上成果可以助力我国摆脱国外技术限制，实现国产集成电路的全产业链覆盖。

我国成功攻坚14纳米项目，有助于我们更好地对抗国外半导体行业的打压。虽说我们与国外先进半导体制程之间的距离比较大，但路是一步一步走的。目前我们的主要任务是确保自己在半导体领域中不会被主流技术落下。因为在确保市场营收的基础上进军高端技术行业，显然是更好地选择。

一直以来，半导体行业都是国内产业生产的薄弱之处，很多技术都依赖于外企。

像EUV光刻机、芯片核心制造技术以及高端光刻胶等方面，但同样我们在芯片设计、封测技术等方面也占据了世界前列的位置。

如今，随着局势的变化，华为因芯片断供产生的后续影响已经初步显现，它让国产其他相关企业认识到只有自己掌握了核心技术才能避免在这些方面受到技术上的"卡脖子"。

11月13日，根据新浪 财经 最新报道，国内光刻胶领域迎来好消息，对于国内7nm芯片制造或可迎来重大突破。消息显示，国内宁波南大光电材料有限公司已正式宣布，首条ArF光刻胶生产线已经正式投入生产，预计项目完成后年销售额达10亿元。

目前该公司已经将生产出来的ArF光刻胶样品送至客户手中进行测试，如果测试成功，那么该公司将迎来更多ArF光刻胶方面的订单。

或许有小伙伴不太了解ArF光刻胶。

光刻胶在芯片生产中起到很关键的作用，可以说它是集成电路产生制造中的核心材料，对于芯片最终呈现的质量和性能方面都有很大的影响，因而光刻胶的成功对于生产制造芯片也有很大的帮助。

目前来说，虽然国内不乏有主营光刻胶的企业，但在ArF光刻胶这样的高端种类却几乎100%依赖于外企，而ArF光刻胶在对于28nm-7nm工艺芯片的生产起到至关重要的作用，因而可以说这一次在ArF光刻胶上的突破也预示着在7nm芯片制造上迎来突破！

根据资料显示，目前高端光刻胶主要集中于美企和日企手中，所占份额达全球光刻机份额的95%，而这一次宁波南大光电材料有限公司在ArF高端光刻胶中的突破也预示着国产半导体的逆势崛起，将打破美日企业在高端光刻胶领域上的垄断。

不过，想要避免外资企业在技术上的垄断，光靠一家公司明显后劲不足，但就如今的发展趋势来说，目前国产半导体相关企业已经纷纷在各自的领域中寻找突破之路。

上海微电子、上海华虹半导体、晶瑞股份等公司在芯片生产工艺上以及光刻机上等方面寻求突破口，照这样的趋势发展，未来国产半导体行业将迎来新生！

自从进入信息时代之后，我们国内的 科技 水平得到了迅速的提升，在各个领域都掌握了一定的核心技术，与某些发达国家的差距也越来越小。但需要注意的是，目前国内还有一项关键技术设备急需攻克，关乎到国产芯片事业的发展，那就是光刻机！

对于光刻机，相信大家都不陌生，它是芯片制造过程中必不可少的设备，没有光刻机就无法生产出任何芯片，这是整个半导体行业的普遍认知。之前，大多数人都没有听说过光刻机，但随着华为芯片事件的影响，让国内意识到了光刻机的重要性。

华为的芯片之所以会被美国规则制约，就是因为它没有制造能力，需要含有美国技术的代工厂供应。而我们国内在芯片制造领域也处于比较弱势的地位，虽然能自主生产出一些中低端芯片，但是对于7nm、5nm等先进制程的芯片就无能无力了！

正因于此，失去了代工合作伙伴之后，华为面临着芯片短缺的问题，并且放大了国产技术的不足之处。其实在芯片的设计和封测方面，国内的实力非常出色，根本不输于国外。但让人无奈的是，由于缺少光刻机的支持，导致国内始终未能完全攻克芯片制造！

为了进一步促进国产芯片的发展和帮助华为走出困境，国内下定决定要全面布局光刻机。据了解，国内 科技 水平最高的机构中科院已经在朝着这个方向前进了，未来将会集中全院的力量来攻克光刻机等容易被国外“卡脖子”的技术！

可以预料的是，在中科院的支持下，国产光刻机肯定能不断地取得进展，这项难题很快就会被解决。不仅如此，最近中科院正式官宣，2项技术取得突破，难度堪比光刻机！也就是说，除了光刻机之外，中科院又攻克了2项难度极高的技术！

第一项技术是新型OLED显示材料，中科院李亚东院士主导的量产化项目已经开工奠基了！OLED是现在各种屏幕的主要材质，拥有着非常广阔的市场，而之前大部分的市场份额都被韩国的三星拿走了，我们国内只能分到一小部分。

虽然国产屏幕厂商京东方对OLED材料也有一定的研究，但是与三星相比，差距依然存在。为了弥补这种差距，中科院出手了，李亚东院士带领的新型OLED材料研究团队正在努力攻关，或许要不了多久国产OLED屏幕就能实现对三星的代替！

OLED屏幕对于手机、电脑等电子产品而言，是不可缺少的，所以中科院的研发工作很有必要。只要国产屏幕能够得到人们的认可，就可以占据更大的市场，从而获得更好的发展空间！

中科院突破的第二项技术关于芯片，为国产半导体公司提供了一个新的发展方向。据悉，在中科院的上海微系统研究所，8英寸石墨烯晶圆登场了，并且已经可以量产！这意味着国内对碳基芯片的研究领先于世界，如果能将晶圆完美切割，那么真正的碳基芯片就会诞生！

一直以来，芯片采用的都是硅基半导体材料，虽各方面的表现都还不错，但是只要达到了极限，就无法继续进步。所以全球很多国家开始把目标放在了碳基芯片上，它的性能和稳定性更强，一旦突破，绝对会引起半导体行业的变革。

现在看来，国内在碳基芯片领域已经取得了领先的地位，8英寸石墨烯晶圆的登场代表着国产芯片或许能够实现“换道超车”！但这还不够，国产芯片要想成功崛起，必须继续向前进步，碳基芯片和硅基芯片都要抓住！

中科院宣布的两个好消息，对于国产技术而言，有着重要的意义，还能够促进国内很多企业的发展！相信以后国内一定能不断地突破各种核心技术，实现 科技 强国的目标，让我们拭目以待！

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