彭春雨安徽大学集成电路学院副教授,硕士研究生导师。主要研究方向为超大规模集成电路设计、静态随机存储器(SRAM)设计、存内计算芯片设计等。郭小辉，男，分别在2015年和2018年于合肥工业大学获硕士学位和博士学位，集成电路与系统专业，现任职于安徽大学电子信息工程学院，副教授、硕士生导师，安徽省仪器仪表学会理事，主要从事敏感电子学与传感技术、柔性电子器件、MEMS传感器、软体机器人/执行器、数据融合与智能算法研究。主持国家自然科学基金青年基金项目、安徽省自然科学基金青年基金项目、教育部高等教育司产学合作协同育人项目，参与国家级、省级项目近10项。
1992年7月毕业于安徽大学物理系，获物理学专业理学学士学位，并被免试推荐为安徽大学和日本崎玉工业大学联合培养硕士研究生。
1995年5月赴日本崎玉工业大学电子工学系学习。
1996年8月获得理论物理专业理学硕士学位，并被免试推荐为中国科学院上海硅酸盐研究所博士研究生。
1998年7月获得无机非金属材料专业工学博士学位(Dr.Eng.)，同时获中国科学院院长奖优秀奖．
1998 年8 月至2001年1 月在日本电子株式会社（JEOL，东京）技术总括部任博士后工程师，负责X 射线分析装置的研制和开发。
2001 年2月至2004年3月，获丹麦国家科学技术委员会的“半导体量子点”项目的资助，在丹麦技术大学通讯、光学和材料研究中心和哥本哈根大学尼耳斯－波尔研究所,从事半导体量子点的分子束外延生长和光学表征，以及半导体量子点激光器的研制工作。
2004年3 月, 从丹麦技术大学获得光电子学专业哲学博士学位(PhD)．2004 年4 月至9 月，获美国能源部的“半导体材料的X射线分析”的项目资助，在美国佛蒙特大学物理系和布鲁海文国家实验室国家同步辐射光源，研究半导体量子点生长过程中的原位X 射线分析。
2004 年9月至2010年11月任南开大学物理科学学院和泰达应用物理学院教授，组建了纳米光子学实验室（已于2006年5月9日在天津新闻中被介绍过）。
2006年11月 - 2007年1月 日本早稻田大学理工学部，客员研究员
2010年12月 - 2012年3月 南昌航空大学测试与光电工程学院院长，教授。
2012年4月 - 现在 天津工业大学，教授
东微半导是一家工业及 汽车 领域应用的半导体企业，在高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域中，实现了国产化。
与比亚迪半导体一样，作为炙手可热的车载芯片，东微半导IPO备受瞩目，其背后的投资阵容非常亮眼，包含了哈勃投资、中芯聚源、中兴创投以及元禾控股等。
结缘英飞凌 科技
东微半导的法定代表人为龚轶，其与王鹏飞是联合创始人。上市前，王鹏飞实控东微半导，持股比例达到16.0872%，龚轶持股13.2791%。
履历显示，龚轶出生于1976年6月，硕士毕业于英国纽卡斯尔大学。与半导体结缘，发生在1999年7月，龚轶担任美国超微半导体公司工程部工程师。
2004年9月，龚轶转投到德国英飞凌 科技 ，这是全球领先的半导体公司之一，前身为西门子集团的半导体部门。在 汽车 电子与芯片卡部门，龚轶做技术专家，一做就是3年。
2008年9月，龚轶与王鹏飞共同创办东微有限。
王鹏飞与龚轶有着相同的经历，也来自于英飞凌 科技 。凑巧的是，王鹏飞也出生于1976年，其为德国慕尼黑工业大学博士。2004年7月，在德国英飞凌 科技 ，担任存储器研发中心研发工程师一职。
值得一提的是，王鹏飞还于2009年7月起，担任复旦大学微电子学院教授，是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者。
或许是两人年龄一样，背景相似，两位工程师在车载芯片上发生了交集。
成立东微半导后，王鹏飞为首席技术官，带领刘磊、刘伟及毛振东进行研发。其中，刘磊硕士毕业于安徽大学电路与系统学院，曾任职华润上华半导体 科技 ，担任工艺整合工程师。有意思的是，另一核心研发人员毛振东，也任职过华润上华 科技 ，为技术开发部工程师。
而龚轶则一直做总经理，负责东微半导的业务。按东微半导的话来说，公司核心技术人员均为半导体相关专业毕业，从事半导体技术开发和项目管理工作超过10年，有着丰富的产品开发经验和项目管理经验。
缺芯潮席卷 “充电桩芯片”第一股成色几何？
核心技术人员都是半导体行业出生，东微半导成色如何？
营收数据显示，2018-2020年东微半导分别实现1.53亿元、1.96亿元、3.09亿元，分别增长28%、57%。同时，公司还预计2021年度，营业收入为7.72亿元至8.03亿元，同比增长150％至160％。
营收大增的背后，是新能源 汽车 充电桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求提升，公司产品规模增长所致。
细察发现，东微半导专注新能源 汽车 直流充电桩、5G基站电源及通信电源等领域，为国内少数专注工业级高压超级结MOSFET领域的高性能功率半导体厂商。
2019年度，东微半导MOSFET器件的平均销售单价为2.19元/颗，高于同行业的平均单价1.19元/颗。在缺芯潮下，2021年1-6月，MOSFET器件单价变为3.06元/颗，增长35.40%，为东微半导芯片中，变动幅度最大的产品。
中低压屏蔽栅MOSFET的平均单价则为1.16/颗，增长4.50%，而与比亚迪半导体一样，研发的TGBT半导体，单价则为9.10元/颗。
不过，值得注意的是，超级硅MOSFET单价却为2.81元/颗，反而同比增长-1.40%。
由于销售单价上涨，东微半导的MOSFET器件毛利率也随之上涨。2021年1-6月，该品类毛利率达到26.87%，较2020年的17.89%增长50%。
不过，在业务结构中，东微半导与士兰微和新洁能相近。士兰微主营MOSFET、IGBT半导体分立器件；新洁能则做沟槽型功率MOSFET、超级结功率MOSFET的。
2021年1-6月，两者对应的毛利率超过30%，分别为31.60%和36.93%。对应的生产模式，士兰微是IDM模式，即从设计、制造、封装测试到销售自有品牌，新洁能则以Fabless模式为主。
华为的第6个IPO来了，做VC最高回报超50倍
对于东微半导来说，哈勃投资的入局并不算太早。2020年7月，哈勃投资才向东微半导入股7530万元，对应持股比例为6.5913%，但哈勃投资为战略投资。
此前，东微半导曾发生过3次增资及3次股权转让。聚源聚芯、中芯国际的VC趁此进入。
根据披露，哈勃投资入股是看好东微半导所处行业及未来发展，入股价格为22.6075元/股，对应5053.2275的总股本，这意味着投后估值为11亿元。
2月10日，东微半导首日开盘涨13%，市值近百亿，回报近6倍。
这不是哈勃投资第一次在VC投资上，获取丰厚回报。
2022年1月12日，哈勃投资迎来了第5个IPO。其以1.1亿元投资天岳先进，持有10%股份。而哈勃投资介入的该轮融资投前估值为10亿元。
哈勃投资进入4个月后，天岳先进又进行了3.5亿元的融资，三家机构入场，这次投前估值涨到了18亿元。随着天岳先进的上市，哈勃投资在这笔投资中，回报倍数达到20倍。
此外，思瑞浦、灿勤 科技 、东芯股份、炬光 科技 ，均是哈勃投资投出的IPO。数据显示，从2019年成立，哈勃投资已经拿下了6个IPO。并且华为做VC，也发生了第一笔退出，减持480亿元芯片龙头。
或许是VC投资做的风生水起，哈勃投资也正式进军私募。1月19日，“中基协”公示了哈勃投资的私募基金管理人信息，公司于今年1月14日正式登记为私募股权、创业投资基金管理人。
股权穿透显示，实控人、大股东是华为投资控股有限公司工会委员会，持股99.25%，任正非持股0.75%。
在半导体领域上，哈勃投资还在不断加码。2021年以来，先后投资了苏州晶拓半导体、深迪半导体、东莞市天域半导体、杰华特微电子、上扬软件等等。
对于哈勃投资的成立，华为轮值董事长郭平曾谈说，华为的核心业务是聚焦在联接和计算，但贸易摩擦下，专门成立了哈勃投资，通过投资和华为的技术去帮助整个产业链。
截至目前，哈勃投资的公司中，纳芯微、好达电子、长光华芯等均已经过会。可以预见，一个“硬 科技 VC”巨头正在升起。
欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表（0条）