西北大学专业

西北大学专业有：

1、网络与新媒体是一门普通高等学校本科专业，属文学类专业，基本修业年限为四年，授予文学学士学位。该专业要求学生既能从事信息传播时代内容方面的深度、综合、跨学科的信息传播工作，同时也能有新闻传播技术、设计、制作、网络技术等方面的传播技术类工作的能力。

2、光电信息科学与工程属电子信息类专业，基本修业年限为四年，授予理学或工学学士学位。该专业以理工融合为特色，依托学科为电子科学与技术、计算机科学与技术、信息与通信工程，主要培养学生掌握光电信息科学与技术领域的基础知识和基本技能。

为在光电信息处理、光电子学、电子信息技术、通信技术等领域从事科学研究、产品设计和开发奠定基础，专业课程设置对光电子器件及应用、光电信息处理、宽带光纤通信系统的设计与应用有所侧重。

3、微电子科学与工程属电子信息类专业，基本修业年限为四年，授予理学或工学学士学位。该专业是理工兼容、互补的专业，是在物理学、电子学、材料科学、计算机科学、集成电路设计制造等多学科和超净、超纯、超精细加工技术基础上发展起来的一门新兴学科。

主要研究半导体器件物理、功能电子材料、固体电子器件，超大规模集成电路（ULSI）的设计与制造技术、微机械电子系统以及计算机辅助设计制造技术等。

4、过程装备与控制工程专业培养适应国家战略需求、服务石油石化等能源行业和区域发展，具备自然科学与工程基础知识、过程装备与控制工程专业知识和实践能力，身心健康、德智体美全面发展。

能够在过程工业等部门从事过程装备设计、开发、制造与安装、运行维护、安全管理、监督和营销等方面的技术和管理工作或进入相关学科继续学习深造，具有创新精神与社会责任、国际视野的优秀工程技术人才。

5、食品科学与工程专业主要研究化学、生物学、食品工程和食品技术等方面的基本知识和技能，在食品领域内进行食品生产技术管理、产品开发、工程设计、品质控制、科学研究等。

以上内容参考：百度百科-西北大学

具有极低晶格热导率的半导体在热电材料和热障涂层等与热能转换和管理相关的应用领域非常受欢迎。虽然晶体结构和化学键在形成传热行为中起着至关重要的作用，但 利用化学键原理降低晶格导热系数的材料设计方法并不常见。

来自北京 科技 大学和美国西北大学的学者提出了 一种基于化学键原理的削弱原子间相互作用从而抑制晶格热导率的有效策略，并发展了一种通过筛选晶体化合物的局域配位环境来发现低κL材料的高效途径 。由此产生的第一性原理计算从无机晶体结构数据库中包含的13个原型晶体结构中发现了30个迄今未被 探索 的具有(超)低晶格热导率的化合物。此外，还通过将阳离子与立体化学活性的孤对电子相结合，展示了一种合理设计高性能热电材料的方法。这些结果不仅为一大类铜/银基化合物中低晶格热导率的物理起源提供了原子水平的见解，而且也为发现和设计具有目标热传输性质的材料提供了一种有效的途径。相关文章以“Accelerated Discovery and Design of Ultralow Lattice Thermal Conductivity Materials Using Chemical Bonding Principles”标题发表在Advanced Functional Materials。

论文链接：

https://doi.org/10.1002/adfm.202108532

图1.典型二元化合物的轨道投射能带结构、-pCOHP和分子轨道图。a)闪锌矿CuBr，b)闪锌矿ZnSe，c)闪锌矿GaAs，d)岩盐AgBr。颜色表示阴离子p轨道和阳离子d轨道的贡献。正-pCOHP和负-pCOHP分别表示阳离子和阴离子之间的成键和反键作用。

图2.典型二元化合物的声子色散、声子态密度(PDOS)和三声子散射的加权相空间WP。a)闪锌矿CuBr，b)闪锌矿ZnSe，c)闪锌矿GaAs，以及d)岩盐AgBr。

图3.具有黄铜矿和ZrCuSiAs结构的Cu/Ag化合物的键长和力常数。a)M-Se(M=Cu和Ag)键长。b)M和Se之间的二阶原子力常数。蓝色球和黄色球分别是Cu+和Ag+化合物。

图4.具有不同MXn的多面体的原型结构。a)ZrCuSiAs(P4/NMM)，b)PbClF(P4/NMM)，c)BaZn2P2(I4/mmm)，d)La2O3(Pm31)，e)CsAg5Te3(P42/MNm)，f)CsAgCl2(CMCM)，g)Tl2AgCl3(R3)，h)CsAg3S2(C2/m)，i)RbAg5Se3。

图5.具有典型结构的化合物和本工作中发现的化合物的vm对M的依赖关系。圆点的大小与每个原始电池的原子数量成正比。

图6.所选化合物的非谐三声子相互作用。a)室温下声子-声子散射率(τ 1)是声子频率的函数。b)室温下的加权相空间。

图7.GRüneisen参数γ和三阶和二阶现场力常数之比OFC3rd/OFC2nd。为简单起见，仅绘制了黄铜矿(AMX2)、ZrCuSiAs(AMXY)和PbClF型(AMX)结构的OFC3rd/OFC2nd的A和M阳离子位置，其中X和Y是阴离子。

图8.ABXY化合物凸包距离的热图。白色的圆圈表示相应的化合物不是电荷平衡的，因此没有研究。其他形状(如菱形、正方形、三角形等)。表示各自基态结构的不同对称性(参见图顶部的图例)。

图9.PbMXF(M=Cu和Ag；X=S、Se和Te)的电子结构。a-c)PbCuSeF、PbAgSeF和PbAgTeF的带结构。考虑了自旋-轨道耦合。

综上所述，基于化学键原理，本文提供了一种设计和发现低晶格热导率材料的可行策略。通过消除Cu/Ag-d和阴离子-p杂化产生的反键状态，增强边/面共用多面体中阳离子间的库仑排斥力，可以显著削弱Cu+/Ag+与阴离子之间的键合强度。弱键的结果是声速低，声子-声子散射率高，最终导致低的晶格热导率。然后用这种方法对ICSD中收集的化合物进行筛选，从13个原型结构中发现了30个具有超低晶格热导率的化合物。本文进一步介绍了一种通过将我们的导热策略与提高功率因数的已知方法相结合来设计热电材料的方法。通过将低晶格热导率结构和阳离子与孤对电子Pb2+相结合，发现了三种低κL和高能带简并的热电材料。本文的抑制晶格导热系数的材料设计策略也可以直接推广到其他材料。（文：SSC）

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