我国半导体电子元器件行业有哪些规律？

各行各业都有自身的发展规律，对于电子元器件行业更是有规律可循，下面我们总结了行业发展的三大规律，使用这三大规模能够方便对半导体行业景气发展趋势进行判断。

规律一：新旧产品替换推动行业盛衰更替。“杀手级产品”推广进程成为推动行业进入全新繁荣的最核心动力。

规律二：库存反映了业者对终端市场的信心，成为导致行业高波动性的最核心原因。

规律三：半导体技术发展路径为：创新。精细化分工。技术集成。衰退，这路径直接反映了半导体技术壁垒由强到弱的过程以及技术寿命所处的时机。

这三大规律成为我们判断行业发展方向的逻辑立足点。也是我们今年准确预测行业发展方向的主要原因。

我们在今年年初向投资者阐述由于“库存回补”将导致半导体行业出现景气反d的判断，这就是根据规律二思考而得。

而我们坚定认为10年三季度后半导体不可能出现V型反转的核心根据就是来自于规律一与规律三。目前行业技术路径位于末端，同时没有创新性产品出现，行业反转势必难成“V型”。

事实上，根据这三大规律，我们不难用三大指标来综合判断行业的发展趋势。这些指标分别为：1、杀手级产品。2、行业库存数据。3、技术路线。

对行业行业大趋势，我们建议直接跟踪杀手级产品的发展趋势，这些产品的渗透情况也直接表征了行业所处阶段。而这个阶段判断也可以从技术路线来验证。

而在短期趋势判断可以根据库存来分析。要记住库存趋势反映了业者对终端消费的判断，这个指标具有一定的超前性。

因此，我们对半导体元器件行业景气判断依然是：“2010年上半年行业景气依然温和向上，下半年有望出现加速复苏现象”。杀手级产品2010年下半年密集推出成为推动行业加速的主要因素（注：资料来源于网络）

扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。1 扩散机构2 替位式扩散机构这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。 3． 填隙式扩散机构这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式在当今的亚微米工艺中，由于浅结、短沟的限制，硅片工艺后段的热过程越来越被谨慎地使用，但是退火仍然以不同的形式出现在工艺的流程中。退火可以激活杂质，减少缺陷，并获得一定的结深。它的工艺时间和温度关系到结深和杂质浓度。4磷掺杂由于磷掺杂的控制精度较底，它已经渐渐地退出了工艺制作的舞台。但是在一些要求不高的工艺步骤仍然在使用。5多晶掺杂向多晶中掺入大量的杂质，使多晶具有金属导电特质，以形成MOS之“M”或作为电容器的一个极板或形成多晶电阻，之所以不用离子注入主要是出于经济的原因

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