半导体材料性质表征主要手段有哪些，请写出四种以上，并分别简述其表征材料的何种性质？

四探针技术——测量电阻率ρ=1/σ和载流子浓度。

三探针技术——测量击穿电压，并得到电阻率。

Hall效应技术——测量Hall系数R，并得到迁移率（μ=Rσ）。

MOS电容-电压技术——测量MOS中的界面态和电荷等。

光电导衰退技术——测量少数载流子寿命。

关系：晶圆和半导体衬底可以定义不同，也能是同一个材料只是功能不同，价格差距大。

晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。

晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。

性能参数

硅晶圆和硅太阳能电池分别是半导体材料和半导体器件的典型代表。半导体特性参数衡量和表征材料及其器件的性能。由于载流子是半导体材料及器件的功能载体，载流子移动形成电流及电场，同时载流子具有发光、热辐射等特性，因此载流子参数是表征半导体材料及器件载流子输运特性的基础，即载流子参数是硅晶圆和硅太阳能电池特性参数的重要组成部分。

我找不到你要的资料 但希望下面的东西对你有用！

半导电材料也半导体材料一样，

都是根据其导电性来定义的：导电性介于导体与非导体之间的材料叫半导体材料。这些材料在化学元素周期表中的位置在导体与非导体之间的斜线上。如硅、锗、镓等几种元素。在使用半导体材料时可不是用它们的导电性能的，而是用的是这些材料具有特殊的、在电子技术上叫P-N结的结构，这个结构可以产生单向导电性和信号放大的作用、在参入微量的杂质时其导电性能应有非常大的变化这种特殊的性持。

电导率是物质传送电流的能力，是电阻率的倒数。

------OREO

---