值此背景下,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体成为市场聚焦的新赛道。根据Yole预测数据, 2025年全球以半绝缘型衬底制备的GaN器件市场规模将达到20亿美元,2019-2025年复合年均增长率高达12%! 其中,军工和通信基站设备是GaN器件主要的应用市场,2025年市场规模分别为11.1亿美元和7.31亿美元
全球以导电型碳化硅衬底制备的SiC器件市场规模到2025年将达到25.62亿美元,2019- 2025年复合年均增长率高达30%! 其中,新能源汽车和光伏及储能是SiC器件主要的应用市场, 2025年市场规模分别为15.53亿美元和3.14亿美元。
本文中,我们将针对第三代半导体产业多个方面的话题,与国内外该领域知名半导体厂商进行探讨解析。
20世纪50年代以来,以硅(Si)、锗(Ge)为代的第一代半导体材料的出现,取代了笨重的电子管,让以集成电路为核心的微电子工业的发展和整个IT产业的飞跃。人们最常用的CPU、GPU等产品,都离不开第一代半导体材料的功劳。可以说是由第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。
然而由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低等原因,硅材料在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制。因此,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料开始崭露头角,使半导体材料的应用进入光电子领域,尤其是在红外激光器和高亮度的红光二极管方面。与此同时,4G通信设备因为市场需求增量暴涨,也意味着第二代半导体材料为信息产业打下了坚实基础。
在第二代半导体材料的基础上,人们希望半导体元器件具备耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能更强、工作速度更快、工作损耗更低特性,第三代半导体材料也正是基于这些特性而诞生。
笔者注意到,对于第三代半导体产业各家半导体大厂的看法也重点集中在 “高效”、“降耗”、“突破极限” 等核心关键词上。
安森美中国汽车OEM技术负责人吴桐博士 告诉笔者: “第三代半导体优异的材料特性可以突破硅基器件的应用极限,同时带来更好的性能,这也是未来功率半导体最主流的方向。” 他表示随着第三代半导体技术的普及,传统成熟的行业设计都会有突破点和优化的空间。
英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区应用市场总监程文涛 则从能源角度谈到,到2025年,全球可再生能源发电量有望超过燃煤发电量,将推动第三代半导体器件的用量迅速增长。 在用电端,由于数据中心、5G通信等场景用电量巨大,节电降耗的重要性凸显,也将成为率先采用第三代半导体器件做大功率转换的应用领域。
第三代半导体材料区别于前两代半导体材料最大的区别就在于带隙的不同。 第一代半导体材料属于间接带隙,窄带隙第二代半导体材料属于直接带隙,同样也是窄带隙二第三代半导体材料则是全组分直接带隙,宽禁带。
和前两代半导体材料相比,更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。
随着碳化硅、氮化镓等具有宽禁带特性(Eg>2.3eV)的新兴半导体材料相继出现,世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。具体来看:
与硅相比, 碳化硅拥有更为优越的电气特性 :
1.耐高压 :击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地 提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗
2.耐高温 :半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化
3.高频性能 :碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。
氮化镓则具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。 尤其是在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事 或者民用领域氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。
半导体行业有个说法: “一代材料,一代技术,一代产业” ,在第三代半导体产业规模化出现之前,也还存在着不少亟待解决的技术难题。
第三代半导体全产业链十分复杂,包括衬底→外延→设计→制造→封装。 其中,衬底是所有半导体芯片的底层材料,起到物理支撑、导热、导电等作用外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层,这些外延层是制造半导体芯片的重要原料,影响器件的基本性能设计包括器件设计和集成电路设计,其中器件设计包括半导体器件的结构、材料,与外延相关性很大制造需要通过光刻、薄膜沉积、刻蚀等复杂工艺流程在外延片上制作出设计好的器件结构和电路封装是指将制造好的晶圆切割成裸芯片。
前两个环节衬底和外延生长正是第三代半导体生产工艺及其难点所在。我们重点挑选碳化硅、氮化镓两种典型的第三代半导体材料来看,它们的生产制备到底还面临哪些问题。
从碳化硅来看,还需要“降低衬底生长缺陷,以及提高工艺效率” 。首先碳化硅单晶制备目前最常用的是物理气相输运法(PVT)或籽晶的升华法,而碳化硅单晶在形成最终的短圆柱状之前,还需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺才能成为衬底材料。
这一机械、化学制造过程存在着加工困难、制造效率低、制造成本高等问题。此外,如果再加上考虑单晶加工的效率和成本问题,那还能够保障晶片具备良好的几何形貌,如总厚度变化、翘曲度、变形,而且晶片表面质量(粗糙度、划伤等)是否过关等,这都是碳化硅衬底制备中的巨大挑战。
此外,碳化硅材料是目前仅次于金刚石硬度的材料,材料的机械加工主要以金刚石磨料为基础切割线、切割刀具、磨削砂轮等工具。这些工具的制备难度大,使用寿命短,加工成本高,为了延长工具寿命、提高加工质量,往往会采用微量或极低速进给量,这就牺牲了碳化硅材料制备的整体生产效率。
对于氮化镓来说,则更看重“衬底与外延材料需匹配”的难题 。由于氮化镓在高温生长时“氮”的离解压很高,很难得到大尺寸的氮化镓单晶材料,当前大多数商业器件是基于异质外延的,比如蓝宝石、AlN、SiC和Si材料衬底来替代氮化镓器件的衬底。
但问题是这些异质衬底材料和氮化镓之间的晶格失配和热失配非常大,晶格常数差异会导致氮化镓衬底和外延层界面处的高密度位错缺陷,严重的话还会导致位错穿透影响外延层的晶体质量。这也就是为什么氮化镓更看重衬底与外延材料需匹配的难点。
在落地到利用第三代半导体材料去解决具体问题时,程文涛告诉OFweek维科网·电子工程, 英飞凌的碳化硅器件所采用的沟槽式结构解决了大多数功率开关器件的可靠性问题。
比如现在大多数功率开关器件产品采用的是平面结构,难以在开关的效率上和长期可靠性上得到平衡。采用平面结构,如果要让器件的效率提高,给它加点电,就能导通得非常彻底,那么它的门级就需要做得非常薄,这个很薄的门级结构,在长期运行的时候,或者在大批量运用的时候,就容易产生可靠性的问题。
如果要把它的门级做的相对比较厚,就没办法充分利用沟道的导通性能。而采用沟槽式的做法就能够很好地解决这两个问题。
吴桐博士则从产业化的角度提出, 第三代半导体技术的难点在于有关设计技术和量产能力的协调,以及对长期可靠性的保障。尤其是量产的良率,更需要持续性的优化,降低成本,提升可靠性。
观察当前半导体市场可以发现,占据市场九成以上的份额的主流产品依然是硅基芯片。
但近些年来,“摩尔定律面临失效危机”的声音不绝于耳,随着芯片设计越来越先进,芯片制造工艺不断接近物理极限和工程极限,芯片性能提升也逐步放缓,且成本不断上升。
业界也因此不断发出质疑,未来芯片的发展极限到底在哪,一旦硅基芯片达到极限点,又该从哪个方向下手寻求芯片效能的提升呢?笔者通过采访发现,国内外厂商在面对这一问题时,虽然都表达出第三代半导体产业未来值得期待,但也齐齐提到在这背后还需要重点解决的成本问题。
“目前硅基半导体从架构上、从可靠性、从性能的提升等方面,基本上已经接近了物理极限。第三代半导体将接棒硅基半导体,持续降低导通损耗,在能源转换的领域作出贡献,” 程文涛也为笔者描述了当前市场上的一种现象:可能会存在一些定价接近硅基半导体的第三代半导体器件,但并不代表它的成本就接近硅基半导体。因为那是一种商业行为,就是通过低定价来催生这个市场。
以目前的工艺来讲,第三代半导体的成本还是远高于硅基半导体 ,程文涛表示:“至少在可见的将来,第三代半导体不会完全取代第一代半导体。因为从性价比的角度来说,在非常宽的应用范围中,硅基半导体目前依然是不二之选。第三代半导体目前在商业化上的瓶颈就是成本很高,虽然在迅速下降,但依然远高于硅基半导体。”
作为中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一,泰科天润同样也表示对第三代半导体产业发展的看好。
虽然碳化硅单价目前比硅高不少,但从系统整体的角度来看,可以节约电感电容以及散热片。如果是大功率电源系统整体角度看成本未必更高,同时还能更好地提升效率。 这也是为什么现阶段虽然单器件碳化硅比硅贵,依然不少领域客户已经批量使用了。
从器件的角度来看,碳化硅从四寸过度到六寸,未来往八寸甚至十二寸发展,碳化硅器件的成本也将大幅度下降。据泰科天润介绍,公司新的碳化硅六寸线于去年就已经实现批量出货,为客户提供更高性价比的产品,有些产品实现20-30%的降价幅度。除此之外,泰科天润耗时1年多成功开发了碳化硅减薄工艺,在Vf水平不变的情况下,可以缩小芯片面积,进一步为客户提供性价比更高的产品。
泰科天润还告诉笔者:“这两年随着国外友商的缺货或涨价,比如一些高压硅器件,这些领域已经出现碳化硅取代硅的现象。随着碳化硅晶圆6寸产线生产技术的成熟,8寸晶圆的发展,碳化硅器件有望与硅基器件达到相同的价格水平。”
吴桐博士认为, 目前来看在不同的细分市场,第三代半导体跟硅基器件是一个很好的互补,也是价钱vs性能的一个平衡。随着第三代半导体的成熟以及成本的降低,最终会慢慢取代硅基产品成为主流方案。
那么对于企业而言,该如何发挥第三代半导体的综合优势呢?吴桐博士表示,于安森美而言,首先是要垂直整合,保证稳定的供应链,可长期规划的产能布局以及达到客观的投资回报率其次是在技术研发上继续发力,比如Rsp等参数,相比行业水准,实现用更小的半导体面积实现相同功能,这样单个器件成本得以优化第三是持续地提升FE/BE良率,等效的降低成本第四是与行业大客户共同开发定义新产品,保证竞争力以及稳定的供需关系最后也是重要的一点,要帮助行业共同成长,蛋糕做大,产能做强,才能使得单价有进一步下降的空间。
第三代半导体产业究竟掀起了多大的风口?根据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》内容:2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元,预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度,到2022年市场规模将达到623.42亿元。
其中,第三代半导体衬底市场规模从7.86亿元增长至15.21亿元,年复合增速为24.61%,半导体器件市场规模从86.29亿元增长至608.21亿元,年复合增速为91.73%。
得益于第三代半导体材料的优良特性,它在 光电子、电力电子、通讯射频 等领域尤为适用。具体来看:
光电子器件 包括发光二极管、激光器、探测器、光子集成电路等,多用于5G通信领域,场景包括半导体照明、智能照明、光纤通信、光无线通信、激光显示、高密度存储、光复印打印、紫外预警等
电力电子器件 包括碳化硅器件、氮化镓器件,多用于新能源领域,场景包括消费电子、新能源汽车、工业、UPS、光伏逆变器等
微波射频器件 包括HEMT(高电子迁移率晶体管)、MMIC(单片微波集成电路)等,同样也是用在5G通信领域,不过场景则更加高端,包括通讯基站及终端、卫星通讯、军用雷达等。
现阶段,欧美日韩等国第三代半导体企业已形成规模化优势,占据全球市场绝大多数市场份额。我国高度重视第三代半导体发展,在研发、产业化方面出台了一系列支持政策。国家科技部、工信部等先后开展了“战略性第三代半导体材料项目部署”等十余个专项,大力支持第三代半导体技术和产业发展。
早在2014年,工信部发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》提出设立国家产业投资基金,重点支持集成电路等产业发展,促进工业转型升级,同时鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入集成电路领域在去年全国人大发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中,进一步强调培育先进制造业集群,推动集成电路、航空航天等产业创新发展。瞄准人工智能、量子信息、集成电路等前沿领域,实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。
具体来看当前主要应用领域的发展情况:
1.新能源汽车
新能源汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场,全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展,对功率半导体器件需求量日益增加,成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性,在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分,碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品, 由于成本的原因,目前使用比例还相对较低,但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势,通过降低冷却等系统的整体成本找到了市场。
2.光伏
光伏逆变器曾普遍采用硅器件,经过40多年的发展,转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点,将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如,在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里,碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。
3.轨道交通
未来轨道交通对电力电子装置,比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率,有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前,受限于碳化硅功率器件的电流容量,碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升,全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。
4.智能电网
目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。
第三代半导体自从在2021年被列入十四五规划后,相关概念持续升温,迅速成为超级风口,投资热度高居不下。
时常会听到业内说法称,第三代半导体国内外都是同一起跑线出发,目前大家差距相对不大,整个产业发展仍处于爆发前的“抢跑”阶段,对国内而言第三代半导体材料更是有望成为半导体产业的“突围先锋”,但事实真的是这样吗?
从起步时间来看,欧日美厂商率先积累专利布局,比如 英飞凌一直走在碳化硅技术的最前沿,从30年前(1992年)开始包含碳化硅二极管在内的功率半导体的研发,在2001年发布了世界上第一款商业化碳化硅功率二极管 ,此后至今英飞凌不断推出了各种性能优异的碳化硅功率器件。除了产品本身,英飞凌在2018年收购了Siltectra,致力于通过冷切割技术优化工艺流程,大幅提高对碳化硅原材料的利用率,有效降低碳化硅的成本。
安森美也是第三代半导体产业布局中的佼佼者,据笔者了解, 安森美通过收购上游碳化硅供应企业GTAT实现了产业链的垂直整合,确保产能和质量的稳定。同时借助安森美多年的技术积累以及几年前收购Fairchild半导体基因带来的技术补充,安森美的碳化硅技术已经进入第三代,综合性能在业界处于领先地位 。目前已成为世界上少数提供从衬底到模块的端到端碳化硅方案供应商,包括碳化硅球生长、衬底、外延、器件制造、同类最佳的集成模块和分立封装方案。
具体到技术上, 北京大学教授、宽禁带半导体研究中心主任沈波 也曾提出,国内第三代半导体和国际上差距比较大,其中很重要的领域之一是碳化硅功率电子芯片。这一块国际上已经完成了多次迭代,虽然8英寸技术还没投入量产,但是6英寸已经是主流技术,二极管已经发展到了第五代,三极管也发展到了第三代,IGBT也已进入产业导入前期。
另外车规级的碳化硅MOSFET模块在意法半导体率先通过以后,包括罗姆、英飞凌、科锐等国际巨头也已通过认证,国际上车规级的碳化硅芯片正逐渐走向规模化生产和应用。反观国内,目前真正量产的主要还是碳化硅二极管,工业级MOSFET模块估计到明年才能实现规模量产,车规级碳化硅模块要等待更长时间才能量产。
泰科天润也直言,国内该领域仍处于后发追赶阶段:器件方面,从二极管的角度, 国产碳化硅二极管基本上水平和国外差距不大,但是碳化硅MOSFET国内外差距还是有至少1-2代的差距 可靠性方面,国外碳化硅产品市场应用推广较早,积累了更加丰富的应用经验,对产品可靠性的认知,定义以及关联解决可靠性的方式都走得更前一些,国内厂家也在推广市场的过程中逐步积累相关经验产业链方面,国外厂家针对碳化硅的材料优势,相关匹配的产业链都做了对应的优化设计,使之能更加契合的体现碳化硅的材料优势。
OFweek维科网·电子工获悉,泰科天润在湖南新建的碳化硅6寸晶圆产线,第一期60000片/六寸片/年。此产线已经于去年实现批量出货,2022年始至4月底已经接到上亿元销售订单。 作为国内最早从事碳化硅芯片生产研发的公司,泰科天润积累了10余年的生产经验,针对特定领域可以结合自身的研发,生产和工艺一体化,快速为客户开发痛点新品 ,例如公司全球首创的史上最小650V1A SOD123,专门针对解决自举驱动电路已经替换高压小电流Si FRD解决反向恢复的痛点问题而设计。
虽然说IDM方面,我国在碳化硅器件设计方面有所欠缺,少有厂商涉及于此,但后发追赶者也不在少数。
就拿碳化硅产业来看,单晶衬底方面国内已经开发出了6英寸导电性碳化硅衬底和高纯半绝缘碳化硅衬底。 山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能 均已完成6英寸衬底的研发,中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。
此外,在模块、器件制造环节我国也涌现了大批优秀的企业,包括 三安集成、海威华芯、泰科天润、中车时代、世纪金光、芯光润泽、深圳基本、国扬电子、士兰微、扬杰科技、瞻芯电子、天津中环、江苏华功、大连芯冠、聚力成半导体 等等。
OFweek维科网·电子工程认为,随着我国对新型基础建设的布局展开和“双碳”目标的提出,碳化硅和氮化稼等第三代半导体的作用也愈发凸显。
上有国家支持政策,下有新能源汽车、5G通信等旺盛市场需求, 我国第三代半导体产业也开始由“导入期”向“成长期”过渡,初步形成从材料、器件到应用的全产业链。但美中不足在于整体技术水平还落后世界顶尖水平好几年,因此在材料、晶圆、封装及应用等环节的核心关键技术和可靠性、一致性等工程化应用问题上还需进一步完善优化。
当前,全球正处于新一轮科技和产业革命的关键期,第三代半导体产业作为新一代电子信息技术中的重点组成部分,为能源革命带来了深刻的改变。
在此背景下,OFweek维科网·电子工程作为深耕电子产业领域的资深媒体,对全球电子产业高度关注,紧跟产业发展步伐。为了更好地促进电子工程师之间技术交流,推动国内电子行业技术升级,我们继续联袂数十家电子行业企业技术专家,推出面向电子工程师技术人员的专场在线会议 「OFweek 2022 (第二期)工程师系列在线大会」 。
本期在线会议将于6月22日在OFweek官方直播平台举办,将邀请国内外知名电子企业技术专家,聚焦半导体领域展开技术交流,为各位观众带来技术讲解、案例分享和方案展示。
Pasquale Pistorio：积极履行社会责任，共同跨越“数字鸿沟”Pasquale Pistorio从1980年7月起担任意法半导体的领导人，是他带领了一个小小的意大利芯片制造商不断发展壮大，1987年与法国最大半导体公司汤姆逊合并，并于1994年在纽约和巴黎证交所上市。如今的意法半导体已成为全球最大的半导体制造商之一，产品涉及专用IC、微处理器和半定制产品、存贮器、标准IC和分立器件等，员工总数超过5万人。
在商业上取得成功的同时，Pistorio一直坚信企业应该承担相应的社会责任，他倡导有利于环保的可持续生产，还特别热衷于消除所谓的“数字鸿沟”，即有的人能够掌握信息技术并从中得益有的人却不能，从而在两者之间产生极大的不平衡。Pistorio是联合国信息通信工作委员会的成员，致力于缩短“数字鸿沟”所带来的距离。虽然Pistorio今年辞去了意法半导体总裁兼CEO的职务，但其经营思想与取得的成就在相当长一段时间里将依然影响着整个半导体产业。就在他离开意法半导体之际，我们对他进行了专访。
● 在您整个职业生涯中，从技术、商业、政治等方面来看您认为哪些变化是最重要的？
Pistorio：我们生活在人类历史上变化最快的时代――一个以知识为基础的时代。人类经历过石器时代、青铜时代、铁器时代和工业革命时代，现在又发展到了知识时代。在这个时代里，半导体的出现是最有意义、最有助于人类进步的一件事，微电子对人类大脑的帮助就相当于蒸汽机和电动机对我们肌肉的帮助一样。无论是用蒸汽机还是发电，都是利用燃料提升人类的动力，现在的微电子则提升人类思考和交流的能力。
在政治上，最重要的发展趋势是全球化。全球化影响到公司经营的方式，因此它也是一个商业发展趋势。互联网技术是全球性的，没有国界，它使所有的事情都发生得更快，你必须时刻准备才能做出更快的反应，同时所有的事情都变得以消费者为中心。
● 也许有人会说，这些变化以及它们所要求的快节奏并不一定是件好事。
Pistorio：这些变革是会带来一些问题，比如有些人或有些国家会落在后面，这就是所谓的“数字鸿沟”。总的来说，我认为全球化是有积极意义的，重要的是生活质量的改善。变革必须以人类以及提高其生活质量为中心，我们这一代人对全球化发展做了很多，但有几个问题我们必须面对。
首先，富国与穷国之间，以及同一国家贫富人群之间，财富分配差距太大。就我个人意见而言，我认为完全均等不仅不可能，而且也不公平。但你不能让二十亿人挣扎在每天只有2美元的贫困生活中，而让财富集中少数实际上也就是几千人的手中。第二个问题是污染。全球变暖已经是个危险的事实，它比恐怖主义更难以对付。据估计亚洲每年直接死于汽车污染的就有50万，而恶劣的天气导致了数千亿美元的损失，成千上万人的生活也因而支离破碎，第三个问题是人口膨胀。
这三个难题相互联系，最难解决的是第一个，即财富的再分配，这也是因为“世界法则”通常是由富人制定的。经济发达地区人口出生率较低，如果我们能通过财富的再分配帮助赤贫者致富，改善他们的生活质量，那么其他地区人口的出生率也会下降，污染就会减轻，我们就有希望拥有一个可持续发展的未来。
我到世界上一些比较穷的国家旅行时总是觉得难过。我身边的贫困是我的错吗？不！但对这种贫困我有责任吗？是的，我们都有责任。
● 从参加工作到现在，您认为个人最失败和最成功的事情是什么？
Pistorio：总的来说，我对我的事业感到满意。我入行时环境比较宽松，市场快速增长，所以你也许可以说我运气好。不过运气的一个解释是，机会总是垂青于有备之人。
可以这么说，我事业的重要阶段是加入SGS以后开始的。与汤姆逊公司的合并是一个正确的选择，这是打破国界限制的唯一办法，因此最大的成功我会选择SGS。1980年，SGS的年销售额是1亿美元，连续十年亏损，亏损为销售额的20%到50%。而现在的意法半导体是一个百亿美元数量级的大公司，没有债务，公司十年连续盈利。它是世界前五大半导体公司之一，在欧洲名列第一。
● 您对现状满意吗？您认为意法半导体将来发展的商业环境如何？
Pistorio：其实，企业具体排名没有市场份额来得重要。前三甲――英特尔、三星和德州仪器――已经远远抛离对手走在前面，而由英飞凌、瑞萨、意法半导体和东芝组成的第二阵营都在抢第四的位置。1999年我们公布了2007年的远期目标，在远期目标中我们提出要在2007年世界半导体市场上占5%的市场份额。
目前我们还没有达到这个目标。2001年我们达到了4.5%，但后来发生了一些重大的变故，受之影响，2001年到2003年我们的业务出现下滑。许多事情一起爆发，业界的增长速度也不断放慢，年增长率从15%下降到8？10%，这意味着竞争加剧，市场产能过剩。另外美元相对欧元不断贬值，飞利浦、英飞凌和意法半导体全都因此受到了影响。还有一个因素是来自亚洲的竞争，比如中国大概就有600家集成电路设计企业。
以上的几个原因导致意法半导体必须考虑联合其他对手，但我们还是选择了保持公司财务独立性，这必须以减少市场份额为代价。2002年第二季度我们采取了三个举措。首先我们重建成本构成，减少对欧元的依赖。也就是说我们把生产基地转移到亚洲，但不是全部转移，我们将欧洲和亚洲的生产比例从70:30转变为30:70。第二，我们增加了对研发的投入，达到售额的17.5%。我们加快研发步伐，争取更快地推出产品。第三，我们在原来50个最大的OEM客户和12个战略伙伴的基础上扩大了客户群体。
● 意法半导体是否过分依赖12个战略伙伴客户，以致其中某些客户一旦遇到困难，意法半导体也深受其害？
Pistorio：不管过去、现在还是未来，这12家公司都是我们战略的支柱，他们是我们技术发展的驱动力。但是，帮助客户成为市场领袖之后，你自身的发展反而会受到限制，所以你必须在更大的客户群里去发现新一代的潜在领导者和战略伙伴。
半导体企业的整合是我预测错误的一件事。1996年我在金融时报一个会议上展望半导体市场未来时认为，将来占市场份额5%以上的公司不会超过10家，占0.5%至5%的企业也很少，而市场上会有数百家份额低于0.5%的专业公司，我预计这种转化将在九十代末完成。
为什么我预测的结果没有出现呢？第一个原因是高科技市场泡沫的破灭，这使所有的事情放慢了速度。第二个原因是集成电路代工业的崛起降低了集成电路设计业的进入门槛。不过在日本，半导体业的整合还是发生了，并催生了瑞萨和尔必达(Elpida)这两个公司。但在欧洲和美国，这种迹象并不明显。在未来五年里，我们将会看到很多大供应商促使业界的整合。
● 对于您个人来讲，下一步有何打算？我知道您加入了一些欧洲的社会组织，在电子行业您还打算做些什么吗？
Pistorio：其实我认为人到80甚至85岁都还可以很积极地工作，所以在未来10到15年的时间里我想做三件事。第一，我想保持我和高科技行业的联系，尽管这种联系不是通过领导或者执行来完成。我现在是意大利电信公司和菲亚特公司的董事会成员，还有四五家公司也正在邀请我加入他们的董事会。第二，我想履行我的社会责任，包括在缩短数字鸿沟以及其他类似事情上面。第三，我想为我的国家工作。我现在是意大利工业联合会创新与研究副会长，同时我还加入了世界可持续发展商业公会执行委员会。
● 如果请您为刚步入工程技术职业生涯的人提一个建议，您会说什么？
Pistorio：意志坚定，持之以恒，根据社会的要求不断调整自身的职业定位，因为我们不可能将职业责任独立于社会责任之外。
作者：蔡培德
此文章源自《国际电子商情》网站
近期半导体板块走的不错，很多个股底部放量，走出了不错的气势。
可以回顾：
中美关税对抗即将结束，新机遇从 科技 股开始！
科技 股的逻辑不仅仅来自于光刻胶的行业消息。
更重要的是中美对抗的逻辑已发生根本的变化。
美国虽然依然会遏制 科技 的发展，但对于中端产品线会放开限制，只遏制高端，而不是前任的模式通杀。
这就给国内的产业链提供很大的发展机会。
但我们依然要看到，未来中国在自主化产业链上的投入，越来越多越来越深入
华为就是最好的自主投入产业链的案例。
从芯片设计，到全产业链的投资。
更少不了第三代半导体的大笔投入。
山东天岳先进准备冲击上市！
主要从事碳化硅衬底的研发，制造和销售。
为何华为亲自下场投了呢？
很简单，国际大厂已经在引领潮流。
特斯拉Model 3车型就使用了英飞凌和意法半导体的碳化硅单管。
碳化硅单管就是未来的大趋势，替代传统硅基IGBT。
当然除此之外，华为自己的5G基站，也要大量使用此类产品。
未来碳化硅百亿市场规模只是开始，国内各大厂商都已经开始投入研发和新的长线，争夺赛道领导权。
华为早早布局了这个产业，5G和新能源车，都是华为必争之战略要地。
看懂华为的布局，你就能先人一步看懂产业发展发现和逻辑！
这个时候，速度就是最重要的，谁先商业化量产，谁就先成功。
目前正在赛道上比拼的还有很多
传统有MOSFET技术优势的厂商：华润微，士兰微，扬杰 科技
之前写了一个科普文，介绍这些公司，可见前文：
汽车 缺芯预计长达半年！这七家公司闷声发财！
正在布局的厂商：三安光电，露笑 科技 ，楚江新材
据集微网消息：
露笑 科技 的主要产品为6英寸导电型碳化硅衬底片，设备已经进场安装调试，这意味着实验室早已成功做出样片，按理应该同步进行客户端验证，否则产品做出来卖给谁？目前导电型碳化硅最佳落地应用应该是 汽车 功率半导体领域，消息圈有传言露笑 科技 已经与国内某车企的工艺负责人有实质性接触，极有可能已经开始做产品验证
我去翻阅了官方的董秘问答内容。也看到了类似回复。
可见5月28日回复。
露笑 科技 答投资者提问碳化硅进展
答：公司经过多年艰苦卓绝的努力，在第三代半导体碳化硅这个颠覆性材料的技术方面取得突破，目前设备已经开始安装调试。
赛道刚刚发力，就有人抢跑。
现在有产品才是王道，筹划中和产品验证天差地别。
谁先拿出商业化战绩，谁就第一时间获取大量订单！
后续IGBT以及碳化硅的方向，会是市场游资和机构追逐的战场。
目前国际巨头美国CREE公司垄断了碳化硅70%的产能，且5年内的产能被意法，英飞凌，罗姆等公司长协订单绑定。
业绩和领先优势双驱动，就是最好的抱团标的，走过路过不要错过了！
风险提示：相关个股已经发力，追高有风险。
本文仅讨论行业基本面信息，请勿作为买入依据。
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