AT121是什么三极管

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

半导体二极管内部只有一个pn结，若在半导体二极管p型半导体的旁边，再加上一块n型半导体,这种结构的器件内部有两个pn结，且n型半导体和p型半导体交错排列形成三个区，分别称为发射区，基区和集电区。从三个区引出的引脚分别称为发射极，基极和集电极，用符号e、b、c来表示。处在发射区和基区交界处的pn结称为发射结；处在基区和集电区交界处的pn结称为集电结。具有这种结构特性的器件称为三极管。

三极管通常也称双极型晶体管（bjt），简称晶体管或三极管。三极管在电路中常用字母t来表示。因三极管内部的两个pn结互相影响，使三极管呈现出单个pn结所没有的电流放大的功能，开拓了pn结应用的新领域，促进了电子技术的发展。

因图5-1（a）所示三极管的三个区分别由npn型半导体材料组成，所以，这种结构的三极管称为npn型三极管，图5-1（b）是npn型三极管的符号，符号中箭头的指向表示发射结处在正向偏置时电流的流向。

根据同样的原理，也可以组成pnp型三极管，图5-2（a）、（b）分别为pnp型三极管的内部结构和符号。

例如，当看到“ ”符号时，因为该符号的箭头是由基极指向发射极的，说明当发射结处在正向偏置时，电流是由基极流向发射极。根据前面所讨论的内容已知，当pn结处在正向偏置时，电流是由p型半导体流向n型半导体，由此可得，该三极管的基区是p型半导体，其它的两个区都是n型半导体，所以该三极管为npn型三极管。

参考资料：三极管的结构

三极管的几种常见外形，其共同特征就是具有三个电极，这就是“三极管”简称的来历。 通俗来讲，三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构，根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。NPN（一般为硅管）和PNP （一般为锗管） 上述三层结构即为三极管的三个区, 中间比较薄的一层为基区，另外两层同为N型或P型，其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相对较高的一层为发射区，另一层则为集电区。三极管的这种内部结构特点，是三极管能够起放大作用的内部条件。 三个区各自引出三个电极，分别为基极（b） 、发射极（e）和集电极（c）。 三层结构可以形成两个PN结，分别称为发射结和集电结。三极管符号中的箭头方向就是表示发射结的方向。三极管内部结构中有两个具有单向导电性的PN结，因此当然可以用作开关元件，但同时三极管还是一个放大元件，正是它的出现促使了电子技术的飞跃发展。2 三极管的电流放大作用

直流电压源Vcc应大于Vbb，从而使电路满足放大的外部条件：发射结正向偏置，集电极反向偏置。改变可调电阻Rb，基极电流IB，集电极电流Ic 和发射极电流IE都会发生变化，由测量结果可以得出以下结论：

（1） IE ＝ IB ＋ IC ( 符合克希荷夫电流定理）

（2） IC ≈ IB ×? （ ?称为电流放大系数，可表征三极管的电流放大能力）

（3）△ IC ≈ △ IB ×?

由上可见，三极管是一种具有电流放大作用的模拟器件。

LM/TLP都是半导体器件的前缀，过去是发明和生产这些半导体器件企业的代称（比如uA代表仙童公司，MC代表摩托罗拉公司（现在的安森美），LM是国家半导体公司，AD是美国模拟器件公司，AT代表美国ATMEL公司等等），现在随着技术交流扩大，已经不像过去那么狭隘的定义了，比如LM可以由很多其他公司生产，甚至国内半导体企业的产品也是LM带头。我印象中，LM开头的一般都是集成电路而非三极管，你说是三极管，会不会是一些像三极管的集成电路，比如LM35，LM334，LM336等等，这些都是TO92封装，跟小功率三极管外形完全一样，但人家是货真价实的集成电路。

注意：这种前缀只是一个标记，并不一定有实际意义，同样的TLP也是，有些人可以翻译成：Thread-Level Parallelism（线程层并行），也有人认为是（TOSHIBA Line photo-transistor

，东芝线性光电三极管）

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