无锡海太半导体有人了解吗

外资企业海力士借壳太极上市第一步

海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购lg半导体，2001年将公司名称改为（株）海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统ic业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。 海力士半导体是世界第二大dram制造商。目前，海力士半导体致力生产以dram和nand flash为主的半导体产品。海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。从太极与海力士设立合资公司这条公开信息来看，公司的营利水平，生产领域将会发生根本性变化，从下面的公开报道来看，我们有理由相信合资公司只是第一步，江苏很可能让韩国海力士借壳太极上市，推动无锡集成电路产业链的发展，巩固和强化无锡在国内微电子产业的领先地位。5月17日，无锡市与韩国（株）海力士半导体公司共同投资建设12英寸大规模集成电路封装测试项目在南正式签约。该项目建成后，将成为国内规模最大、技术最先进的大规模集成电路封装测试企业。省委书记梁保华出席签约仪式，并会见了韩国海力士半导体有限公司长金钟甲一行。 梁保华对海力士新项目的签约表示热烈祝贺，对金钟甲先生来南出席签约仪式表示欢迎。他说，海力士项目落户的无锡市已成为我国重要的微电子产业基地。海力士项目于2005年投资建设以来，经过两次增资扩产，面对当前国际金融危机，再次投资新项目，体现了海力士的远见和信心，标志着海力士在无锡的发展进入了新的阶段。梁保华表示，江苏将坚定不移地扩大对外经济技术合作，努力为所有投资者创造更富有竞争力的环境。他衷心祝愿海力士半导体新项目建设顺利，尽早投产见效。 金钟甲感谢梁保华的热情接待。他说，在江苏省、无锡市府和各有关方面的大力支持下，海力士—恒亿项目发展势头很好。海力士将尽最大的努力，把在无锡的投资项目做成中国最成功的外商投资企业。 由韩国（株）海力士半导体与恒亿半导体共同投资的无锡海力士—恒亿半导体项目，于2005年4月在无锡新区开工建设，经过两次增资后，投资总额达50亿美元，12英寸晶圆实际产能超过20万片，生产工艺从90纳米升级到54纳米的全球领先水平，成为我国最大的半导体生产基地。此次签约的封装测试项目，投资额为3.5亿美元，建成后将形成12万片月封装测试生产配套能力，同时将进一步推动无锡集成电路产业链的发展，巩固和强化无锡在国内微电子产业的领先地位。所以个人认为太极想象空间巨大。

原文,股票之门 http://bbs.gpzm.com/thread-651202-1-1.html

太极实业将涉足半导体行业 与海力士共同设合资公司

2009-7-20 作者： 来源：

太极实业将与海力士投资1.5亿美元设立合资公司，涉足半导体行业。公司目前产业单一,此举有利于公司的多元化经营。

太极实业发布公告称，公司和海力士将共同投资1.5亿美元在无锡设立合资公司。其中，与海力士分别以现金0.825亿美元（约合人民币5.63亿元）和0.675亿美元向合资公司出资，并分别持有合资公司各55%和45%的股权。同时，在合资公司成立之后可以通过银行进行贷款，贷款金额为2亿美元；即合资公司成立后的初始总资产为3.5亿美元（约合人民币23.91亿元）。合资公司将主要从事半导体生产的后工序服务。在合资公司成立之后，合资公司将使用3.05亿美元向海力士和海力士（无锡）购买探针测试和封装相关资产。

公司目前主要从事涤纶工业长丝、涤纶帘子布、帆布产品的研究、开发、生产及销售。从08年的情况看，受经济危机的影响，公司08年四季度生产、销售均受到一定程度的影响。公司目前产业单一，公司此次涉足半导体行业，有利于公司的多元化经营。同时随着公司一系列项目的投入及后续产品结构的调整，公司在工业丝、涤纶帘子布和帆布的市场地位也将会进一步巩固和提升。

公告显示，海力士是在无锡投资最多的外国公司，海力士最早向无锡市提出了本次交易意向。海力士的交易目的包括：集中经营力量于核心产业领域（前工序）；通过在中国构建前/后工序统筹生产体制，提高制造及物流效率；确保具有竞争力的稳定性外包企业。海力士希望合资公司成为其重要的战略伙伴。海力士2008年销售收入相比2007年下滑21%，全年亏损4.7万亿韩元。2008年末海力士金融负债总额高达7.8万亿韩元，净负债率高达130%，其中一年内到期的短期金融负债达2.6万亿韩元，而海力士截至2008年底的现金余额为0.5万亿韩元。

公司以3.07元/股向控股股东--无锡产业发展集团非公开发行1亿股已完成，控股股东全部以现金认购。本次募资将用于：投资21,850万元对公司控股子公司江苏太极实业新材料有限公司进行增资扩股；剩余募集资金7,650万元用于补充流动资金。本次发行的股份自发行结束之日起36个月不得转让，该部分新增股份预计可上市交易的时间为2012年7月9日。此举将能进一步完善公司的治理结构，有利于公司的未来发展战略。

公司 2009年1-3月每股收益0.007元，每股净资产1.62元，净资产收益率0.44%，营业总收入1.23亿元，同比减少9.79%，实现净利润262.11万元，同比减少21.10%。

1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久， 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。 半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。

半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等和本征半导体。

1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有部封装，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线，不但引进了设备和净化厂房及动力设备等“硬件”，而且还引进了制造工艺技术“软件”。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。第一期742厂共投资2.7亿元（6600万美元），建设目标是月投10000片3英寸硅片的生产能力，年产2648万块IC成品，产品为双极型消费类线性电路，包括电视机电路和音响电路。到1984年达产，产量达到3000万块，成为中国技术先进、规模最大，具有工业化大生产的专业化工厂。 1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。 1983年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领导小组提出“治散治乱”，集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一个点指西安，主要为航天配套。

1986年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略，即普及推广5微米技术，开发3微米技术，进行1微米技术科技攻关。 1988年，871厂绍兴分厂，改名为华越微电子有限公司。 1988年9月，上无十四厂在技术引进项目，建了新厂房的基础上，成立了中外合资公司――上海贝岭微电子制造有限公司。 1988年，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司――上海飞利浦半导体公司（现在的上海先进）。 1989年2月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件，振兴集成电路产业”的发展战略。 1989年8月8日，742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。

1990年10月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。 1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司――首钢NEC电子有限公司。 1995年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以CAD为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。 1995年10月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。 1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九0九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。 1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。 1998年1月18日，“九0八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸圆片的生产能力。 1998年1月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫2000系统，这是我国自主开发的一套EDA系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要，可处理规模达百万门级，支持高层次设计。 1998年2月，韶光与群立在长沙签订LSI合资项目，投资额达2.4亿元，合资建设大规模集成电路（LSI）微封装，将形成封装、测试集成电路5200万块的生产能力。 1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。 1998年3月16日，北京华虹集成电路设计有限责任公司与日本NEC株式会社在北京长城-饭店举行北京华虹NEC集成电路设计公司合资合同签字仪式，新成立的合资公司其设计能力为每年约200个集成电路品种，并为华虹NEC生产线每年提供8英寸硅片两万片的加工订单。 1998年4月，集成电路“九0八”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业771研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。 1998年6月，上海华虹NEC九0九二期工程启动。 1998年6月12日，深港超大规模集成电路项目一期工程――后工序生产线及设计中心在深圳赛意法微电子有限公司正式投产，其集成电路封装测试的年生产能力由原设计的3.18亿块提高到目前的7.3亿块，并将扩展的10亿块的水平。 1998年10月，华越集成电路引进的日本富士通设备和技术的生产线开始验收试制投 片，-该生产线以双极工艺为主、兼顾Bi-CMOS工艺、2微米技术水平、年投5英寸硅片15万片、年产各类集成电路芯片1亿只能力的前道工序生产线及动力配套系统。 1998年3月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发的我国第一个-CMOS微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取得的一项可喜的成绩。 1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品64M同步动态存储器（S－DRAM）。这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。

无锡美新半导体没有倒闭。美新半导体（无锡）有限公司于1999年11月29日在无锡市新吴区市场监督管理局登记成立。法定代表人赵阳，公司经营范围包括研究开发加工制造集成电路和传感器。并提供技术服务等。美新半导体为客户提供从MEMS传感芯片、软件算法和应用方案的一站式解决方案。美新大规模稳定量产的产品有全球独有的热式加速度计、电容式加速度计、AMR地磁传感器、低功耗霍尔开关等产品，广泛应用于汽车、工业、医疗、可穿戴、智能家居、消费电子等领域，通过感知物理世界的位移和运动变化，为人们提供更加智能、可靠、安全的科技体验。

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