如何测量金属和半导体内电子的有效质量

用FN振荡电流的极值,测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式.我有这方面的一个资料。

有效质量指电子或者空穴运动中表现出来的静止质量，反映在迁移率上。迁移率大就意味着有效质量小。

实际测试主要利用电子回旋共振的方法测定有效质量。当然，如果你有具体的能带结构，可以利用求能带顶或底的二次微分的倒数来求得有效质量。

杂质主要有几种，一种是掺杂杂质，包括施主和受主，如P，As(施主），B,Ga（受主）；第二种是复合中心杂质，例如金等，可以通过加入这些材料在禁带内部形成杂质能级提高复合速度。

缺陷，主要包括点缺陷（原子空位），位错和层错。

杂质能级不一定都位于禁带之中，利用类氢模型可以计算杂质能级的位置。

一般来说有：Ec-Ed=13.6eVxm*/(me2) 其中m*为电子有效质量，m为电子质量，e为半导体介电常数。

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