中科院的半导体所怎么样?

中科院的半导体所挺好的，中国科学院半导体研究所于1960年成立，是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。

据2016年9月研究所官网显示，研究所拥有14个科研机构，与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发（转移）中心、9个联合实验室。

拥有3个博士后流动站，3个一级学科博士培养点，包括5个二级学科博士培养点。拥有5个二级学科硕士培养点，3个专业学位硕士培养点。共有职工690余名，在学研究生近600名。

2019年，中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈（LC-DFB）结构，成功实现了2μm波段高性能单模激光器，综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款。

以上内容参考：百度百科--中国科学院半导体研究所

实验室从20世纪90年代开始宽禁带半导体科学研究和人才培养，已成为国内外宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地，2008年实验室成为中国国防科技创新团队。

实验室重视研究成果与应用的结合，多项研究成果已经用于国家和国防重点工程。高质量的GaN和SiC材料外延片可批量提供企业和研究所使用；微波功率器件已经开始用于国家重点工程；GaN的LED成果已经成为陕西省半导体照明的核心技术，产生着辐射和带动作用；自主的MOCVD设备和核心技术开始实现产业化；微纳米器件可靠性技术对推动我国高可靠集成电路发展发挥了重要作用。 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体是继硅和砷化镓（GaAs）之后的第三代半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，可实现高压、高温、高频、大功率、抗辐射微波毫米波器件和短波长光电半导体器件。宽禁带半导体是新一代雷达、通信、电子对抗系统最关键的半导体器件，也是新一代半导体照明关键的器件。

实验室主要研究方向包括：GaN和SiC宽禁带半导体微波毫米波器件；GaN半导体光电子器件与半导体照明技术；宽禁带半导体材料生长核心设备研究；宽禁带半导体材料和器件新机理、新结构与新技术；微纳米半导体器件可靠性与SoC设计。 “极大规模集成电路制造装备与成套工艺”重大科技专项

国家（国防）重大基础研究（973）项目

国家自然科学基金重点和面上项目

国家863计划高技术项目

国防科技预先研究项目

军用电子元器件型谱项目

中俄航天领域科技合作项目

国家电子发展基金和陕西省电子发展基金