PN什么意思

1、PN公称压力

是压力的一种表示方法，主要用在管道及管配件、阀门等壳体设备的压力表示。

2、PN结

通过特殊的“扩散”制作工艺，将一块本征半导体的一半掺入微量的三价元素、变成P型半导体，而将其另一半掺入微量的五价元素、变成N型半导体。

在P型半导体区和N型半导体区的交界面处就会形成一个具有特殊导电性能的薄层，这就是PN结，它对P型区和N型区中多数载流子的扩散运动产生了阻力。

3、航空运输代码

西部航空公司二字代码：PN，西部航空公司三字代码：CHB。西部航空有限责任公司筹建于2004年4月16日，是经中国民用航空总局批准成立的中国西部地区第二家民营航空公司，注册资本人民币8000万元。

由海航集团投资控股，基地设于重庆市江北国际机场，经营范围包括国内航空客货运输、航空公司间代理、航空器维修以及航空器材进出口和航空配餐服务等。2007年6月14日，西部航空有限责任公司正式成立并首航成功。

4、PN是佩恩的简写

《火影忍者》自来也的徒弟，自称为“神”。

个人介绍

姓名：佩恩 (洋名:Pain)(RB名:ペイン) 真名:长门

年龄 - 不明，根据小南只能判断出年龄在30岁左右

身高：六个身体不一样,天道身高大约是176CM

本体:长门

体重：57KG

来自漩涡一族

六道：天道 人间道修罗道畜生道 恶鬼道 地狱道

声优 - 崛内贤雄

戒指 - [零] 代号：零无 右手的第一指

双人同伴：代号[白]真名小南，她是个女人头上插了个纸做的白玫瑰，可以把自己变成许多纸蝴蝶。

身份：雨忍 和一些S级的忍者组成一个最强的组织“晓”！

自来也的徒弟之一。

5、PN 是 Pseudo-Noise

对CDMA网络基站的测量主要涉及以下网络识别参数：Band、CH、SID、NID、Base Station P Rev、PN offset、BSID、Slot Sycle Index、Raw Ec/Io、Rx Power、Tx Power、Tx Adj、Rx Lev以及经纬度

PN码就是Pseudo-Noise Code，是一具有与白噪声类似的自相关性质的0和1所构成的编码序列. 最广为人知的二位元P-N Code是最大长度位移暂存器序列, 简称m-序列 , 他具有长 2的N次方 - 1个位元, 由一具线性回授的m级暂存器来产生.

常见PN offset就是指PN码偏置指数，在IS-95A CDMA 系统中，PN短码的周期是32768 (就是你看到的2的15次方=32768) chip。

将短码每隔64 chip进行划分,于是得到了512 (= 32768 / 64)个不同相位的短码，将这些短码按0至511顺序编号，将该编号称为PN 码偏置指数。

而这512个PN Offset值并不一定能全部被使用，需要根据网络的规模等实际情况确定了步长（Pilot INC）后才能最终确定可以使用的PN Offset值。

参考资料来源：

百度百科-pn

当 N 型半导体和 P 型半导体材料首次结合在一起时，PN 结两侧之间存在非常大的密度梯度。结果是，来自施主杂质原子的一些自由电子开始迁移穿过这个新形成的结，以填充 P 型材料中的空穴，从而产生负离子。

然而，由于电子已经从 N 型硅穿过 PN 结移动到 P 型硅，它们在负侧留下带正电的施主离子 ( N D )，现在来自受主杂质的空穴迁移穿过反方向的结进入有大量自由电子的区域。

结果，沿结的 P 型电荷密度被带负电的受体离子（ N A ）填充，沿结的 N 型电荷密度变为正。这种跨越 PN 结的电子和空穴的电荷转移称为扩散。这些 P 层和 N 层的宽度取决于每一侧分别掺杂受主密度N A和施主密度N D的程度。

这个过程来回持续，直到已经穿过结的电子数量具有足够大的电荷以排斥或阻止任何更多的电荷载流子穿过结。最终将出现平衡状态（电中性情况），当供体原子排斥空穴而受体原子排斥电子时，在结区域周围产生一个“势垒”区域。

由于没有自由电荷载流子可以停留在存在势垒的位置，因此与远离结的 N 和 P 型材料相比，结两侧的区域现在完全耗尽了任何更多的自由载流子。PN 结周围的这个区域现在称为耗尽层。

PN 结每一侧的总电荷必须相等且相反，才能在结周围保持中性电荷状态。如果耗尽层区域的距离为D，则它因此必须在正极侧穿透Dp的距离，在负极侧穿透Dn的距离，给出两者之间的关系： Dp*N A = Dn*N D 以保持电荷中性也称为平衡。

由于 N 型材料失去了电子而 P 型材料失去了空穴，因此 N 型材料相对于 P 型变为正。然后，在结的两侧存在杂质离子会导致在该区域上建立电场，N 侧相对于 P 侧处于正电压。现在的问题是，自由电荷需要一些额外的能量来克服现在存在的势垒，才能穿过耗尽区结。

在PN结的两端之间施加一个合适的正向电压（正向偏压）可以为自由电子和空穴提供额外的能量。克服目前存在的这种势垒所需的外部电压在很大程度上取决于所使用的半导体材料的类型及其实际温度。

通常在室温下，硅耗尽层两端的电压约为 0.6 – 0.7 伏，锗约为 0.3 – 0.35 伏。即使设备没有连接到任何外部电源，这种势垒也始终存在，如二极管所示。

这种跨结的内置电位的意义在于它反对空穴和电子穿过结的流动，这就是为什么它被称为势垒的原因。在实践中，PN 结是在单晶材料中形成的，而不是简单地将两个单独的部件连接或熔合在一起。

这一过程的结果是 PN 结具有整流电流-电压（IV 或 I-V）特性。电触点熔接到半导体的任一侧，以现与外部电路的电连接。制成的电子器件通常称为PN 结二极管或简称为信号二极管。

然后我们在这里看到，可以通过将不同掺杂的半导体材料连接或扩散在一起来制造 PN 结，以生产称为二极管的电子器件，该器件可用作整流器、所有类型的晶体管、LED、太阳能电池的基本半导体结构，以及更多这样的固态设备。

---