长沙韶光半导体有限公司怎么样？

长沙韶光半导体有限公司是2004-03-18在湖南省长沙市长沙县注册成立的有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资)，注册地址位于长沙经济技术开发区螺丝塘路1号德普五和企业园8栋401。

长沙韶光半导体有限公司的统一社会信用代码/注册号是914301217580426182，企业法人高杰，目前企业处于开业状态。

长沙韶光半导体有限公司的经营范围是：集成电路制造；集成电路设计；集成电路封装；电子产品研发；计算机技术开发、技术服务；软件开发；软件技术转让；软件技术服务；电子元件及组件、计算机零配件的销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。在湖南省，相近经营范围的公司总注册资本为463131万元，主要资本集中在1000-5000万和100-1000万规模的企业中，共845家。本省范围内，当前企业的注册资本属于优秀。

长沙韶光半导体有限公司对外投资0家公司，具有1处分支机构。

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Ic产品型号有多种多样，较多见的是有前缀表示厂家。

前缀 生产厂家

AB乐德HFO公司

AD美国模拟器件公司

ADC 美国半导体公司

AM选进微型器件公司

AN日本松下电子工业株式公司

AY美国通用仪器公司

19A 上海无线电十九厂

BA日本东洋电具制作所

BG北京东光电工厂

BGD 北京市半导体器件研究所

BH北京半导体器件三厂

BJ北京电子管厂

BL北京半导体六厂

BW北京半导体器件五厂

CA美国无线电公司

CD无锡江南无线电厂

美国国家半导体公司

CF常州半导体厂

CH上海无线电十四厂

CL苏州半导体总厂

COP 美国无线电公司

cs美国齐端半导体器件公司

CX、CXA 日本索尼公司

D无锡江南无线电器材厂

甘肃泰安七四九厂

风光电工厂

天光集成电器厂

DCA 美国半导体公司

DG北京东光电工厂

DL大连仪表元件厂

DN日本松下电子工业株式公司

EA 日本电气(USA)公司电子陈列部

E、ER甘肃泰安天光电工厂

F甘肃泰安永红器材厂

美国仙童公司

FC上海八三三一厂

FD苏州半导体总厂

FG北京电子管厂

湖北襄樊仪表元件厂

FL贵州都匀风光电子厂

FS贵州都匀四四三三厂

上海无线电七厂

宜昌半导体厂

FY上海八三三一厂

G国际微电路公司

5G上海元件五厂

GD上海电器电子元件厂

HA日本日立株式会社

HD日本日立公司

HF杭州无线电元件二厂

HG华光电子电器厂

HM日本日立株式会社

HMI 哈里斯半导体公司

HN日本日立株式会社

ICL 美国英特锡尔公司

IX日本夏普股份公司

HXT日本日立株式会社

8JM 北京电子管厂

KC日本索尼股份公司

KD北京半导体器件五厂

L/LA/LB/LC/LE 日本三洋电机股份公司

LC/LG 美国通用仪器公司

LD陕西骊山微电子公司

LDD 上海半导体六厂

LF美国国家半导体公司

LH美国NSC

上海无线电十九厂

LJ陕西骊山微电子公司

LM/LP 美国国家半导体公司

M日本三菱电机株式会社

MA加拿大米特尔半导体公司

MB日本富士通有限公司

MC/MCM 美国奠托洛拉半导体公司

MD/MH 加拿大米特尔半导体公司

MK美国莫斯特卡公司

ML加拿大米特尔半导体公司

MLM 美国莫托洛拉半导体公司

MMS 美国奠托洛拉公司

MN日本松下电器公司

MP美国微功率系统公司

MSM日本冲电气公司

MT密特尔半导体公司

删S美国无线电公司

N美国西格尼蒂克公司

南京半导体器件总厂

NE荷兰飞利浦公司

英国麦拉迪公司

NJM/NLM 日本新日元

NT江苏南通晶体管厂

QS长春微电子工厂

RCA美国无线电公司

RSN美国德克萨斯仪器公司

S美国微系统公司

SAB/SAS 德国西门子公司

SB上海无线电十九厂

SBP美国德克萨斯仪器公司

SC上海无线电七厂

SD北京半导体器件二厂

SDA德国西门子公司

欧洲电子联盟

SF上海无线电七厂

SG长沙韶光电工厂

通用硅公司

SH美国仙童公司

SL上海半导体器件十六厂

普莱赛公司

SMC/SN/SNA/SNC/SNH/SNM 美国德克萨斯仪器公司

SP 英国普利斯半导体有限公司

STK 日本三洋电机株式会社

STS 上海无线电七厂、十九厂

SO 西德西门子公司

6S 北京电子管厂

TA 日本东芝电气株式会社

无锡七四二厂

TAA 欧洲联合共同体

（西门子/西格尼蒂克/史普拉格／德律风根／仙童／奠托洛拉等）

TB 天津半导体器件一厂

TBA 风光电工厂

欧洲共同体

贵州四四三三厂

法国汤姆逊公司

日本日立株式会社

TC 日本东芝浦电气股份公司

TCA 西德德德风根公司

TD/TM 日本东芝浦电气株式会社

TDA 荷兰飞利浦公司

英国麦拉迪公司

欧洲电子联盟

意大利亚帝斯电子元件公司

日本日立株式会社

日本电气公司

TMS/TL 美国德萨克斯仪器公司

TFK/U 西德德律风根公司

TPA 西德西门子公司

μA 美国仙童公司

μAA 西德西门子公司

μDA 欧洲电子联盟

μLS/μLX 美国史普拉格公司

μPA/μPC/μPD 日本电气公司

μPC 美国电子公司

UAA 西德西门子公司

UM 通用半导体公司

UL/ULA/ULN美国史普拉格公司

ULN 锦州七七七厂

X 电子工业部二十四研究所

南昌无线电二厂

7XF 陕西商县卫光电工厂

XFC 延河无线电厂

甘肃泰安永红电工厂

XG四川新光电工厂

湖南长沙绍光电工厂

XGF 八七九厂

XR 美国埃克亚集成系统公司

XW 无锡半导体总厂

YA 责州凯里永光电工厂

ZF 甘肃泰安永红电工厂

1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久， 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。 半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。

半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等和本征半导体。

1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有部封装，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线，不但引进了设备和净化厂房及动力设备等“硬件”，而且还引进了制造工艺技术“软件”。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。第一期742厂共投资2.7亿元（6600万美元），建设目标是月投10000片3英寸硅片的生产能力，年产2648万块IC成品，产品为双极型消费类线性电路，包括电视机电路和音响电路。到1984年达产，产量达到3000万块，成为中国技术先进、规模最大，具有工业化大生产的专业化工厂。 1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。 1983年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领导小组提出“治散治乱”，集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一个点指西安，主要为航天配套。

1986年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略，即普及推广5微米技术，开发3微米技术，进行1微米技术科技攻关。 1988年，871厂绍兴分厂，改名为华越微电子有限公司。 1988年9月，上无十四厂在技术引进项目，建了新厂房的基础上，成立了中外合资公司――上海贝岭微电子制造有限公司。 1988年，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司――上海飞利浦半导体公司（现在的上海先进）。 1989年2月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件，振兴集成电路产业”的发展战略。 1989年8月8日，742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。

1990年10月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。 1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司――首钢NEC电子有限公司。 1995年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以CAD为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。 1995年10月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。 1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九0九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。 1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。 1998年1月18日，“九0八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸圆片的生产能力。 1998年1月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫2000系统，这是我国自主开发的一套EDA系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要，可处理规模达百万门级，支持高层次设计。 1998年2月，韶光与群立在长沙签订LSI合资项目，投资额达2.4亿元，合资建设大规模集成电路（LSI）微封装，将形成封装、测试集成电路5200万块的生产能力。 1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。 1998年3月16日，北京华虹集成电路设计有限责任公司与日本NEC株式会社在北京长城-饭店举行北京华虹NEC集成电路设计公司合资合同签字仪式，新成立的合资公司其设计能力为每年约200个集成电路品种，并为华虹NEC生产线每年提供8英寸硅片两万片的加工订单。 1998年4月，集成电路“九0八”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业771研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。 1998年6月，上海华虹NEC九0九二期工程启动。 1998年6月12日，深港超大规模集成电路项目一期工程――后工序生产线及设计中心在深圳赛意法微电子有限公司正式投产，其集成电路封装测试的年生产能力由原设计的3.18亿块提高到目前的7.3亿块，并将扩展的10亿块的水平。 1998年10月，华越集成电路引进的日本富士通设备和技术的生产线开始验收试制投 片，-该生产线以双极工艺为主、兼顾Bi-CMOS工艺、2微米技术水平、年投5英寸硅片15万片、年产各类集成电路芯片1亿只能力的前道工序生产线及动力配套系统。 1998年3月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发的我国第一个-CMOS微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取得的一项可喜的成绩。 1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品64M同步动态存储器（S－DRAM）。这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。

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