
A- INTECH(美国英特奇公司
AC TEXAS INSTRUMENTS [T1](美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
AD ANALOG DEVICES(美国模拟器件公司) http://www.analog.com/
AM ADVANCED MICRO DEVICES(美国先进微电子器件公司) http://www.advantagememory.com/
AM DATA-INTERSIL(美国戴特-英特锡尔公司) http://www.datapoint.com/
AN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
AY GENERAL INSTRUMENTS[G1](美国通用仪器公司)
BA ROHM(日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司) http://www.rohmelectronics.com/
BX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CA RCA(美国无线电公司)
CA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
CA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
CAW RCA(美国无线电公司)
CD FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
CD RCA(美国无线电公司)
CIC SOLITRON(美国索利特罗器件公司)
CM CHERRY SEMICONDUCTOR(美国切瑞半导体器件公司) http://www.cherry-semi.com/
CS PLESSEY(英国普利西半导体公司)
CT SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXA SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXD SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXK DAEWOO(韩国大宇电子公司)
DBL PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
DN AECO(日本阿伊阔公司)
D...C GTE(美国通用电话电子公司微电路部)
EA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
EEA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
EF THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
EFB PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
EGC THOMSON-SGF(法国汤姆逊半导体公司)
ESM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
F FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
FCM FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
G GTE(美国微电路公司)
GD GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GL GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GM GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
HA HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
HD HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
HEF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
HM, HZ HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
ICL, IG INTERSIL(美国英特锡尔公司)
IR, IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
ITT, JU ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
KA, KB SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
KC SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
KDA SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
KIA, KID KEC(韩国电子公司)
KM KS SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
L SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
L SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LA SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LB SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LC SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LC GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
LF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
LF NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LH NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LH LK SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
LM SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LM SIGNETICS(美国西格尼蒂公司) http://www.spt.com/
LM FAIRCILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
LM SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
LM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
LM MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
LM SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
LP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LR LSC SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
M SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
M MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/
MA ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/
MAX (美国)美信集成产品公司 http://www.maxim-ic.com/ http://www.maxim-ic.com.cn/
MB FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MBM FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MC MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
MC PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
MC ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/
MF MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/
MK MOSTEK(美国莫斯特卡公司)
ML PLESSEY(美国普利西半导体公司)
ML MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司) http://www.mitelsemi.com/
MLM MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
MM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
MN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
MN MICRO NETWORK(美国微网路公司)
MP MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)
MPS MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)
MSM OKI(美国OKI半导体公司) http://www.oki.com/
MSM OKI(日本冲电气有限公司) http://www.oki.com/
N NA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NC NITRON(美国NITROR公司)
NE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
NE MULLARD(英国麦拉迪公司)
NE SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
NJM NEW JAPAN RADIO(JRC)(新日本无线电公司)
OM PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
OM SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
RC RAYTHEON(美国雷声公司)
RM RAYTHEON(美国雷声公司)
RH-IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
S SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
S AMERICAN MICRO SYSTEMS(美国微系统公司)
SA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAA GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
SAA ITT(德国ITT-半导体公司) http://www.ittcannon.com/
SAB SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAB AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAF SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAK PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SAS HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
SAS AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAS SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SDA (德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SC SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SG SILICON GENERAL(美国通用硅片公司) http://www.ssil.com/
SG MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
SG PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SH FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
SI SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SK RCA(美国无线电公司)
SL PLESSEY(英国普利西半导体公司)
SN MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
SN TEXAS INSTRUMENTS(TI)(德国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
SND SSS(美国固体科学公司) http://www.s3.com/
SO SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SP PLESSEY(英国普利西半导体公司)
STK SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
STR SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SW PLESSEY(英国普利西半导体公司)
T TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
T GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
TA TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TAA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TAA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TAA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
TAA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TAA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TBA FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
TBA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TBA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TBA HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
TBA NEC EIECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
TBA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TBA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TBA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TBA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TBA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TBA NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TBA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TBA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
TBA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TC TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TCA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TCA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TCA SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)
TCA MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体公司) http://www.motorola.com/
TCA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TCA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TCA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TCA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TCA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
TCA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TCA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TCM TEXAS INSTRUMENTS[TI](美国德克萨斯仪器公司) http://www.it.com/
TDA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TDA SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)
TDA MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体公司) http://www.motorola.com/
TDA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TDA NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TDA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TDA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TDA NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
TDA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TDA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TDA HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
TDA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利-SGS亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TDA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TDA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
TDA RCA(美国无线电公司)
TDA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TDA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TDB THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TDC TRW LSI PRODUCTS(美国TRW大规模集成电路公司)
TEA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TEA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
TL TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司) http://www.toshiba.com/
TL MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
TM TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TMM TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TMS TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
TP TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
TP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TPA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TUA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
U AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
UAA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
UC SOLITRON(美国索利特罗器件公司) http://www.solitron.com/
ULN SPRAGUE EIECTRIC(美国史普拉格电子公司) http://www.sharp.com/
ULN SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
ULN MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
ULS SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司) http://www.sharp.com/
ULX SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司) http://www.sharp.com/
XR TEXAR INTEGRATED SYSTEMS(美国埃克萨集成系统公司) http://www.ti.com/
YM YAMAHA(日本雅马哈公司) http://www.yamaha.co.jp/
UA MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
UA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
UA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
UA FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
UAA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
UPA NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPB NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPC NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPD NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPD NEC-MIRO(美国NEC电子公司微电脑分部) http://www.nec-global.com/
电阻器与电位器;
符号详见图 1 所示;
1,( a )表示一般的阻值固定的电阻器。
2,( b )表示半可调或微调电阻器。
3,( c )表示电位器。
4,( d )表示带开关的电位器。
5,电阻器的文字符号是“ R ”。
6,电位器是“ RP ”,即在 R 的后面再加一个说明它有调节功能的字符“ P ”。
电容器的符号;
1,( a )表示容量固定的电容器。
2,( b )表示有极性电容器,例如各种电解电容器。
3,( c )表示容量可调的可变电容器。
4,( d )表示微调电容器。
5,( e )表示一个双连可变电容器。
6,电容器的文字符号是 C 。
电感器的符号;
电感线圈在电路图中的图形符号见图 3 。
1,( a )是电感线圈的一般符号。
2,( b )是带磁芯或铁芯的线圈。
3,( c )是铁芯有间隙的线圈。
4,( d )是带可调磁芯的可调电感。
5,( e )是有多个抽头的电感线圈。
6,电感线圈的文字符号是“ L ”。
变压器的图形符号;
1,( a )是空芯变压器。
2,( b )是滋芯或铁芯变压器。
3,( c )是绕组间有屏蔽层的铁芯变压器。
4,( d )是次级有中心抽头的变压器。
5,( e )是耦合可变的变压器。
6,( f )是自耦变压器。
7,( g )是带可调磁芯的变压器。
8,( h )中的小圆点是变压器极性的标记。
送话器、拾音器和录放音磁头的符号;
1,送话器的符号见图 5 ( a )( b )( c )。
2,( a )为一般送话器的图形符号。
3,( b )是电容式送话器。
4,( c )是压电晶体式送话器的图形符号。
5,送话器的文字符号是“ BM ”。
拾音器俗称电唱头;
图 5 ( d )是立体声唱头的图形符号,它的文字符号是“ B ”。
图 5 ( e )是单声道录放音磁头的图形符号。如果是双声道立体声的,就在符号上加一个“ 2 ”字,见图( f )。
扬声器、耳机的符号;
扬声器、耳机都是把电信号转换成声音的换能元件。
耳机的符号见图 5 ( g )。
它的文字符号是“ B E ”。
扬声器的符号见图 5 ( h ),它的文字符号是“ BL ”。
接线元件的符号;
电子电路中常常需要进行电路的接通、断开或转换,这时就要使用接线元件。
接线元件有两大类:
一类是开关。
另一类是接插件。
( 1 )开关的符号
在机电式开关中至少有一个动触点和一个静触点。当我们用手扳动、推动或是旋转开关的机构,就可以使动触点和静触点接通或者断开,达到接通或断开电路的目的。动触点和静触点的组合一般有 3 种:
① 动合(常开)触点,符号见图 6 ( a )
② 动断(常闭)触点,符号是图 6 ( b )
③ 动换(转换)触点,符号见图 6 ( c )。
一个最简单的开关只有一组触点,而复杂的开关就有好几组触点。
开关在电路图中的图形符号见图 7 。
1,( a )表示一般手动开关
2,( b )表示按钮开关,带一个动断触点
3,( c )表示推拉式开关,带一组转换触点图中把扳键画在触。
点下方表示推拉的动作
1,( d )表示旋转式开关,带 3 极同时动合的触点
2,( e )表示推拉式 1×6 波段开关
3,( f )表示旋转式 1×6 波段开关的符号。
4,开关的文字符号用“ S ”,对控制开关、波段开关可以用“ SA ”,对按钮式开关可以用“ SB ”。
( 2 )接插件的符号
接插件的图形符号见图 8 ;
1,( a )表示一个插头和一个插座,(有两种表示方式)左边表示插座,右边表示插头。
2,( b )表示一个已经插入插座的插头。
3,( c )表示一个 2 极插头座,也称为 2 芯插头座。
4,( d )表示一个 3 极插头座,也就是常用的 3 芯立体声耳机插头座。
5,( e )表示一个 6 极插头座。为了简化也可以用图( f )表示,在符号上方标上数字 6 ,表示是 6 极。
6,接插件的文字符号是 X 。为了区分,可以用“ XP ”表示插头,用“ XS ”表示插座。
继电器的符号;
因为继电器是由线圈和触点组两部分组成的,所以继电器在电路图中的图形符号也包括两部分:
一个长方框表示线圈
一组触点符号表示触点组合。
当触点不多电路比较简单时,往往把触点组直接画在线圈框的一侧,这种画法叫集中表示法,如图 9 ( a )。
当触点较多而且每对触点所控制的电路又各不相同时,为了方便,常常采用分散表示法。就是把线圈画在控制电路中,把触点按各自的工作对象分别画在各个受控电路里。这种画法对简化和分析电路有利。
但这种画法必须在每对触点旁注上继电器的编号和该触点的编号,并且规定所有的触点都应该按继电器不通电的原始状态画出。
图 9 ( b )是一个触摸开关。当人手触摸到金属片 A 时, 555 时基电路输出( 3 端)高电位,使继电器 KR1 通电,触点闭合使灯点亮使电铃发声。 555 时基电路是控制部分,使用的是 6 伏低压电。电灯和电铃是受控部分,使用的是 220 伏市电。
继电器的文字符号都是“ K ”。
有时为了区别,交流继电器用“ KA ”,电磁继电器和舌簧继电器可以用“ KR ”,时间继电器可以用“ KT ”。
电池及熔断器符号
电池的图形符号见图 10 ;
长线表示正极,短线表示负极,有时为了强调可以把短线画得粗一些。
1,图 10 ( b )是表示一个电池组。有时也可以把电池组简化地画成一个电池,但要在旁边注上电压或电池的数量。
2,图 10 ( c )是光电池的图形符号。
3,电池的文字符号为“ GB ”。
4,熔断器的图形符号见图 11 ,它的文字符号是“ FU ”。
二极管、三极管符号;
半导体二极管在电路图中的图形符号见图 12 。
1,( a )为一段二极管的符号,箭头所指的方向就是电流流动的方向,就是说在这个二级管上端接正,下端接负电压时它就能导通。
2,图( b )是稳压二极管符号。
3,图( c )是变容二极管符号,旁边的电容器符号表示它的结电容是随着二极管两端的电压变化的。
4,图( d )是热敏二极管符号。
5,图( e )是发光二极管符号,用两个斜向放射的箭头表示它能发光。
6,图( f )是磁敏二极管符号,它能对外加磁场作出反应,常被制成接近开关而用在自动控制方面。
7,二极管的文字符号用“ V ”,有时为了和三极管区别,也可能用“ VD ”来表示。
由于 PNP 型和 NPN 型三极管在使用时对电源的极性要求是不同的,所以在三极管的图形符号中应该能够区别和表示出来。
图形符号的标准规定:只要是 PNP 型三极管,不管它是用锗材料的还是用硅材料的,都用图 13 ( a )来表示。
同样,只要是 NPN 型三极管,不管它是用锗材料还是硅材料的,都用图 13 ( b )来表示。图 13 ( c )是光敏三极管的符号。图 13 ( d )表示一个硅 NPN 型磁敏三极管。
晶闸管、单结晶体管、场效应管的符号;
晶闸管是晶体闸流管或可控硅整流器的简称,常用的有单向晶闸管、双向晶闸管和光控晶闸管,它们的符号分别为图 14 中的( a )( b )( c )。
晶闸管的文字符号是“ VS ”。
单结晶体管的符号见图 15 ;
利用电场控制的半导体器件,称为场效应管,它的符号如图 16 所示;
1,( a )表示 N 沟道结型场效应管。
2,( b )表示 N 沟道增强型绝缘栅场效应管。
3,( c )表示 P 沟道耗尽型绝缘栅场效应管。它们的文字符号也是“ VT ”。
扩展资料;
电路图主要由元件符号、连线、结点、注释四大部分组成 。
元件符号表示实际电路中的元件,它的形状与实际的元件不一定相似,甚至完全不一样。但是它一般都表示出了元件的特点,而且引脚的数目都和实际元件保持一致。
连线表示的是实际电路中的导线,在原理图中虽然是一根线,但在常用的印刷电路板中往往不是线而是各种形状的铜箔块,就像收音机原理图中的许多连线在印刷电路板图中并不一定都是线形的,也可以是一定形状的铜膜。 结点表示几个元件引脚或几条导线之间相互的连接关系。
所有和结点相连的元件引脚、导线,不论数目多少,都是导通的。 注释在电路图中是十分重要的,电路图中所有的文字都可以归入注释—类。细看以上各图就会发现,在电路图的各个地方都有注释存在,它们被用来说明元件的型号、名称等等。
参考资料;百度百科-电路图
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表(0条)