pad是晶圆制造的那一层吗

这里所谓的PAD就是指芯片内部晶圆的标号，.Pad焊垫、园垫

是指零件引脚在板子上的焊接基地.

晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

PAD：缓冲/存器单元(在电子电路板上它也可以表示焊盘)

I/O PAD：输入/输出缓存器

I/O PAD Structure：输入/输出缓冲器结构

Output PAD：输出缓冲器(单元)

Input PAD：输入缓冲器(单元)

Tri-State PAD：三态缓冲器(三态就是高电平，低电平，和高阻态。)

Bidirectional PAD：双向缓冲器(也就是在此时刻可以做输入缓冲器输入数据，在彼时刻可以做输出缓冲器输出数据，数据在不同时刻传输可以是输入或输出是双向的)

VDD：电源正极，比如+3/+5/+9/+12/+15/+18/+28v

VSS：电源负极或地电位，比如-3/-5/-9/-12/-18/-28v(双极性时)或0v(单极性时)

缓冲器是数字元件的其中一种，它对输入值不执行任何运算，其输出值和输入值一样，但它在计算机的设计中不可或缺。

缓冲器分为两种，常用缓冲器（常说缓冲器）和三态缓冲器。常规缓冲器总是将值直接输出，用在推进电流到高一级的电路系统。三态缓冲器除了常规缓冲器的功能外，还有一个选项卡通输入端，用E表示。当E=0和E=1时有不同的输出值。

当E=1时，选通，其输入直接送到输出；

若E=0，缓冲器被阻止，无论输入什么值，输出的总是高阻态，用Z表示。高阻态能使电流降到足够低，以致于象缓冲器的输出没有与任何东东相连。

电子电路中缓冲器使用极为广泛，其作用不可或缺。主要有：

1 在数据传输中，使高速工作的CPU与慢速工作的外设起协调，使中断得以实现，提高了CPU的效率。把数据存放到缓冲器中的技术叫做缓冲。

2 可以在一定程度上增加电路的驱动即带负载能力

3 可以延时满足某些需要延时的场合

4 可以起隔离作用，可以避免外部信号或瞬间浪涌电流等对内部电路和CPU的冲击，起保护内部电路作用

（以上为原创）

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