半导体集成电路的参考书目

书 名: 现代半导体集成电路

作　者：杨银堂 刘帘曦

出版社： 电子工业出版社

出版时间： 2009年04月

ISBN: 9787121082542

开本： 16开

定价: 28.00 元 第1章 集成电路器件与模型

第2章 集成电路制造技术

第3章 晶体管一晶体管逻辑（TTL）电路

第4章 发射极耦合逻辑与集成注入逻辑电路

第5章 双极模拟集成电路

第6章 CMOS基本逻辑电路

第7章 CMOS数字电路子系统

第8章 现代半导体存储器

第9章 CMOS基本模拟电路

第10章CMOS运算放大器

第11章　CMOS开关电容电路

第12章　CMOS数据转换器

第13章　CMOS锁相环（PLL）

第14章　集成电路版图设计

第15章　集成电路可靠性设计与可测性设计

第16章　片上系统（SoC）设计初步 1. C. Mead and L. Conway,Introduction to VLSI System, Addison-Wesley, London, 1978.

2. 复旦大学微电子教研室编著:《半导体集成电路》,上海人民出版社，上海，1980。

3. P.Richnian,MOS Field-Effect Transistor and Integrated Circuit, John Wiley &Sons, New York,1973.

4. M. L. Toptev, Thick-film Microelectronics,VanNostrand Reinhold Co., New York, 1971.

1、集电极电位不相同的NPN晶体管必须放在不同的隔离区，而集电极电位相同的NPN晶体管可以放在同一个隔离区内。2、多数电阻原则上都可以放在同一个隔离区内，只要保证它们之间实现电隔离。3、基区扩散电阻两端电位不高于NPN晶体管集电极电位时，可与NPN晶体管同放一个隔离区内；基区扩散电阻两端电位不高于横向PNP晶体管基极电位时，可与横向PNP晶体管同放一个隔离区内。

根据这几条比对电路图。这个电路实际上是个反相器，或者说是交流转直流的一个东西。VI高电平时输出低电平，VI低电平时，或者为负时输出高电平。

根据那几条，可以看出Q5、Q6为一个区，其他为一个区。

仅是个人观点，对隔离区不是很了解

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