半导体器件供电电压为什么一般为3.3V或5V?谢谢!

目前半导体IC都是由TTL或CMOS构成，因为TTL和CMOS的高低电平的值不一样（ttl5v<＝＝>cmos3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。

二极管有正向和反向的区别，不同材质也会有所不同，一般正向导通电压，锗二极管是0.2~0.3V，普通硅二极管是0.5~0.7V，硅整流管是1~1.2V，肖特基二极管大约是0.3V~1V。

大功率半导体器件一般是指电压等级在1200V以上，电流在300A以上的开关器件，包括大功率二极管、晶闸管、GTO、IGBT、IGCT、ETO等，900V以上的mosfet也可称为大功率器件，但是要看相应的电流等级。这些器件基本上是以硅材料为基础，经过不同的工艺生产条件生产出来。按照其功能分类，可为全控型器件和半控型器件，全控型如IGBT、IGCT、ETO等，就是通过门极可以控制器件的开通与关断，半控型器件的代表就是晶闸管，只能控制开通，而不能控制关断。

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