美籍华人 李政道 1957年诺贝尔物理学奖
美籍华人 丁肇中 1976年诺贝尔物理学奖
美籍华人 朱棣文 1997年诺贝尔物理学奖
美籍华人 崔 琦 1998年诺贝尔物理学奖
美籍华人 李远哲 1986年诺贝尔化学奖
美籍华人 高行健 2000年诺贝尔文学奖
诺贝尔奖自1901年颁发以来，共有六位华人获诺贝尔科学奖，他们分别是李政道、杨振宁、丁肇中、李远哲、朱棣文和崔琦 。
1957年，李政道和杨振宁因“发现宇称原理的破坏”而被授予诺贝尔物理学奖。
1976年丁肇中因“发现一类新的基本粒子”而获得诺贝尔物理学奖。
1986年李远哲因“发明了交叉分子束方法使详细了解化学反应的过程成为可能，为研究化学新领域—反应动力学作出贡献”而获得诺贝尔化学奖。
1997年朱棣文因“发明了用激光冷却和俘获原子的方法”荣获诺贝尔物理学奖。
1998年，崔琦与德国的霍斯特·斯托尔默和美国的罗伯特·劳克林因在量子物理学研究做出的重大贡献而获诺贝尔物理学奖。
1957年诺贝尔物理学奖获得者杨振宁简介
杨振宁，安徽省合肥县人，民国十一年八月二十二日出生。
一九二八年就读厦门国小、一九三三年就读北平崇德中学、一九三八年插班昆明昆万中学高中二年级、一九四二年西南联大毕业、一九四四年西南联大研究所毕业、一九四五年在西南联大附中教学后赴美、一九四八年夏完成芝加哥大学博士学位一九四九年秋天普林斯顿大学研究、一九五七年获诺贝尔物理奖、一九五八年当选中央研究院院士、一九六五年应纽约州立大学校长托尔邀请筹备创立石溪分校研究部门、一九六六年离普林斯顿赴纽约州立大学石溪分校主持物理研究所，担任教授至今。杨氏于一九三八年以高二的同等学历，考取当时由清华、北大、南开三个大学合并的西南联大的化学系，后来改念物理系。
一九五七年，和李政道合作推翻了爱因斯坦的“宇称守恒定律”，获得诺贝尔物理奖学金。他们这项贡献得到极高评价，被认为是物理学上的里程碑之一。尽管他们早已入了美籍，但也是“美籍华人”，消息传来，中国人无不引以为傲。杨氏也是以曾经接受中国文化的薰陶为自傲的，那年他们在接受诺贝尔奖金的时候，由他代表致辞，最后一段，他说：“我深深察觉到一桩事实，这就是：在广义上说，我是中华文化和西方文化的产物，既是双方和谐的产物，又是双方冲突的产物，我愿意说我既以我的中国传统为骄傲，同样的，我又专心致于现代科学。
1957年诺贝尔物理学奖获得者李政道简介
一九四五年的春天，忽然有一个胖胖的，十几岁孩子来找我。拿了一封介绍信。信是一九三一年我初到密其根大学遇见的梁大鹏兄写的。梁不习物理，十几年未通音讯了，不知怎样会想起我来。他介绍来见我的孩子叫李政道。他原在宜山浙江大学，读过一年级，因为日军逼近宜山，他便奔去重庆。他的姑姑认识梁，梁便介绍李来昆明见我。那时是学年的中间，不经考试，不能转学，我便和联大教二年级物理数学课程的几位先生商量，让李去随班听讲考试，如他合格，则候暑假正式转学入二年级时，可免他再读二年级的课程。其实这不过是我自己以为合理的办法，并未经学校正式承认许可的
李应付课程，绰有馀裕，每日都来我处请我给他更多的阅读物及习题。他求知心切，真到了奇怪的程度。有时我有风湿痛，他替我捶背。他帮我作任何家里的琐事。我无论给他甚么难的书和题目，他很快的做完了，又来索更多的。我由他的作问题的步骤，很容易的发现他的思想敏捷，大异寻常。老实的说，在此后的一年中，我因为自己的问题——冠世(吴博士之夫人——编者)的卧病；每日的买菜，升炉，煮饭；物价的日日上涨，实在没有心绪来预备许多的参考书和题目给他。好在他的天资高，亦不需我的讲解。
一九四五年，曾昭抡先生忽然来找我，说军政部部长陈辞修先生、次长俞大维先生，想约我和华罗庚谈谈为军政部计划些科学工作事。我和曾虽是同事十年多，华亦六七年，但都无深交。陈俞二先生，更从未晤面。我所习的物理，亦与实用无关。但想想，去谈谈亦无碍。于是和华去渝，先后见俞、陈二先生。
陈俞二先生想知道怎么计划，以有助国防的科学工作机构的意思。我即想了几日，拟就一建议，以为我国人材缺乏，任何计划，必须从根做起，即是：(1)成立研究机构，培植各项基本工作人材，(2)初步可派物理，数学，化学人员外出，研习观察近年来各部门科学进展情形，拟一具体建议，计划筹建一研究机构，并即时选送优秀青年数人出国，习物理、数学等基本科学。
我拟写的建议，陈俞二先生考虑后，以为可行，即令华和我负责数学及物理二部门。我们并建议请曾昭抡负责化学部门。
返昆明后，我告冠世一切经过。谈到推选青年习物理者二人时，冠世和我皆不犹疑的决选李政道。当时在西南联大的研究生及助教中，天赋勤奋未有如李的(杨振宁已考取清华留美；黄昆考取中英庚款留英)。
李政道表示，虽然他在吴大猷门下只有一年二个月的时间，但却是他一生中获益最多的时期。他说，我从吴师学到的不仅包括人格的涵养，最重要的是学到对知识的『忠诚』(dedication)。然而对这样一段重要过程，李政道却谈得不多。因为他认为，我与吴师的关系很长，不是一句可以说得完的，否则也就不重要了。他承认，吴大猷是影响他最深远的一位师长。
1976年诺贝尔物理学奖获得者丁肇中简介
1936年1月27日出生于美国，3个月后随父母回到中国。
1956年到美国密西根大学，在物理系与数学系学习。
1960年获硕士学位。
1962年获博士学位，在瑞士欧洲核子中心工作一年。
1964年起在美国哥伦比亚大学工作。
1976年获得诺贝尔物理奖。
1997年诺贝尔物理学奖获得者朱棣文简介
瑞典皇家科学院1997年10月15日宣布，本年度的诺贝尔物理学奖授予美国斯坦福大学物理教授朱棣文、美国标准与技术研究所的菲利普斯和法国学者科昂.塔诺季，以表彰他们发明了用激光冷却进行低温下俘获原子的方法。这是继杨振宁、李政道、丁肇中和李远哲之后又一位获得诺贝尔奖的美籍华裔科学家，也是华人4次获得诺贝尔物理奖。
1998年诺贝尔物理学奖获得者崔琦简介
瑞典皇家科学院九八年十月十三日宣布，把一九九八年诺贝尔物理学奖授予德国科学家霍斯特·斯托尔默、美籍华人科学家崔琦和美国科学家罗伯特·劳克林，以表彰他们为量子物理学研究做出的重大贡献。崔琦是香港培正中学的毕业生。
瑞典皇家科学院十三日在斯德哥尔摩发表的新闻公报说，斯托尔默教授和崔琦教授在一九八二年对在强磁场和超低温实验条件下的电子进行了研究。他们发现，在这种条件下大量相互作用的电子可以形成一种新的量子流体，这种量子流体具有一些特异性质。
一年之后，劳克林教授对他们的实验结果做出了解释。在这一发现的基础上，科学家又陆续作出一些重大发现。公报强调说，这三位科学家的成果是量子物理学领域内的重大突破，它为现代物理学许多分支中新的理论发展做出了重要贡献。
崔琦和斯托尔默在一九八二年对在强磁场和超低温实验条件下的电子进行了研究。他们将两种半导体晶片砷化镓和砷氯化镓压在一起，这样大量电子就在这两种晶片交界处聚集。他们将这种晶片结合体放置在仅比绝对零度高十分之一摄氏度(约摄氏零下二百七十三度)的超低温环境中，然后加以相当于地球磁场强度一百万倍的超强磁场。他们发现，在这种条件下大量相互作用的电子可以形成一种新的量子流体，这种量子流体具有一些特异性质，比如阻力消失、出现几分之一电子电荷的奇特现象等。一年之后，劳克林教授对他们的实验结果做出了解释。在这一发现的基础上，科学家又陆续作出一些重大发现。
电子量子流体现象的发现是量子物理学领域内的重大突破，它为现代物理学许多分支中新的理论发展做出了重要贡献。今年四月，崔琦因此获得美国著名的弗兰克林奖。
崔琦在互联网自己开设的网址上称，他的主要学术兴趣是研究金属和半导体中电子的性质。他的这些研究将可应用于研制功能更强大的电脑和更先进的通信设备。
诺贝尔物理学奖得主之一的崔琦，一九三九年生于中国河南省，五十年代到香港接受教育，一九五七年在培正中学毕业，随后到美国继续深造，一九六七年在美国芝加哥大学获物理学博士学位，此后到贝尔实验室工作，一九八二年至今任美国普林斯顿大学教授，目前他从事电子材料基本性质等领域的研究。崔琦的妻子是美国人，他们有两个女儿。
在美国，据新华社引述崔琦教授来自中国的学生李济群等人介绍，崔琦为人随和，但对学生要求非常严格。他思维敏锐，在师生中威望很高。十三日清晨崔琦像往常一样来到学校，当大家向他表示祝贺时，他像平常那样微微一笑，只说了句“谢谢”就躲了起来。据介绍，崔琦非常关心祖国，经常与中国学生谈论祖国的发展情况。
1986年度诺贝尔化学奖获得者李远哲简介
李远哲(Yuan Tseh Lee)，公元1936年11月29日生于中国台湾省新竹市，先后就读于新竹国民小学、新竹中学；1959年毕业于台湾大学化学，1961年在台湾清华大学原子科学研究所考获硕士学位。
1962年赴美国柏克莱加州大学，在化学系读博士班。1965年获得博士学位后，加入劳伦斯.柏克莱实验室，跟布鲁士.马亨教授做博士后研究，1967年转到哈佛大学继续博士后研究。1968年，受聘于芝加哥大学，任化学系助理教授，1971年任副教授，1973年任教授。1974年以后在柏克莱加州大学化学系任教授，同时担任劳伦斯.柏克莱实验室高级主任研究员。1979年当选美国国家科学院院士。1980年当选为中央研究院院士。1994年被聘为中央研究院院长。
李远哲主要从事化学动态学的研究，在化学动力学、动态学、分子束及光化学方面贡献卓著。分子束方法是一门新技术，1960年才开始试验成功，交叉分子束方法起初只适用于碱金属的反应，后来由李远哲在1967年同赫休巴赫(D. R. Herschbach)教授共同研究创造，把它发展为一种研究化学反应的通用的有力工具。此后十多年中，又经李远哲将这项技术不断加以改进创近，用于研究较大分子的重要反应。他所设计的“分子束碰撞器”和“离子束碰撞器”，已能深入了解各种化学反应的每一个阶段过程，使人们在分子水平上研究化学反应的每一个阶段过程，使人们在分子水平上研究化学反应所出现的各种状态，为人工控制化学反应的方向和过程提供新的前景。
李远哲曾获得美国化学学会的哈里逊豪奖、彼得.德拜物理化学奖、美源都的劳伦斯奖、美国国家科学奖、英国皇家化学佰法拉第奖和1986年诺贝尔化学奖等。此外，李远哲获得各国学术团体、大学授予之荣誉博士、荣誉教授、荣誉讲座、杰出校友等荣誉名衔数十项。
李远哲教授虽然科研、教学工作繁重，仍积极投入社会服务，参与国际学术团体、美国联邦政府、加州州政府、加州大学的多种委员会咨询工作。李远哲始终关心家乡祖国的科学与教育的发展，近十年来每年回国多次，奔波于海峡两岸，主持学术讲习，参加学术会议，尤其对中央研究院原子分子研究所的筹建，注入大量心血。1994年元月，李远哲回国接受中研院院长之重担，同时决定放美国国籍，全力投入推动国内科研的发展，体现出他浓郁的爱乡情怀与无私奉献的品格。
在1946年，亚利桑那州的邓悦宁(Wing F. Ong)成了被选入美国州议会的第一位华人州议员。
当夏威夷于1959年正式成为美国的一个州时，邝友良(Hiram Fong)当选为美国国会的参议员。这也是美国历史上第一位华人参议员。
70年代以后，华裔妇女江月桂(March Fong Eu)成了加州的州务卿，是当时美国大陆上当选官员中职位最高的华人。
80年代又有华裔吴仙标当选为特拉华州副州长，陈李琬若当选为加州蒙特雷·帕克市的副市长。吴家玮成了旧金山州立大学的第一位华裔校长，田长霖担任了伯克利加州大学的第一位华裔副校长职务。
从2018年开始，多款基于氮化镓技术开发的快充充电器相继量产，氮化镓也正式开启了在消费类电源领域商用。
近日，氮化镓半导体材料被正式写入“十四五规划”中，这就意味着氮化镓产业将在未来的发展中获得国家层面的大力扶持，前景十分值得期待。
氮化镓（gallium nitride，GaN）属于第三代半导体材料，其运行速度比传统硅（Si）技术加快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快速充电器产品时，可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍。
氮化镓新技术应用领域广阔，覆盖5G通信、人工智能、自动驾驶、数据中心、快充等等，这其中快充市场发展最为迅猛，成为先进技术普惠大众的一个标杆应用，可谓是人人都能享受到新技术从实验室走向市场的便利；而快充出货量、需求量庞大，也反哺了氮化镓技术的不断迭代。快充与氮化镓，堪称天生一对。
凭借优秀的性能，两年来氮化镓技术在快充电源方面的发展一路突飞猛进，普及速度十分快，获得越来越来越多品牌客户和消费者的认可。而作为氮化镓快充的核心器件，GaN功率芯片也一直都是大家关注的焦点。
充电头网通过长期跟踪调研了解到，近两年时间里，业内GaN功率芯片供应商也从起初的一两家迅速增长至十余家。今天这篇文章就是带大家详细的了解一下当前快充领域的氮化镓功率芯片领域的主要玩家。
众多厂商入局氮化镓功率器件
面对日益增长的快充市场，全球范围内已有纳微、PI、英诺赛科、英飞凌、意法半导体、Texas Instruments、GaNsystems、艾科微、聚能创芯、东科半导体、氮矽 科技 、镓未来、量芯微、Transphorm、能华、芯冠 科技 等16家氮化镓功率芯片供应商。
值得一提的是，英诺赛科苏州第三代半导体基地在去年9月举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也预示中国功率半导体步入一个崭新时代。
充电头网通过整理了解到，目前市面上合封氮化镓芯片可分为以下四种类型：
控制器+驱动器+GaN：这种方式以老牌电源芯片品牌PI为代表，其基于InSOP-24D封装，推出了十余款合封主控、氮化镓功率器件、同步整流控制器等的高集成氮化镓芯片，PowiGaN芯片获众多品牌青睐，成为了合封氮化镓快充芯片领域的领导者。
此外在本土供应商中，东科半导体率先推出两款合封氮化镓功率器件的主控芯片DKG045Q和DKG065Q， 对应的最大输出功率分别为45W和65W。这两款芯片在节约系统成本，加速产品上市方面均有着巨大的优势，并有望在2021年量产。
驱动器+GaN：这种合封的氮化镓功率芯片以纳微半导体为主要代表，其为业界首家推出内置驱动氮化镓功率芯片的厂商，凭借精简的外围设计，获得广大工程师及电源厂商青睐，在2020年底，达成芯片出货量突破1300万颗的好成绩。
驱动器+2*GaN：合封两颗氮化镓功率器件以及驱动器的双管半桥产品，其集成度较传统的氮化镓功率器件更高。这类产品应用于ACF架构，以及LLC架构的氮化镓快充产品中，可以实现更加精简的外围设计。目前纳微半导体、英飞凌、意法半导体等厂商在这类合封氮化镓芯片方面均有布局。
驱动器+保护+GaN：纳微半导体近期推出了新一代氮化镓功率芯片NV6128，集成GaN FET、驱动器和逻辑保护器件。将保护电路也加入氮化镓器件中，通过整合开关管和逻辑电路，可得到更低的寄生参数以及更短的响应时间。该芯片可以实现数字输入，功率输出高性能，电源工程师可基于此设计出更快更小更高速的电源。
氮化镓芯片品牌盘点
以下排名不分先后，仅按照品牌首字母排序，方便读者查阅。
ARK艾科微
艾科微电子专注于高功率密度整体方案开发, 并以解决高功率密度电源系统带来的痛点与瓶颈为使命, 核心团队具备超过 20 年专业经验于功率半导体产业, 我们透过不断的创新及前瞻的系统架构并深入结合功率器件及高效能封装, 来实现高品质、高效能与纯净的电源系统，以满足市场对未来的需求。
艾科微在AC/DC 快充方案上不仅推出原副边芯片, 另有自主的开发MOSFET功率器件。伴随各种应用上电子产品针对高功率密度之强烈需求，我们承诺持续投资、创新、研发并一同与我们的合作伙伴引领市场、开创未来。
Cohenius聚能创芯
青岛聚能创芯微电子有限公司成立于2018年7月，公司坐落于青岛国际创新园区，主要从事第三代半导体硅基氮化镓（GaN）的研发、设计、生产和销售，专注于为业界提供高性能、低成本的GaN功率器件产品和技术解决方案。
聚能创芯掌握业界领先的GaN功率器件与应用设计技术，致力于整合业界优势资源，打造GaN器件开发与应用生态系统，为PD快充、智能家电、云计算、5G通讯等提供国产化核心元器件支持。
背靠上市公司赛微电子（300456）与知名投资基金支持，聚能创芯建立了业界领先的管理和技术团队。在产品研发与量产过程中，始终坚持高品质与高可靠性的要求。在得到合作伙伴广泛认同的同时，逐步成为第三代半导体领域的国际知名企业。
在消费类电源领域，聚能创芯面向快充应用国产化GaN材料和器件技术解决方案，并基于现有的氮化镓功率器件推出全新65W、100W、120W氮化镓快充参考设计。
Corenergy能华
江苏能华微电子 科技 发展有限公司是由留美归国博士于2010年创建。团队汇集了众多海内外的专业人才，是一家专业设计、研发、生产、制造和销售高性能氮化镓外延、晶圆、器件及模块的高 科技 公司。
氮化镓（GaN）是新一代复合半导体的代表，江苏能华已建立了GaN功率器件生产线。项目计划总投资50个亿，分期投资。预计第一期投资超10个亿。公司于2017年搬入张家港国家再制造产业园，新厂房占地3万平方，拥有万级、千级以及百级的无尘车间，并配备有先进的生产设备以及专业的技术人员。
DANXI氮矽 科技
成都氮矽 科技 有限公司是一家专注于第三代半导体氮化镓功率器件与IC研发的 科技 型公司，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供，公司两位创始人均拥有超过5年的氮化镓领域相关研发经验。
氮矽 科技 于2020年3月发布国内首款氮化镓超高速驱动器DX1001，同年4月推出国内多款量产级别的650V氮化镓功率芯片DX6515/6510/6508，搭配该公司的驱动芯片，进军PD快充行业。
值得一提的是，氮矽 科技 还推出了业内最小尺寸、最强散热能力的650V/160mΩ氮化镓晶体管，引领氮化镓产业革命。基于现有的氮化镓功率器件，氮矽 科技 推出4套国产GaN快充参考设计，丰富快充电源工程师的产品选型需求。
DONGKE东科
安徽省东科半导体有限公司于2009年成立，总部位于安徽省马鞍山市，主要从事开关电源芯片、同步整流芯片、BUCK电路电源芯片等产品研发、生产和销售；并成立深圳及无锡全资子公司和印度公司，负责全球市场销售及技术支持。
东科半导体在北京、青岛、无锡、深圳多地成立研发中心，多名海归博士主持研发 探索 ，在安徽马鞍山拥有2万平方米的封装车间和品质实验室，拥有DIP-8/SOP-8/SM-7/SM-10/TO-220等多种产品封装能力；在东科半导体总部成立的马鞍山集成电路国家实验室，具备对芯片进行开封、失效分析、中测、划片、高低温测试等多种分析能力，为公司产品品质和供货提供可靠保障。
针对快充领域的应用，东科半导体推出了业界首颗合封氮化镓功率器件的电源芯片，成为了国产氮化镓快充发展史上的里程碑。
GaN system氮化镓系统公司
GaN Systems于2008年成立于加拿大首都渥太华，创始人是前北电的资深功率半导体专家。公司专注于增强型氮化镓功率器件的开发，提供高性能、高可靠性的增强型硅基GaN HEMT功率器件。
GaN Systems拥有专利的GaN芯片设计，GaNPx 芯片级封装技术和市场上最全的650V和 100V产品系列，涵盖了从小功率消费电子到几十kW以上工业级电源应用。
GaN Systems采用无晶圆厂模式，与世界级代工厂和供应链合作。产品自2014年开始量产以来，在全球范围服务超过2000家客户。在中日韩和北美及欧洲设有销售分公司和应用支持。据了解，目前GaN Systems的氮化镓功率芯片已经进入飞利浦快充供应链。
GaNext镓未来
珠海镓未来 科技 有限公司成立于2020年10月，公司致力于第三代半导体GaN-on-Si器件技术创新和领先。通过高起点、强队伍等，实现GaN技术的国产化，推动GaN器件的技术的*，并且通过电源系统的创新设计，实现能源的绿色、高效利用。
公司创始团队由3位资深GaN-on-Si技术/产业专家构成，以深港微电子学院于洪宇教授和美国知名氮化镓公司研发VP领衔，前华为GaN产业共同创始人加盟，构建了完整的技术、制造、市场的铁三角，厚积薄发。通过成熟领先的产品，推动GaN技术国产化，依托中国巨大电源应用市场和国家第三代半导体产业政策的支持，向氮化镓产业顶峰进军，助力国家第三代半导体产业目标的突破。
GaNPower量芯微
苏州量芯微半导体有限公司是加拿大GaNPower International Inc.在中国注册成立的公司。GaNPower于2015年在加拿大成立，总部位于加拿大温哥华市。GaNPower是全球氮化镓功率器件行业的知名公司，目前产品主要为涵盖不同电流等级及封装形式的增强型氮化镓功率器件及氮化镓基电力电子先进应用解决方案。
苏州量芯微半导体公于2019年荣获苏州工业园区第十三届金鸡湖 科技 领军人才称号；《氮化镓功率器件及相关产业化应用》被列为政府重点扶持项目。公司的氮化镓功率器件产品荣获行业权威大奖：2020年ASPENCORE中国IC设计成就奖之年度功率器件奖。公司目前拥有40项美国和中国的专利及申请。
据悉，量芯微半导体已经推出650V氮化镓功率器件，适用于45W-300W快充。
Innoscience英诺赛科
英诺赛科 科技 有限公司成立于2015年12月，国家级高新技术企业，致力于研发和生产8英寸硅基氮化镓功率器件与射频器件；英诺赛科是全球最大的氮化镓功率器件IDM 企业之一， 拥有氮化镓领域经验最丰富的团队、先进的8英寸机台设备、加上系统的研发品控分析能力，造就英诺赛科氮化镓产品一流品质和性能的市场竞争优势。
自从2017年建立全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线以来， 目前英诺赛科已经发布和销售多款650V以下的氮化镓功率器件，产品的各项性能指标均达到国际先进水平，能广泛应用于多个新兴领域， 如快充、5G 通信、人工智能、自动驾驶、数据中心等等。
目前，英诺赛科已经建成了全球最大的氮化镓工厂，在USB PD氮化镓快充市场，英诺赛科650V高压氮化镓功率器件已经在努比亚、魅族、MOMAX、ROCK等众多知名品牌产品中得到应用，并在近期推出第二代InnoGaN产品，性能较上一代有显著提升。
此外，英诺赛科还推出了多款低压GaN功率器件，适用于同步整流、DC-DC电压转换以及激光雷达等领域。在全球市场中，英诺赛科是少有具备氮化镓高压、低压全品类产品线的IDM芯片原厂。
infineon英飞凌
英飞凌 科技 股份公司是全球领先的半导体 科技 公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年（截止9月30日），公司的销售额达85亿欧元，在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月，英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购，成功跻身全球十大半导体制造商之一。
英飞凌电源与传感系统事业部提供应用广泛的电源、连接、射频（RF）及传感技术，让充电设备、电动工具、照明系统在变得更小、更轻便的同时，还能提升能效。新一代的硅基/宽禁带半导体解决方案（碳化硅/氮化镓）将为5G、大数据及可再生能源应用，带来前所未有的突出性能和可靠性。
高精度XENSIV 传感器解决方案为物联网设备赋予了人类的感官功能，让这些设备能够感知周遭的环境，并做出“本能”反应。音频放大器产品扩充了电源与传感系统事业部的产品线，让智能音箱及其它音频应用设备能够提供卓越的音质体验。
Navitas纳微
纳微半导体是全球领先氮化镓功率IC公司，成立于2014年，总部位于爱尔兰，拥有一支强大且不断壮大的功率半导体行业专家团队，在材料、器件、应用、系统、设计和市场营销方面，拥有行业领先的丰富经验，公司创始者拥有320多项专利。
GaNFast功率IC将GaN功率（FET）与驱动，控制和保护集成在一起，可为移动、消费电子、企业、电动交通和新能源市场提供更快的充电，更高的功率密度和更强大的节能效果。纳微在GaN器件、芯片设计、封装、应用和系统的所有方面已发布和正在申请的专利超过120项，已完成生产并成功交付了超过1300万颗GaNFast氮化镓功率IC，产品质量和出货量全球领先。
近期，纳微半导体也推出了最新一代氮化镓功率芯片NV6128，内置驱动和保护功能，适用于大功率快充产品。凭借优异的产品性能，纳微半导体已经成为小米、OPPO、联想、戴尔、LG等众多知名品牌的氮化镓芯片供应商，基于GaNFast芯片开发的产品多达百余款。
PI
Power Integrations 是一家专注于高压电源管理及控制领域的高性能电子元器件及电源方案的供应商，总部位于美国硅谷。
PI所推出的集成电路和二极管为包括移动设备、家电、智能电表、LED灯以及工业应用的众多电子产品设计出小巧紧凑的高能效AC-DC电源。SCALE 门极驱动器可提高大功率应用的效率、可靠性和成本效益，其应用领域包括工业电机、太阳能和风能系统、电动 汽车 和高压直流输电等。
自1998年问世以来，Power Integrations的EcoSmart 节能技术已节省了数十亿美元的能耗，避免了数以百万吨的碳排放。由于产品对环境保护的作用，Power Integrations的股票已被归入到由Cleantech Group LLC及Clean Edge赞助的环保技术股票指数下。
充电头网拆解了解到，PI的氮化镓芯片已被小米、OPPO、ANKER、绿联、belkin等多个品牌的快充产品采用。此外，PI还推出了全新的MinE-CAP IC，用于快充充电器时，体积可缩小40％。
ST意法半导体
意法半导体（STMicroelectronicsST）是全球领先的半导体公司，提供与日常生活息息相关的智能的、高能效的产品及解决方案。意法半导体的产品无处不在，致力于与客户共同努力实现智能驾驶、智能工厂、智慧城市和智能家居，以及下一代移动和物联网产品。享受 科技 、享受生活，意法半导体主张 科技 引领智能生活（life.augmented）的理念。意法半导体2018年净收入96.6亿美元，在全球拥有10万余客户。
目前，ST意法半导体推出了一款GaN半桥器件，内置驱动器和两颗氮化镓，并基于该芯片推出了一套推出65W氮化镓快充参考设计。
Texas Instruments德州仪器
德州仪器 （Texas Instruments）是全球领先的半导体公司，致力于设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片。数十年来，TI一直在不断取得进展，推出的80000多种产品可帮助约100000名客户高效地管理电源、准确地感应和传输数据并在其设计中提供核心控制或处理，从而打入工业、 汽车 、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。
2020年11月10日，德州仪器推出了650V和600V两款氮化镓功率器件，进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99％的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59％。
Transphorm
Transphorm公司致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓（GaN）半导体功率器件。Transphorm持有数量极为庞大的知识产权组合，在全球已获准和等待审批的专利超过1000多项 ，是业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET的IDM企业之一。
得益于垂直整合的业务模式，Transphorm公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新——包括设计、制造、器件和应用支持。充电头网拆解了解到，此前ROMOSS推出的一款65W氮化镓充电器内置的正式Transphorm公司的GaN器件。
XINGUAN芯冠 科技
大连芯冠 科技 有限公司是全球领先的第三代半导体氮化镓外延及器件制造商，致力于硅基氮化镓外延与功率器件的研发、设计、生产和推广，拥有先进的外延材料与功率器件生产线，提供650V全规格的功率器件产品，电源功率的应用覆盖几十瓦到几千瓦范围。广泛应用于消费类电子（快充、大功率适配器等）、工业电子与 汽车 电子等领域。
芯冠氮化镓功率器件的特点是兼容标准MOS驱动，应用设计简单；抗击穿电压高达1500V以上，使用安心。
充电头网总结
从三年前GaN技术开始在消费类电源领域商用，到如今市售GaN快充已经多达数百款，市场发展速度可谓是突飞猛进。这一方面是借助各大手机、笔电厂商陆续入局的产生的品牌影效应，另一方面也离不开氮化镓快充生态的日趋完善。
就充电头网本次不完全统计，已经布局快充市场的氮化镓芯片供应商已经多达16家，方案多达数百款；并且涵盖了多样化的封装方式，完全可以满足当前快充电源市场对核心器件的选型需求。
相信随着国家十四五规划对氮化镓产业的大力扶持，入局氮化镓功率芯片的厂商数量将越来越多。不仅产品类型将会的得到进一步完善，更重要的是当氮化镓产业呈现规模化发展后，电源厂商开发氮化镓快充的成本将会得到优化；而氮化镓功率芯片也将成为越来越多高性能快充电源产品的首选。
1957年诺贝尔物理学奖获得者杨振宁1976年诺贝尔物理学奖获得者丁肇中
1997年诺贝尔物理学奖获得者朱棣文
1998年诺贝尔物理学奖获得者崔琦
1998年诺贝尔物理学奖获得者崔琦
1986年度诺贝尔化学奖获得者李远哲
贝尔奖自1901年颁发以来，共有六位华人获诺贝尔科学奖，他们分别是李政道、杨振宁、丁肇中、李远哲、朱棣文和崔琦 。
1957年，李政道和杨振宁因“发现宇称原理的破坏”而被授予诺贝尔物理学奖。
1976年丁肇中因“发现一类新的基本粒子”而获得诺贝尔物理学奖。
1986年李远哲因“发明了交叉分子束方法使详细了解化学反应的过程成为可能，为研究化学新领域—反应动力学作出贡献”而获得诺贝尔化学奖。
1997年朱棣文因“发明了用激光冷却和俘获原子的方法”荣获诺贝尔物理学奖。
1998年，崔琦与德国的霍斯特·斯托尔默和美国的罗伯特·劳克林因在量子物理学研究做出的重大贡献而获诺贝尔物理学奖。 李政道
一、生平简介
李政道(Tsung-Dal Lee 1926～)理论物理学家。1926年11月25日生于上海。1943～1944年在浙江大学（当时一年级在贵州永兴）物理学系学习；得到老师束星北的启迪，而开始了他的学术生涯。1944年因翻车受伤停学。1945年转学到昆明西南联合大学物理学系。1946年受他的老师吴大猷的推荐，得国家奖学金，去美国深造，入芝加哥大学研究院，1948年春天，李政道通过了研究生资格考试，开始在费米的指导下作博士论文研究。
1949年底，在费米的指导下，李政道完成了关于白矮星的博士论文，获得博士学位。以后在该校天文学系半年和加利福尼亚大学（伯克莱）物理系一年任讲师并从事研究工作。
1950年，李政道和来自上海的大学生秦惠君结婚。他们有两个孩子，长子李中清，现任加州理工学院历史教授；次子李中汉，现任密歇根大学化学系助理教授。1951年到普林斯顿高级研究院工作。1953年任哥伦比亚大学物理学助理教授，1955年任副教授，1956年任教授，1957年获诺贝尔物理学奖，1960～1963年任普林斯顿高级研究院教授兼哥伦比亚大学教授。1963年任哥伦比亚大学物理学讲座教授，1964年任该大学费米物理学讲座教授，1983年任该大学全校讲座教授。他还是美国科学院院士。
杨振宁:把高质量的学生变成高质量人才
杨振宁：1922年出生于安徽。1957年与李政道共同获得诺贝尔物理学奖。
回顾20世纪科学的发展，杨振宁认为主要成就体现在3个方面：学会了控制电子的行动；发现了研究极小结构的方法；离开了地球引力实现了登月梦想。
展望21世纪，杨振宁认为中国将于21世纪中叶成为世界科技大国。“我这样说原因有四：一、中国有数不清的绝顶聪明及可塑造性强的年轻一代，这是科技发展之首要前提。二、中国传统的儒家思想在重人伦和勤俭的同时，也重视教育，势必令上述人才大有可为。三、中国在过去一百年的发展中已经走出了固步自封的模式，取而代之的是对近代科学的热忱。四、中国内地、香港、台湾近年来经济的迅速发展为科技发展提供了强有力的后盾。”
杨振宁说，中华人民共和国建国十几年就成功研制出原子d，从那时就培育和积累了一大批基础人才。“中国人是有很高素质的。比如清华大学的生源就不比美国哈佛大学的差，但我们要考虑的是，怎样把高质量的生源变成高质量的人才。”杨表示有信心随着经济的发展、科研条件的改善，继本世纪的华裔科学家之后，中国本土的科学家必将于下个世纪在重要领域达到世界领先水平。“中国本土出生、成长，并在本土出成果的科学家要获得诺贝尔奖，从现在算起，20年足够”。
丁肇中
1976年12月10日，40岁的丁肇中赴瑞典皇家
学院领取了诺贝尔物理学奖。诺贝尔奖自1901年开始颁
发，从那时候起至1976年的75年中，丁肇中是第三位
金榜提名，获得此项殊荣的中国血统科学家。在隆重的颁奖
仪式上，他先用汉语然后用英语发表了著名的演讲。他说“
得到诺贝尔奖是一个科学家最大的荣誉，我是在旧中国长大
的，因此想借这个机会向发展中国家的青年们强调实验工作
的重要性。中国人有句古语：‘劳心者治人，劳力者治于人
’，这种落后的思想，对于发展中国家的青年们有很大害处
。由于这种思想，很多发展中国家的学生们都倾向于理论研
究而避免实验工作。事实上，自然科学理论不能离开实验的
基础。特别是物理学，它是从实验产生的。我希望由于我这
次得奖，能够唤起发展中国家的学生们的兴趣，使他们注意
实验工作的重要性。”
在美国出生的中国人
丁肇中祖籍山东省日照县。1936年1月出生在美国
密执安州的安阿伯，当时他的父母正在美国进行访问。后来
，丁肇中曾这样说起过自己的身世。他说：“我在第二次世
界大战初期出生在一个由教授和革命志士组成的家庭里。我
的父母都希望我出生在中国，但在他们访问美国时，我提早
出世。由于这个意外，我成为美国公民。这个突来的小插曲
，却也影响了我的一生。”他出生3个月后，随父母回到中
国。丁观海教授一家人回国后不久便爆发了震惊中外的“七
·七事变”，孩提时代的丁肇中，伴随着兵慌马乱的岁月。
他回忆这段时日时曾说：“我在出生3个月的时候回到了中
国。由于当时中国的境况，我一直是个难民，不断地从一个
地方逃到另一个地方……”其父丁观海先在山东大学执教，
1938年到重庆大学任工程学教授。母亲丁隽英任四川教
育学院心理学教授。丁肇中的童年是在中国大陆度过的。起
初就读于重庆磁器口小学，直至抗战胜利后，随父母迁到天
津，勉强念完小学。1948年冬，丁观海到台湾省台南工
学院教书，并举家迁至台湾。1956年9月他只身赴美，
进入密执安大学工学院研读。起初学的是机械工程，后来他
发觉自己的兴趣主要在物理方面。第二学期，他选了些物理
学和数学的课程。大学第二学年，他转到了自己感兴趣的物
理系。
1959年他毕业于该校研究院，取得了数学和物理方
面的两个工学学士学位。翌年又获得理学硕士学位。他还以
优异成绩获得美国原子能委员会特别奖金。不久又获得美国
科学基金会奖。1962年，丁肇中获得了物理学博士学位
。
直到1974年夏末秋初，丁肇中的实验进入到关键的
时刻，高能加速中质子相撞，每时每刻都在牵动着他与同
事们的心。当他们将粒子质量的方位降到30—40亿电子
伏这个范围的时候，突然间一个新的粒子出现了，它以极长
的寿命分解出正负电子。丁肇中此时兴奋极了。不过，严谨
、慎重的这位华人学者并没有立即宣布这一发现。从8月至
10月，他们又进行了多次这样的实验，待取得无懈可击的
数据时，丁肇中才于1974年11月12日向全世界公布
了这一惊人的成果。科学实验有很多趣闻。丁肇中的实验是
在东海岸进行的，正当他已经捕捉到瞬息万变的J粒子的时
候，在西海岸，美国物理学家希特带领他的斯坦福研究小组
也发现了这种新的粒子。的来，东海岸和西海岸发表的实验
报告几乎一样。不同的是，对这种新粒子，丁肇中称之为“
J”，希特呼之为“Ψ”。那么到底是谁首先发现这种新粒
子的呢？这是一桩难分难解的悬案。因此，丁肇中和希特同
时获得1976年的诺贝尔物理将，他们所发现的新粒子被
称之为J／Ψ粒子。
[李远哲] 1936年出生于台湾新竹县，1965年在美国加州大学伯克利分校获博土学位后，先后在劳伦斯伯克利实验室和哈佛大学任博士后。1968—1974年在芝加哥大学任教，升为教授，1974年又回到加州大学伯克利分校任化学教授。曾在哈佛大学和李远哲合作从事分子束研究的赫希巴哈教授称赞他为“惊人的实验天才”。后来李远哲发展了赫希巴哈用交叉分子束研究分子反应动力学的思想，创造了新的一代交叉分子束装置。用此装置来研究分子反应动力学所得到的信息和反应过程的细节远远走在反应轨迹的理论计算前面。这是世界上最好的分子束装置。李远哲被誉为“分子束化学真正的实现者”。到1986年为止据不完全统计李远哲发表的各种论文有180多篇。李远哲还在反应动态学、光化学、光谱学、分子间与分子内能量传递作用等方面的研究作出了重大贡献。1986年李远哲教授荣获诺贝尔化学奖、1986年美国化学会德拜物理化学奖、美国国家科学奖。他是获奖中最年轻也是近十年来研究成果最多的化学家之一，也是获诺贝尔化学奖的第一位华裔化学家。李远哲是中国人，他在祖国科学技术的发展中也做了一定的贡献，他帮助台湾省搞原子分子研究所，1986年指导中国科学院化学研究所建成分子光束激光裂解产物谱仪。对中国科学院大连化学物理研究所、复旦大学和中国科技大学等单位的分子反应动力学方面的研究工作也给予了很多指导。
在获得诺贝尔奖的第二天，朱棣文说，他骑着自行车，朝着目标往山路上攀爬，达到了目的地。这种攀登高峰的踏实感受，也只有在努力过之后，才能真切地感受到。
掌声响起。在瑞典皇室、全球顶尖学者以及贵宾一千四百人的目光下，1997年诺贝尔物理奖得主华裔朱棣文正站在学术最高殿堂之上。此时此刻，尽管欧洲正飘飞着圣诞季节的白雪，朱棣文心里却是无比的炽热。从瑞典国王古斯塔夫十六世手中，他接下了荣耀，脑子里闪过的是许许多多在实验事里度过的日子——看着实验结果成功失败，起起落落……而今，他终于精精确确地以“光束蜜糖（雷射制冷捕捉技术，Laser Cooling Trapping)”抓住了原子，从而拥有了学士界最闪亮的光环，永远在世界物理学的史册上留名。
朱棣文，这位史丹福大学第一位华裔教授，学生喊他Steven。平日里习惯穿着淡色长袖衬衫，袖子整齐地卷得高过手肘，显得很是清爽自然。自从1997年10月14日凌晨那个划破宁静夜空的、来自斯得哥尔摩的电话传来喜讯，他和他的家人便开始不得清静。从那时起，他就被媒体包围着。但是，即使是这样，他仍是一身简单的休闲服装，在电视、报纸、杂志上出现。他还是一样的他。
朱棣文祖籍是中国江苏太仓。1948年2月生于美国密苏里州圣路易士市，1970年毕业于罗彻斯特大学数学及物理双学士，1976年获柏克莱加大学物理学博士，并在学校从事两年博士后研究。1978年，他到美国贝尔实验室担任电磁现象研究员，五年后，升为电子学研究部主任，并在1987年赴史丹福大学任教授至今，曾于1990年担任系主任。
1993年，他与另一名研究学者共得国际大奖沙乌地阿拉伯“国际科学奖”，两人合得奖金约十万美金。
同年又被选为美国科学院第130届院士。1996年，荣获古根汉研究奖，并获美国物理学会学术奖。这次诺贝尔物理奖，朱棣文是与马里兰州美国国家标准与技术研究所科学家菲利普斯以及法国科学家柯恩但诺吉一同分享这分殊荣。三人同时共分诺贝尔奖金约100万美金。
朱棱文是继1957年的杨振宁、李政道，1976年的丁肇中和11年前的李远哲之后，第五位获诺贝尔奖的华裔科学家。在他之后，还有一位华人——普林斯顿大学教授崔琦又获诺贝尔物理学奖。六位华裔获奖人中，除李远哲为诺贝尔化学奖外，其余皆是物理奖。
朱棣文的获奖研究，得追溯到十四年前。当时他还是贝尔实验室的一员。在低温物理的研究领域中，“光束密糖（Molasses）”这个物理学名词它让朱棣文“甜在心中，爱不择手”。原来“光束蜜糖”指的是利用雷射光达到冷却气体的效果。朱棣文他们所进行的“雷射致冷捕捉”，就是利用雷射冷却原子后，能够进行精确测量的研究。原子在室温中非常活泼，以百公里的速度活蹦乱跳，若利用雷射光达到冷却，气体冷却至几近绝对零度，原子一旦陷入，也在此时活动得非常缓慢，再利用光与原子交互作用的时间拉长了，便可用来精确测量物理量。
这个研究最重要的是如何应用。事实上，朱棣文最常引用的例子就是“重力测量”，这样的解析早已令学术界和科技业界感到惊喜乐观。利用原子在超低温状态时，科学家可进行重力分布研究，最佳的运用方式就是在油田勘探方面。这项应用将使得石油开采成本降低很多，己有不少石油公司对这项研究非常有兴趣。相同的应用还可能发现环宙间更多的秘密得以找到答案。另一重大应用则在生物物理，也是利用雷射致冷捕捉技术，可以解读DNA。
朱棣文的父亲朱汝瑾也是当代科学家，1949年自大陆来美，现在已有八十高龄。朱汝瑾是美国麻省理工学院化学工程博士，他的妻子是当年曾在同一大学念经济系的朱李静贞。朱汝瑾和朱棣文同属台湾的中央研究院院士“父子档”。朱父于1964年当选第五届院士，朱棣文则在父亲以及另四名院士崔琦、卓以和、顾毓秀以及田炳耕共同推荐下，于1994年以高票获选为院士。朱汝瑾曾在美国圣路易、维吉尼亚、纽泽西等多个大学任教授，还担任过美欧地区化工、石油、太空等六十多个企业公司的顾问。 朱棣文是家中的老二。他的哥哥朱筑文为麻省理工学院物理博士，哈佛医学院毕业，现在是史丹福大学医学院教授。弟弟朱钦文是哈佛法学博士，现为洛杉矾执业律师。这个家庭，真的称得上是一个“博士之家”。
作为一名成熟的科学家，朱棣文有着自己的人生皙学。他常说：“我们不一定要是天才，但我们知道自己的目标和计划；我们会时常受到挫折，但不要失去热情。” 虽然朱父和三个杰出的儿子都是顶尖科学人才，其实，当年朱父不太赞同朱棣文念物理，因为“这一行要出头太难了”。从小就爱画画的朱棣文，父亲觉得或许建筑对于他是个不错的出路。然而，身上满是物理细胞的朱棣文把绘画的天分用在绘制物理结构图上了。好在父亲后来并没有太刻意地阻拦他；而他，也终于以自己的努力，冲破了这条被视为崎岖的路。
在学生及友人眼中，朱棣文有着浓厚的科学家气质，而且饶富幽默口才。他常常能即兴地发表学术演说，深度中还能穿插趣味。无论是在研究上、工作上，甚至是教学上，他都有一套“以退为进”的哲学。他对自己、对学生并不会定下过高的要求，他觉得从工作中得到成就，才会激起更旺盛的动力，使自己更有信心。他酷爱运动，每周五固定骑自行车到校园，并趁着实验空档“溜车”。在他，运动带来的爆发力正如同物理实验中击出的美丽火光一般，是物理之“力”与人生之“美”的结合。
朱棣文在研究中兢兢业业，悠游于物理的世界中。在他，获得全球的认同，是否是自己最大的心愿？朱棣文却答：视自己为一名科学家，最大的希望是无论在未来十年、二十年，甚至上百年以后，自己在斗大的实验室中的成果，能够对人类产生贡献，与人类的生活真正的结合在一起。
瑞典皇家科学院九八年十月十三日宣布，把一九九八年诺贝尔物理学奖授予德国科学家霍斯特·斯托尔默、美籍华人科学家崔琦和美国科学家罗伯特·劳克林，以表彰他们为量子物理学研究做出的重大贡献。
崔琦和斯托尔默在一九八二年对在强磁场和超低温实验条件下的电子进行了研究。他们将两种半导体晶片砷化镓和砷氯化镓压在一起，这样大量电子就在这两种晶片交界处聚集。他们将这种晶片结合体放置在仅比绝对零度高十分之一摄氏度（约摄氏零下二百七十三度）的超低温环境中，然后加以相当于地球磁场强度一百万倍的超强磁场。他们发现，在这种条件下大量相互作用的电子可以形成一种新的量子流体，这种量子流体具有一些特异性质。一年之后，劳克林教授对他们的实验结果做出了解释。在这一发现的基础上，科学家又陆续作出一些重大发现。这三位科学家的成果是量子物理学领域内的重大突破，它为现代物理学许多分支中新的理论发展做出了重要贡献。
崔琦因此获得美国著名的弗兰克林奖。崔琦在互联网自己开设的网址上称，他的主要学术兴趣是研究金属和半导体中电子的性质。他的这些研究将可应用于研制功能更强大的电脑和更先进的通信设备。
崔琦，一九三九年生于中国河南省，五十年代到香港接受教育，一九五七年在培正中学毕业，随后到美国继 续深造，一九六七年在美国芝加哥大学获物理学博士学位。此后到贝尔实验室工作，在美国，贝尔实验室被称为“诺贝尔奖获得者的摇篮”，崔琦正是在这里和施默特发现了分数量子霍尔效应（1982年），两人因此在1998年共同获得诺贝尔物理学奖。一九八二年至今任美国普林斯顿大学教授，目前他从事电子材料基本性质等领域的研究。崔琦的妻子是挪威裔美国人，他们有两个女儿，长女爱琳曾在武汉留学。
在美国，据新华社引述崔琦教授来自中国的学生李济群等人介绍，崔琦为人随和，但对学生要求非常严格。他思维敏锐，在师生中威望很高。十三日清晨崔琦像往常一样来到学校，当大家向他表示祝贺时，他像平常那样微微一笑，只说了句“谢谢”就躲了起来。据介绍，崔琦非常关心祖国，经常与中国学生谈论祖国的发展情况。
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